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1N5711 Diodo Schottky: alternativas, recursos e folha de dados

O diodo Schottky 1N5711 se destaca por sua capacidade de alternar em velocidades notáveis, combinadas com uma queda de tensão para a frente notavelmente baixa.Este artigo investiga as características e aplicações do 1N5711, destacando sua grande contribuição para os avanços tecnológicos ecológicos.Através de uma exploração de seus atributos e implementações práticas, pretendemos apresentar um entendimento abrangente de seu impacto no design e desempenho modernos da eletrônica.

Catálogo

Visão geral do 1N5711

O 1N5711 O diodo combina intrincadamente metal e silício, permitindo que ele atinja não apenas uma tensão de ruptura alta notável, mas também recursos de comutação notavelmente rápidos.Sua aplicação eficaz nas tarefas de detecção e impulso UHF/VHF se deve ao seu extenso intervalo operacional.O pacote DO-35 do Diodo oferece confiabilidade com um limite de 15mA a seguir emparelhado com uma tensão direta de 0,41V.Com sua compatibilidade com as metodologias de chumbo padrão, há uma facilidade em seu uso para processos de montagem do orifício por meio do buraco, aumentando seu apelo funcional e contribuindo para um sentimento de satisfação de engenharia.

1N5711 Configuração do pino

1n5711 símbolo e modelo CAD

Recursos do 1N5711

Camada de proteção fortificada

O diodo 1N5711 inclui uma camada de proteção fortificada que aumenta sua capacidade de suportar picos de tensão repentina.Essa camada reduz o risco de danos causados ​​por picos de tensão abrupta, oferecendo ao diodo uma vida operacional mais longa.Esse design de falhas eletrônicas anteriores devido à proteção insuficiente de excesso de tensão, que geralmente resultou em tempo de inatividade e reparos dispendiosos.

Tensão de ativação excepcionalmente baixa

O que realmente distingue o 1N5711 é sua tensão de ativação notavelmente baixa.Esse recurso permite que o diodo inicie o fluxo de corrente com tensão mínima, emprestando-se bem a projetos de circuitos com eficiência energética.Na eletrônica contemporânea em que a energia de conservação geralmente está na vanguarda, essa propriedade contribui para reduzir as despesas operacionais e prolongar a duração da bateria, minimizando as perdas de energia durante as conversões de tensão.

Velocidade de comutação ultra -rápida

A velocidade de comutação de nível picossegundo ultra-rápida do diodo é uma característica definitiva.Essa comutação rápida permite transições imediatas, que são boas em aplicações de alta frequência, principalmente os circuitos de RF e microondas.Ao minimizar a latência, melhora a velocidade e o desempenho dos dispositivos eletrônicos.Esse recurso é uma prova de melhorias contínuas na tecnologia de semicondutores, ecoando a progressão do setor em direção a componentes mais ágeis e responsivos.

1N5711 Especificações

Tipo	Parâmetro
Time de entrega da fábrica	15 semanas
Montar	Através do buraco
Número de pinos	2
Material do elemento de diodo	SILÍCIO
Número de elementos	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Status da peça	Ativo
Número de terminações	2
Código ECCN	Ear99
Código HTS	8541.40.00.70
Tensão - DC nominal	70V
Classificação atual	15m
Contagem de pinos	2
Placar de contato	Estanho
Pacote / caso	Do-204ah, do-35, axial
Peso	4.535924G
Tensão de quebra / v	70V
Temperatura operacional	-65 ° C ~ 200 ° C TJ
Código JESD-609	E3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (ilimitado)
Rescisão	Axial
Recurso adicional	Comutação rápida
Capacitância	2pf
Forma terminal	ARAME
Número da peça base	1N57
Polaridade	Padrão
Tipo de diodo	Schottky - solteiro
Corrente de saída	15m
Corrente para frente	15m
Tensão para a frente	1v
Corrente reversa de pico	200na
Capacitância @ vr, f	2pf @ 0V 1MHz
Diâmetro externo	1,93 mm
Tensão reversa (DC)	70V
Altura	2mm
Largura	2mm
Endurecimento da radiação	Não
Chumbo livre	Chumbo livre
Dissipação de energia	430mw
Conexão de caso	ISOLADO
Corrente de vazamento reverso máximo	200na
Tempo de recuperação reversa	100 ps
Tensão reversa repetitiva máxima (VRRM)	70V
Tensão reversa	70V
Temperatura de junção máxima (TJ)	200 ° C.
Diâmetro	2mm
Comprimento	4,5 mm
Alcance SVHC	Sem svhc
Status do ROHS	ROHS3 compatível

