O 2N3055 é um transistor NPN de silício que é construído usando uma estrutura plana de base epitaxial.Está incluído em um caso de metal para 3, tornando-o durável para uma variedade de aplicações.Você pode confiar no 2N3055 para tarefas que envolvem comutação de energia, reguladores de séries e shunt, estágios de saída e até amplificadores de alta fidelidade.Sua parte complementar, o MJ2955, é do tipo PNP, o que torna os dois úteis juntos ao criar circuitos que requerem transistores de NPN e PNP.O desempenho confiável do 2N3055 nessas áreas se deve ao seu projeto e construção, garantindo que ele lida com várias tarefas de energia com eficiência.
Número do pino | Nome do pino | Descrição |
1 | Base (B) | |
2 | Emissor (e) | Normalmente conectado ao solo |
Guia ou caso | Colecionador (C) | Normalmente conectado à carga |
O 2N3055 foi projetado para lidar com níveis médios de potência, o que significa que pode gerenciar uma quantidade moderada de energia sem sobrecarga.Esse recurso o torna um componente confiável para uma variedade de circuitos, onde você não precisa de potência extremamente alta, mas ainda exige algo mais do que um transistor de baixa potência.
Esse transistor opera com segurança dentro de limites definidos, o que garante desempenho consistente em diferentes configurações.Você pode confiar que ele permanecerá estável e confiável, especialmente quando você estiver trabalhando em projetos que exigem operação constante e ininterrupta.
O 2N3055 possui um transistor PNP complementar, o MJ2955, que permite projetar circuitos que precisam de transistores NPN e PNP.Isso oferece flexibilidade ao criar projetos de circuitos equilibrados, onde ambas as polaridades são necessárias para uma operação eficiente.
Com uma baixa tensão de saturação do coletor-emissor, o 2N3055 reduz a quantidade de tensão perdida no transistor quando está no estado "on".Isso melhora a eficiência, minimizando a perda de energia, o que pode ser particularmente útil em aplicações sensíveis à energia.
Se você estiver preocupado com o impacto ambiental, apreciará que o 2N3055 esteja disponível em pacotes sem chumbo.Isso a torna uma opção mais segura para projetos em que a redução de materiais nocivos é uma prioridade.
O transistor oferece um ganho de corrente CC (HFE) de até 70, o que significa que pode ampliar efetivamente as correntes de entrada.Isso torna o 2N3055 adequado para aplicações em que é necessária uma forte amplificação de corrente, ajudando você a alcançar mais com menos informações.
A linearidade aprimorada do 2N3055 garante que ele opere de uma maneira mais previsível e consistente.Isso é especialmente benéfico quando você o usa em circuitos amplificadores, onde a precisão e a estabilidade são essenciais para a saída de qualidade.
O 2N3055 pode lidar com até 60v DC entre o coletor e o emissor, que expande sua utilidade em circuitos que operam em tensões mais altas.Isso permite que você use o transistor em aplicações de energia mais exigentes, sem se preocupar com as limitações de tensão.
Com uma corrente máxima de colecionador de 15A, o 2N3055 é capaz de gerenciar correntes mais altas, tornando -o ideal para aplicações de energia, onde cargas maiores precisam ser controladas.Essa capacidade atual garante que o transistor possa lidar com tarefas mais exigentes sem ser danificado.
O transistor foi projetado para lidar com até 7V DC na base e emissor, oferecendo proteção contra tensão excessiva.Esse recurso aumenta a durabilidade do transistor e ajuda a prevenir a falha devido a condições de tensão excessiva na junção do emissor base.
Você pode aplicar uma corrente base de até 7a DC ao 2N3055, o que é útil para circuitos onde é necessária uma unidade de base mais alta.Esse recurso permite mais flexibilidade em seus projetos, principalmente ao lidar com cargas maiores ou circuitos mais complexos.
O 2N3055 pode suportar até 100V DC entre o colecionador e a base, o que o torna adequado para circuitos que exigem maior tolerância à tensão.Esse recurso garante que você possa usá-lo em uma ampla gama de aplicativos de alta tensão com segurança.
Este transistor opera em uma ampla faixa de temperatura, de -65ºC a +200ºC.Isso significa que você pode usá -lo em ambientes com temperaturas extremas, quente ou frio, sem se preocupar com problemas de desempenho devido ao superaquecimento ou congelamento.
O 2N3055 pode se dissipar até 115W, permitindo que ele gerencie uma quantidade significativa de energia sem superaquecimento.Esse recurso é particularmente útil para aplicações famintas de energia, garantindo que o transistor permaneça legal mesmo sob cargas pesadas.
Especificações técnicas, atributos, parâmetros e partes comparáveis relacionadas ao STMicroelectronics 2N3055.
