O 1N5822 é um diodo Schottky conhecido por sua queda de tensão para frente excepcionalmente baixa, tornando -a uma opção favorável para aplicativos que exigem comutação rápida em níveis de corrente reduzidos.Isso oferece uma vantagem nas fontes de alimentação do modo de comutador e conversores DC-DC de alta frequência, onde a eficiência pode afetar o desempenho geral do sistema.Entrada em um pacote DO-201D, este diodo é frequentemente utilizado em operações de baixa tensão e alta frequência, incluindo usos como inversores de baixa tensão, aplicações de rodas livres, proteção de polaridade e carregadores de bateria elegantes.Sua capacidade de transição de estados com facilidade garante perda de energia minimizada, aumentando assim a eficiência dos sistemas que se baseiam nela.
Em aplicações práticas, o design do 1N5822 se destaca em sua capacidade de gerenciar a dissipação térmica, o que geralmente é um desafio em sistemas compactos que exigem alta eficiência.Essa construção permite que ela funcione de maneira confiável em condições variadas, tornando -a uma escolha preferida para protótipos que requerem desempenho constante nas mudanças nos ambientes.A baixa tensão para a frente do diodo é fundamental para ajudar a preservação de energia, o que é principalmente benéfico para manter a energia em dispositivos eletrônicos portáteis.
De uma perspectiva analítica, enquanto o 1N5822 brilha em cenários de baixa tensão, é básico garantir que todo o circuito explore os benefícios de sua queda de tensão baixa.Alinhar cuidadosamente os atributos do diodo com os outros componentes do sistema pode elevar substancialmente o desempenho e a durabilidade do dispositivo.Explorar mais profundamente as eficiências do design pode descobrir estratégias adicionais para explorar completamente o potencial desse componente em aplicações de ponta.
Nome do pino |
Descrição |
Ânodo |
A corrente sempre entra através do ânodo |
Cátodo |
A corrente sempre sai através do cátodo |
Recurso |
Descrição |
Perdas de condução muito pequenas |
Reduz a perda de energia durante a condução |
Perdas de comutação desprezíveis |
Minimiza as perdas durante a troca |
Comutação extremamente rápida |
Permite transições rápidas |
Baixa de tensão para a frente |
Fornece menor perda de energia |
Capacidade de avalanche especificada |
Suporta condições de alta tensão |
Anel de guarda para proteção de sobretensão |
Protege contra danos de sobretensão |
Alta capacidade de onda para a frente |
Lida com alta pula de corrente |
Operação de alta frequência |
Adequado para aplicações de alta frequência |
Solda Dipe 275 ° C máx.10 s, por JESD 22-B106 |
Garante a durabilidade nos processos de solda |
Tipo |
Parâmetro |
Time de entrega da fábrica |
6 semanas |
Montar |
Através do buraco |
Tipo de montagem |
Através do buraco |
Pacote / caso |
Do-201D, axial |
Número de pinos |
2 |
Peso |
4.535924G |
Material do elemento de diodo |
SILÍCIO |
Número de elementos |
1 |
Embalagem |
Fita e caixa (TB) |
Código JESD-609 |
E3 |
Status da peça |
Ativo |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (ilimitado) |
Número de terminações |
2 |
Código ECCN |
Ear99 |
Acabamento terminal |
Matte Tin (SN) - recozido |
Temperatura de operação máxima |
150 ° C. |
Min Temperatura de operação |
-65 ° C. |
Aplicações |
PODER |
Recurso adicional
|
Diodo de roda livre |
Código HTS |
8541.10.00.80 |
Capacitância |
190pf |
Tensão - DC nominal |
40V |
Forma terminal |
ARAME |
Classificação atual |
3a |
Número da peça base |
1n58 |
Contagem de pinos |
2 |
Polaridade |
Padrão |
Configuração do elemento |
Solteiro |
Velocidade |
Recuperação rápida =< 500ns, > 200Ma (io) |
Tipo de diodo |
Schottky |
Atual - vazamento reverso @ vr |
2MA @ 40V |
Corrente de saída |
3a |
Tensão - para a frente (vf) (max) @ se |
525MV @ 3A |
Conexão de caso |
ISOLADO |
Corrente para frente |
3a |
Corrente de vazamento reverso máximo |
2m |
Temperatura operacional - junção |
150 ° C máx |
Corrente máxima de aumento |
80a |
Tensão para a frente |
525mv |
Tensão reversa máxima (DC) |
40V |
Corrente retificada média |
3a |
Número de fases |
1 |
Corrente reversa de pico |
2m |
Tensão reversa repetitiva máxima (VRRM) |
40V |
Pico de corrente de onda não repetitiva |
80a |
Corrente de surto de avanço máximo (ifsm) |
80a |
Temperatura de junção máxima (TJ) |
150 ° C. |
Altura |
5,3 mm |
Comprimento |
9,5 mm |
Largura |
5,3 mm |
Alcance SVHC |
Sem svhc |
Endurecimento da radiação |
Não |
Status do ROHS |
ROHS3 compatível |
Chumbo livre |
Chumbo livre |
Número da peça |
Descrição |
Fabricante |
Diodos SR304HA0 |
Diodo do retificador |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodos SR304HB0 |
Diodo do retificador |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodos SR340 |
Diodo do retificador |
Changzhou Starsea Electronics Co Ltd |