Diagrama de blocos funcionais de 1n5711

Aplicações do diodo 1N5711

Detecção de sinal UHF/VHF

O diodo 1N5711 se torna uso na detecção de sinal UHF/VHF, principalmente devido aos seus recursos de comutação rápida e baixa capacitância.Esses recursos ajudam a refinar e melhorar a recepção do sinal, refletindo o desejo profundo de telecomunicações mais claras.Ao reduzir a distorção do sinal, o diodo fornece um desempenho aprimorado nos sistemas de comunicação, ecoando um entendimento compartilhado nas indústrias, onde a clareza em longas distâncias emerge frequentemente como um ponto focal.

Manuseio de pulso com faixa dinâmica expansiva

Em aplicações de pulso, a proficiência do diodo no gerenciamento de uma ampla faixa dinâmica é um ativo distinto.Sua resposta rápida e adaptabilidade à alteração das intensidades de sinal permitem o manuseio suave de operações eletrônicas complexas.As lições extraídas dos campos de design de circuito analógico e digital destacam a utilidade versátil do diodo, iluminando seu gerenciamento de faixa dinâmica como um caminho para alcançar a precisão e a estabilidade operacionais.

Segurança dos dispositivos MOS

Os diodos 1N5711 protegem competentemente os dispositivos MOS sensíveis a danos devido a picos de tensão, uma faceta complexa de seu design.O tempo de recuperação rápido garante um aperto rápido de transientes, fornecendo uma barreira confiável contra ameaças de sobretensão.Essa característica é relevante na eletrônica de potência, onde a implementação estratégica de medidas de proteção se torna quase um ritual de precisão.

Troca ágil em circuitos de baixo nível lógico

A capacidade do diodo de comutação eficiente em circuitos de baixo nível de lógica o torna uma escolha ideal para restringir a perda de energia e aumentar a eficiência do circuito.Na eletrônica de consumo, beneficie -se de sua capacidade de defender a integridade e reduzir o consumo de energia, provocando inovações em projetos de dispositivos portáteis.

1N5711 Aplicações multifacetadas do diodo

Examinar as aplicações variadas do diodo 1N5711 revela seu papel na eletrônica contemporânea.Seu tackle bem -sucedido dos intrincados desafios em diversas aplicações destaca as demandas exclusivas de selecionar e integrar componentes.Essa narrativa significa a troca contínua entre conceitos teóricos e implementação prática, orientando os avanços na engenharia eletrônica.

1N5711 Equivalentes e alternativas

Papel	Fabricantes	Categoria	Descrição
Jantx1N5711-1	Microsemi	Diodos de TVs	Jantx Series 70V 33mA através do buraco Schottky Diodo - DO -35
Jantxv1N5711-1	Microsemi	Diodos	Diodo Schottky 70V 0,033A 2pin Do-35
NTE583	NTE Electronics	Diodos Schottky	NTE Electronics NTE583 RF Diodo Schottky, solteiro, 70V, 15mA, 1V, 2pf, DO-35
UF1001-T	Diodos incorporados		Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 V 50 V 50 ns no Único chumbo livre
1N4001G-T	Diodos incorporados		Através do buraco Do-204al, DO-41, axial 1 V 50 V 2 μs não Único chumbo livre
1N5400-T	Diodos incorporados		Através do buraco do 201D, axial 1 V 50 V - nenhum chumbo único Livre

Dimensões de 1N5711

1N5711 Informações do fabricante

A stmicroeletrônica se distingue em inovações de semicondutores de ponta, moldando a progressão dos dispositivos eletrônicos de hoje.Essa análise se concentra em como essa empresa aprimora a conectividade e a eficiência em várias indústrias, revelando impactos mais amplos na esfera tecnológica.Uma observação importante surge ao considerar a extensa gama de ofertas da Stmicroelectronics: a mistura de inovação e aplicação ressalta sua liderança no setor.Defender esse equilíbrio aprimora sua capacidade de fornecer soluções transformadoras, incentivando outros players do ecossistema a ajustar e inovar juntos.Essa abordagem estratégica não apenas lhes dá uma vantagem competitiva, mas também nutre o crescimento colaborativo, promovendo uma transição perfeita para futuros ambientes tecnológicos.

PDF da folha de dados

1n5711 folhas de dados:

Titulares de bateria cilíndrica.pdf