Tipo | Parâmetro |
Montar | Montagem do chassi, através do buraco |
Tipo de montagem | Montagem do chassi |
Pacote / caso | TO-204AA, TO-3 |
Número de pinos | 2 |
Peso | 4.535924G |
Material do elemento transistor | SILÍCIO |
Tensão de quebra do coletor-emitidor | 60V |
Número de elementos | 1 |
hfe min | 20 |
Temperatura operacional | 200 ° C TJ |
Embalagem | Bandeja |
Código JESD-609 | E3 |
Código PBFree | sim |
Status da peça | Obsoleto |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (ilimitado) |
Número de terminações | 2 |
Código ECCN | Ear99 |
Acabamento terminal | TIN (SN) |
Tensão - DC nominal | 60V |
Dissipação máxima de energia | 115W |
Posição terminal | FUNDO |
Forma terminal | PIN/PEG |
Classificação atual | 15a |
Número da peça base | 2N30 |
Contagem de pinos | 2 |
Tensão | 60V |
Configuração do elemento | Solteiro |
Atual | 15a |
Dissipação de energia | 115W |
Conexão de caso | COLETOR |
Aplicação do transistor | Comutação |
Ganhe produto de largura de banda | 3MHz |
Polaridade/tipo de canal | Npn |
Tipo de transistor | Npn |
Tensão do emissor de colecionador (VCEO) | 60V |
Corrente do coletor máximo | 15a |
Ganho atual de CC (HFE) (min) @ IC, VCE | 20 @ 4A 4V |
Corrente - Corte de colecionador (MAX) | 700μA |
VCE Saturação (Max) @ ib, IC | 3V @ 3.3a, 10a |
Frequência de transição | 3MHz |
Tensão máxima de quebra | 100V |
Tensão da base do coletor (VCBO) | 100V |
Tensão da base do emissor (vebo) | 7V |
Vcesat-max | 3 v |
Altura | 8,7 mm |
Comprimento | 39,5 mm |
Largura | 26,2 mm |
Alcance SVHC | Sem svhc |
Endurecimento da radiação | Não |
Status do ROHS | ROHS3 compatível |
Chumbo livre | Chumbo livre |
Número da peça | Descrição | Fabricante |
BDX10 | Power Bipolar Transistor, 15A I (C), CEO de 60v V (Br), 1 elemento, NPN, silício, para-204aa, metal, 2 pinos, hermético selado, metal, 3, 2 pinos | TT Resistores Eletrônicos |
2N3055A | Power Bipolar Transistor, 15A I (C), CEO de 60v V (Br), 1 elemento, NPN, silício, para-204aa, metal, 2 pinos, 3, 2 pinos | Motorola Semiconductor Products |
Jantx2N3055 | Transistor | Vishay Hirel Systems |
2N3055R1 | 15a, 60v, npn, Si, transistor de poder, para 204aa, hermético selado, metal, para 3, 2 pinos | TT Electronics Power e Hybrid / Semelab Limited |
2N3055G | 15 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor, TO-204 (TO-3), 100-FRAY | Em semicondutor |
2N3055E3 | Transistor bipolar Power, 15A I (C), CEO de 60V V (Br), 1 elemento, NPN, Silicon, TO-204AA, Metal, 2 pinos | Microsemi Corporation |
Jantxv2N3055 | Power Bipolar Transistor, 15A I (C), CEO de 70V V (Br), 1 elemento, NPN, Silicon, To-3, Metal, 2 pinos, To-3, 2 pinos | Soluções semicondutores de Cobham |
2N3055Ar1 | Power Bipolar Transistor, 15A I (C), CEO de 60v V (Br), 1 elemento, NPN, silício, para-204aa, metal, 2 pinos, hermético selado, metal, 3, 2 pinos | TT Resistores Eletrônicos |
2N3055AG | 15A, 60V, NPN, SI, Power Transistor, TO-204AA, ROHS Compatiant, Caso 1-07, TO-3, 2 pinos | Rochester Electronics LLC |
BDX10C | Transistor bipolar Power, 15A I (C), 60V V (BR) CEO, 1 elemento, NPN, silício, To-3, metal, 2 pinos | Semiconduto carmesim |
O 2N3055 pode ser usado em qualquer aplicativo de transistor NPN, mas vamos dar uma olhada em um exemplo simples para entender como ele funciona.Nesse caso, usaremos o 2N3055 como um dispositivo básico de comutação para acionar um motor, seguindo uma configuração comum de emissor.
No circuito, o motor serve como carga e uma fonte de 5V fornece o sinal para ativar o transistor.Um botão atua como o gatilho e para o circuito funcionar, tanto a fonte do gatilho quanto a fonte de energia precisam compartilhar um terreno comum.Você também usará um resistor de 100 OHM para limitar a corrente que flui para a base do transistor.
Quando o botão não é pressionado, nenhum fluxo de corrente na base do transistor.Nesse estado, o transistor atua como um circuito aberto, o que significa que a tensão de alimentação completa, V1, está do outro lado do transistor.
Quando você pressiona o botão, a tensão V2 cria um loop fechado com a base e o emissor do transistor.Isso permite que a corrente flua para a base, ligando o transistor.Nesse estado, o transistor age como um curto -circuito, deixando a corrente fluir através do motor, o que faz com que ele gire.O motor continuará girando enquanto a corrente base estiver presente.
Depois de soltar o botão, a corrente base para, desligando o transistor.No estado off, o transistor remonta ao seu estado de alta resistência, interrompendo a corrente do colecionador e fazendo com que o motor também parasse.