Diodos SR304A0 |
3a, 40v, silício, diodo retificador, DO-201D, ROHS
Compatiante, Pacote de Plástico 2 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
Diodos SR304HX0 |
Diodo do retificador |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
1N5822_R2_00001 |
Diodo retificador, Schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40v
(VRRM), silício, DO-201D |
Panjit Semiconductor |
1N5822_AY_00001 |
Diodo retificador, Schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40v
(VRRM), silício, DO-201D |
Panjit Semiconductor |
Diodos SR304X0G |
Diodo retificador, Schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40v
(VRRM), silício, DO-201D, verde, pacote de plástico 2 |
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited |
1N5822_AY_10001 |
Diodo retificador, Schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40v
(VRRM), silício, DO-201D |
Panjit Semiconductor |
1N5822-T3 |
Diodo retificador, Schottky, 1 fase, 1 elemento, 3a, 40v
(VRRM), silício, DO-201D, pacote de plástico-2 |
Microeletronics Sangdest (Nanjing) Co Ltd |
Nas estruturas eletrônicas contemporâneas, o diodo Schottky 1N5822 desempenha papéis dinâmicos devido a suas características, como queda de tensão direta baixa e recursos rápidos de comutação, moldando sua adequação a tarefas de baixa tensão e economia de energia.Esses recursos contribuem significativamente para aplicações que envolvem retificação de energia, fixação de tensão e circuitos de proteção, minimizando a perda de energia e a geração de calor.O manuseio de altas densidades de corrente com perda mínima de energia pode influenciar bastante o desempenho do circuito, provocando considerações cuidadosas nas abordagens de design.
O circuito a seguir ilustra o viés direto do diodo 1N5822 para ativar um LED alimentado por uma bateria de 3,7V, mostrando sua eficácia em cenários de baixa tensão.Os diodos Schottky são favorecidos para manter os níveis de tensão de entrada e reduzir a dissipação de energia no diodo, promovendo assim a vida útil mais longa da bateria e o desempenho ideal do LED.Abraçando fatores como gerenciamento térmico e condições de carga são usados ao usar diodos Schottky.A dissipação de calor adequada é gerenciável por meio de dissipadores de calor adequados ou almofadas térmicas.A seleção de um diodo com uma classificação de corrente que atenda às demandas do circuito ajuda a evitar quebras prematuras e aumenta a confiabilidade.A incorporação dessas estratégias eleva a resiliência do circuito e prolonga a durabilidade dos componentes.
Maximizar os benefícios do 1N5822 requer integração de circuito atencioso com precisão.Situar o diodo próximo à fonte de alimentação diminui as perdas da linha, aumentando a eficiência do circuito.Configurar mecanismos de feedback para adaptar as condições de polarização fluidamente otimizar o desempenho em diversos cenários operacionais.Os diodos Schottky são fundamentais em sistemas que exigem comutação rápida e baixa tensão para a frente, como fontes de alimentação em modo de comutador (SMPs) e aplicações de alta frequência, devido à sua proficiência na redução de perdas de comutação.
Os inversores que operam com baixa tensão e alta frequência são fortemente dependentes de componentes eficientes para reduzir as perdas de energia.O diodo 1N5822 se destaca devido à sua baixa queda de tensão para a frente e aos recursos de recuperação rápida.Essas características podem aumentar significativamente a eficiência e a confiabilidade energéticas, principalmente valiosas em dispositivos eletrônicos portáteis, onde a economia de energia é uma prioridade.
Os circuitos de roda livre visam oferecer um caminho de corrente alternativo quando o interruptor principal estiver aberto.O diodo 1N5822 se destaca aqui, ajudando a mitigar as perdas de energia e a suprimir picos de tensão, garantindo assim a estabilidade do circuito.Você pode descobrir que o uso do 1N5822 fornece melhor proteção contra tensões transitórias e estende a vida útil do seu equipamento enquanto produz turbinas eólicas e outros sistemas de energia renovável.
Os conversores CC/CC ganham substancialmente com os recursos rápidos de comutação do 1N5822 e a dissipação de baixa potência.A integração deste diodo leva a maior eficiência e regulação aprimorada de tensão.Você pode observar que seu desempenho robusto ajuda a minimizar o acúmulo de calor - um recurso necessário em placas de circuito densamente embaladas comumente encontradas em dispositivos eletrônicos contemporâneos.
No mundo da detecção de sinal, diodos como o 1N5822 são valorizados por suas características responsivas, aumentando a precisão da detecção de sinais fracos nos circuitos de RF.Isso melhora a comunicação digital, permitindo uma recepção de sinal mais confiável, mesmo com forças flutuantes.
