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Guia abrangente para o MOSFET IRF530N

O IRF530N, um destaque entre os MOSFETs de potência do canal n, se destaca em aplicativos de gerenciamento de energia graças ao seu design robusto e desempenho eficiente.Entrada em um pacote TO220AB, esse componente encontra uso extensivo em uma variedade de sistemas elétricos e eletrônicos, de controladores de motor a fontes de alimentação e além.Este artigo se aprofunda nas especificações do IRF530N, configuração de pinos e aplicações práticas, oferecendo informações sobre seus pontos fortes operacionais e características únicas.Com sua capacidade de lidar com altas correntes e tensões com eficiência, o IRF530N é uma escolha preferida para você o otimizar o desempenho do circuito e alcançar um gerenciamento confiável de energia na eletrônica moderna.

Catálogo

Visão geral do IRF530N

O IRF530N é um MOSFET de potência do canal n, fechado em um pacote de chumbo de 220ab, adequado para diversas aplicações em vários setores.Aproveitando a tecnologia avançada de silício, pertence à série IR Power MOSFET, atendendo a uma variedade de requisitos em áreas como controle de motor DC, inversores, fontes de alimentação em modo de chave (SMPs), sistemas de raios, interruptores e dispositivos movidos a bateria.Você pode escolher entre montagem de superfície e configurações de orifício, unificado por pegadas padronizadas.

A arquitetura do IRF530N se concentra em fornecer eficiência e confiabilidade, critérios básicos em eletrônicos de energia.ABSONDADE -SE PARA O PERSONHO DE PROPUTO, assume um papel substancial na redução da perda de energia e no gerenciamento de condições térmicas.Ao integrar o IRF530N, os profissionais, frequentemente tirando sua riqueza de experiência, navegam pelas complexidades de equilibrar a velocidade de comutação com restrições térmicas para melhorar o desempenho enquanto protege a estabilidade do sistema.

Layout e configuração do PIN

PIN No.	Descrição
1	Portão
2	Ralo
3	Fonte
Guia	Ralo

Modelo CAD

Símbolo

Pegada

Modelo 3D

Detalhes técnicos

Especificações e atributos técnicos para o NXP USA Inc. IRF530N, 127 MOSFET.

Tipo	Parâmetro
Tipo de montagem	Através do buraco
Pacote / caso	To-220-3
Montagem na superfície	Não
Material do elemento transistor	Silício
Atual - dreno contínuo (id) @ 25 ℃	17a tc
Tensão de condução (Max RDS ON, Min RDS ON)	10V
Número de elementos	1
Dissipação de energia (MAX)	79W TC
Temperatura operacional	-55 ° C ~ 175 ° C TJ
Embalagem	Tubo
Série	Trenchmos ™
Publicado	1999
Código JESD-609	E3
Status da peça	Obsoleto
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminações	3
Código ECCN	Ear99
Acabamento terminal	Tin Matte (SN)
Posição terminal	Solteiro
Temperatura de reflexão de pico (CEL)	Não especificado
Código de conformidade de alcance	Desconhecido
Time @ Peak Refllow Temperature-Max (s)	Não especificado
Contagem de pinos	3
Código JESD-30	R-Psfm-T3
Status de qualificação	Não qualificado
Configuração	Único com diodo embutido
Modo de operação	Modo de aprimoramento
Conexão de caso	Ralo
Tipo de FET	N-canal
Aplicação do transistor	Comutação
Rds em (max) @ id, vgs	110mΩ @ 9A, 10V
VGS (th) (max) @ id	4V @ 1MA
Capacitância de entrada (CISS) (max) @ vds	633pf @ 25V
Carga do portão (QG) (Max) @ VGS	40NC @ 10V
Escorra para a tensão de origem (VDSS)	100V
VGS (máximo)	± 20V
Código JEDEC-95	TO-220AB
Drene a corrente-max (ABS) (ID)	17a
Soldagem de drenagem na resistência-max	0,11Ω
Drenagem pulsada de corrente-max (IDM)	68a
DS de decomposição de tensão-min	100V
Classificação de Energia Avalanche (EAS)	150mj
Status do ROHS	ROHS3 compatível

Características

Recurso	Descrição
Estrutura de células planas	Ampla área de operação segura (SOA)
Ampla disponibilidade	Otimizado para parceiros de distribuição
Qualificação do produto	Qualificado de acordo com o Jedec Standard
Otimização de comutação	Projetado para comutação de aplicativos abaixo <100kHz
Tipo de pacote	Pacote de energia padrão do setor
Classificação atual	Classificação de alta corrente

Vantagens

Longevidade e confiabilidade impressionantes

O MOSFET IRF530N é conhecido por sua capacidade de suportar ambientes desafiadores, florescendo em aplicações que exigem confiabilidade e prolongada vida útil.Você pode procurar desempenho sustentado e durabilidade do produto e geralmente gravitar em direção a esse componente.Em vários sistemas, essas qualidades ajudam a minimizar os esforços de manutenção, reduzindo assim as interrupções nas operações e promovendo um fluxo de trabalho mais estável.