Este exemplo mostra como o 2N3055 pode ser usado como um sistema de comutação para controlar um motor usando um botão simples.Você pode aplicar esse mesmo método a outros circuitos usando o 2N3055.
O 2N3055 é ideal para uso em circuitos de comutação de energia.Sua capacidade de lidar com potência média e alta corrente o torna uma escolha adequada para alternar grandes cargas com eficiência.Esteja você construindo um circuito simples de comutação ou algo mais complexo, esse transistor pode lidar com a tarefa de maneira confiável.
Nos circuitos do amplificador, o 2N3055 brilha devido ao seu bom ganho de corrente e linearidade aprimorada.Isso a torna uma ótima opção quando você deseja ampliar sinais com distorção mínima, garantindo que a saída seja clara e consistente.Esteja você trabalhando com sinais de áudio ou outros tipos de amplificação, esse transistor tem um bom desempenho.
Quando usado em aplicações de modulação de largura de pulso (PWM), o 2N3055 atua como um interruptor confiável.Sua capacidade de lidar com correntes altas significa que ele pode gerenciar com eficiência a comutação necessária nas configurações do PWM, garantindo uma operação suave em aplicações como controle do motor ou regulação de energia.
O 2N3055 é um ótimo ajuste para os circuitos reguladores, onde ajuda a gerenciar e controlar a tensão em seu sistema.Ao manter as tensões estáveis de saída, ajuda a proteger componentes sensíveis das flutuações de tensão, garantindo a longevidade e a confiabilidade de seus projetos.
Você pode usar o 2N3055 em fontes de alimentação em modo de comutador (SMPs), onde sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões o torna uma opção sólida para gerenciar a energia com eficiência.Esteja você construindo um suprimento de alta potência ou algo mais modesto, o 2N3055 garante uma conversão de energia eficiente.
Na amplificação do sinal, o 2N3055 pode efetivamente aumentar os sinais mais fracos.Isso o torna útil em aplicativos como amplificação de áudio ou radiofrequência.A boa linearidade e o ganho atual do transistor garantem que o sinal amplificado permaneça claro e forte, sem perda significativa de qualidade.
Escurecido. | mm (min.) | mm (tip.) | mm (máx.) | polegada (min.) | polegada (tip.) | polegada (máx.) |
UM | 11 | - | 13.1 | 0,433 | - | 0,516 |
B | 0,97 | 1.15 | - | 0,038 | 0,045 | - |
C | 1.5 | - | 1.65 | 0,059 | - | 0,065 |
D | 8.32 | - | 8.92 | 0,327 | - | 0,351 |
E | 19 | - | 20 | 0,748 | - | 0,787 |
G | 10.7 | - | 11.1 | 0,421 | - | 0,437 |
N | 16.5 | - | 17.2 | 0,649 | - | 0,677 |
P | 25 | - | 26 | 0,984 | - | 1.023 |
R | 4 | - | 4.09 | 0,157 | - | 0,161 |
U | 38.5 | - | 39.3 | 1.515 | - | 1.547 |
V | 30 | - | 30.3 | 1.187 | - | 1.193 |
O 2N3055 é fabricado pela Stmicroelectronics, uma empresa bem estabelecida na indústria de semicondutores.A Stmicroelectronics é conhecida por fornecer soluções semicondutores que são usadas em muitos dispositivos e sistemas eletrônicos atualmente.Sua experiência em projetar e fabricar componentes baseados em silício permite que eles produzam produtos confiáveis que são usados em diferentes aplicações.Esteja você construindo algo pequeno ou grande, os produtos da STMicroeletronics são projetados para fornecer desempenho consistente, e seu conhecimento na tecnologia de semicondutores ajuda a impulsionar os avanços no campo.
O 2N3055 é um transistor de potência NPN de silício usado para aplicações de uso geral.Foi introduzido pela primeira vez no início dos anos 1960 pela RCA.Inicialmente, ele usou um processo hometaxial, mas foi posteriormente atualizado para um processo de base epitaxial na década de 1970.Seu nome segue o sistema de numeração JEDEC e permaneceu popular por décadas devido à sua versatilidade.
O 2N3055 é um transistor de potência NPN de uso geral, fabricado usando o processo de base epitaxial e alojado em uma caixa de metal selada.Ele foi projetado para várias tarefas, incluindo sinais de comutação e amplificação em circuitos eletrônicos.Você pode usá -lo em diferentes configurações, dependendo das necessidades do seu projeto.
O 2N3055 é comumente usado em um circuito regulador de 12V DC como um regulador de tensão em série.Isso significa que a corrente de carga flui através do transistor em série.Por exemplo, em um circuito regulador, você pode inserir uma fonte de CC não regulamentada de 15V a 20V, e o 2N3055 ajuda a fornecer uma saída estável de 12V na carga.
Um transistor, também conhecido como transistor de junção bipolar (BJT), é um dispositivo semicondutor que controla o fluxo de corrente elétrica.Ao aplicar uma pequena corrente ao chumbo base, você pode controlar uma corrente maior entre o coletor e o emissor, permitindo que o transistor atue como um comutador ou amplificador em um circuito.
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