A proteção da polaridade salva o equipamento eletrônico de conexões acidentais de polaridade reversa.O diodo 1N5822 oferece uma solução direta e eficaz, levando a uma diminuição perceptível nas taxas de falha de componentes.Tais resultados enfatizam seu valor na criação de projetos robustos de circuitos.
Os aplicativos de RF exigem a interferência de ruído reduzida e a maior clareza do sinal.O diodo 1N5822 suporta esses requisitos, minimizando a distorção do sinal.Você pode apreciar que a incorporação deste diodo leve a um desempenho aprimorado em sistemas de áudio e comunicação de alta fidelidade, onde o gerenciamento preciso de sinais é usado.
Os circuitos lógicos que exigem componentes de troca rápida se beneficiam dos tempos de troca rápidos do 1N5822.Usando este diodo, os circuitos alcançam tempos de resposta mais rápidos, perigosos em computação em alta velocidade e processamento de dados.Os líderes da indústria sugerem que a incorporação do 1N5822 pode aumentar a velocidade e a eficiência gerais dos sistemas de computação.
As fontes de alimentação com comutação com comutação (SMPs) requerem alta eficiência e confiabilidade.O diodo 1N5822 reduz significativamente a perda de energia durante a operação e melhora o desempenho térmico, ativo para a longevidade dos componentes da fonte de alimentação.Você pode considerar o diodo como instrumental para aumentar a eficiência energética do SMPS, solidificando seu papel nas modernas soluções de gerenciamento de energia.
1N5822 Esboço do pacote
1N5822 Dados mecânicos
Ref. |
Dimensões |
Notas |
|||
Milímetros |
Polegadas |
||||
Min. |
Máx. |
Min. |
Máx. |
1. A liderança diâmetro ▲ D não é Controlado pela Zona E. 2. O comprimento axial mínimo dentro do qual o O dispositivo pode ser colocado com seus cabos dobrados em ângulos retos é de 0,59 "(15 mm) |
|
UM |
9.50 |
0,374 |
|||
B |
25.40 |
1000 |
|||
▲ c |
5.30 |
0,209 |
|||
▲ d |
1,30 |
0,051 |
|||
E |
1.25 |
0,049 |
A Stmicroelectronics se posicionou como um ator líder no estágio global de semicondutores.A empresa é conhecida por sua capacidade excepcional de criar soluções avançadas de silício e sistema.Ao impulsionar os avanços na tecnologia System-on-Chip (SOC), eles fizeram contribuições notáveis para a evolução dos eletrônicos modernos.
Através de sua dedicação à pesquisa e desenvolvimento, a STMicroelectronics refinou projetos para o sistema no chip, integrando vários componentes funcionais em um único chip.Essa inovação oferece não apenas eficiência aprimorada e redução de custos, mas também afeta uma ampla variedade de produtos, abrangendo sistemas de eletrônicos e automotivos de consumo.As proezas que eles exibem nesta arena indica sua dedicação a ultrapassar os limites tecnológicos e a ingenuidade.
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O diodo Schottky 1N5822 é observado por sua queda aproximada de tensão direta aproximada de 0,525 V, contribuindo para suas proezas em circuitos tendenciosos para a frente, permitindo o fluxo de eletricidade eficiente.Este diodo brilha em configurações de troca rápida, exigindo correntes mais baixas, como circuitos de potência de alta frequência.Dentro do mundo das normas da indústria, o diodo é frequentemente escolhido para papéis que exigem perda de energia minimizada e resposta rápida às flutuações elétricas.As aplicações reais destacam sua adepção na conservação de energia durante as mudanças no circuito, aumentando seu apelo no projeto de sistemas elétricos contemporâneos.
Geralmente, os diodos schottky são projetados com uma almofada térmica no cátodo, e não no ânodo.Essa escolha é informada pela maneira como esses diodos reagem ao estresse térmico, o que pode levar a condições térmicas desiguais.A prática padrão implica garantir um dissipador de calor ao cátodo para garantir a dissipação efetiva do calor.As experiências do campo revelam que essa configuração estabiliza a operação de diodo e estende sua vida útil por meio de gerenciamento de calor proficiente.
A substituição de um diodo Schottky 1N5819 por um 1N5822 depende de sua tensão avançada compartilhada (VF) e resistência térmica de junção para ambiental (RTH-JA).No entanto, a corrente de vazamento mais alta do 1N5822 pode influenciar certos usos, especialmente em ambientes sensíveis a vazamentos, como circuitos de potência ou ou poder.Quando se trata de contextos como fontes de alimentação no modo de comutador (SMPs) ou proteção de polaridade reversa, trocá-los é principalmente adequado.No entanto, é preciso considerar as dimensões físicas;A pegada maior do 1N5822 cai em torno de 1,5 mm de diâmetro, necessitando de acomodações de montagem adequadas.Esse entendimento prático destaca a necessidade de alinhar parâmetros mecânicos e elétricos para a substituição de componentes sem costura.
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