Acessibilidade global extensa

Uma característica notável do IRF530N é sua extensa presença no mercado, fornecendo acesso consistente a esse componente em todo o mundo.Essa acessibilidade facilita sua integração em vários projetos, ajudando a aliviar os atrasos usuais encontrados ao adquirir peças eletrônicas específicas.Esse alcance global também permite que as empresas sigam de perto os cronogramas de produção, aprimorando o gerenciamento de projetos e garantindo a entrega oportuna.

Flexibilidade e adaptabilidade

A adaptabilidade do IRF530N com dispositivos comparáveis ​​oferece flexibilidade de design que é útil durante substituições ou atualizações de componentes, reduzindo o impacto das incertezas da cadeia de suprimentos.É principalmente adepto de lidar com aplicações de alta corrente, tornando-o um ativo valioso em áreas como fontes de alimentação e controle motor.Isso se traduz em desempenho elétrico superior e gerenciamento de energia, aumentando a eficiência e a sustentabilidade ambiental dos sistemas técnicos.

Operação superior em contextos de baixa frequência

O MOSFET IRF530N brilha em cenários de baixa frequência, provando benéficos para aplicações especializadas, onde a precisão da frequência é de menor preocupação.Seu uso em sistemas de amplificação de áudio e regulação de energia enfatiza sua importância, proporcionando estabilidade no desempenho de baixa frequência.Você pode obter um calibre mais alto de qualidade e consistência da saída, integrando o IRF530N, garantindo satisfação e confiabilidade robustas da sua perspectiva.

Aplicações

O MOSFET IRF530N desempenha um papel importante nos circuitos eletrônicos, especialmente em áreas como conversão de DC-DC e fontes de alimentação com comutação.Essas aplicações enfatizam sua adepção no gerenciamento de tarefas de comutação de alta velocidade e no fluxo de energia regulamentando.

Conversão DC-DC

Os conversores DC-DC servem como espinha dorsal de muitos dispositivos eletrônicos, permitindo os ajustes necessários de tensão necessários para atender a várias necessidades operacionais.O IRF530N se destaca nas configurações Buck, Boost e Buck-Boost, mostrando sua adaptabilidade.Um exame mais detalhado revela sua proeza na otimização do consumo de energia, um aspecto ativo dos eletrônicos portáteis.Por exemplo, quando implementado em um módulo regulador de tensão, o IRF530N facilita o controle preciso da tensão com dissipação de energia mínima, aumentando assim a longevidade da bateria dos dispositivos móveis.

Fontes de alimentação com comutação com comutação

No mundo das fontes de alimentação de modo comutadas (SMPs), MOSFETs como o IRF530N são essenciais para suas proezas na conversão com eficiência.O IRF530N, com sua baixa resistência no estado e habilidades rápidas de comutação, minimiza a saída de calor, otimizando a eficiência para ambientes compactos e sensíveis ao calor.As evidências de aplicações industriais indicam que, em cenários em que os requisitos de energia são dinâmicos, o IRF530N pode diminuir as despesas operacionais e reforçar a confiabilidade dos sistemas de energia, garantindo um desempenho consistente em diversas cargas elétricas.

Examinando circuitos elétricos

Dimensões do pacote

Fabricante

Os semicondutores do NXP exemplificaem uma força líder na formação de soluções de conectividade seguras, com as tecnologias de avanço de maneira adequada que aprimoram sutilmente e tranquilizam a simplicidade e a segurança da vida cotidiana.Irmanhado na interseção da inovação e do profundo conhecimento da indústria, a NXP emprega seis décadas de insight para manobrar habilmente através do intrincado domínio das paisagens tecnológicas atuais.Operando em mais de 35 países, a empresa baseia -se nos talentos de 45.000 profissionais dedicados, cada um contribuindo para um tecido organizacional vibrante e engenhoso.A adição de semicondutores de Freescale ao portfólio de negócios da NXP em dezembro de 2015 foi um desenvolvimento tático, aumentando bastante suas proezas tecnológicas.Essa fusão permitiu que o NXP incorporasse uma gama mais ampla de especialização, especialmente para refinar sua proficiência em domínios de tecnologia automotiva, de consumidores e industriais.Essa fusão reflete um padrão maior da indústria, onde a combinação de diversas compreensão tecnológica desempenha um papel dinâmico na manutenção de uma posição competitiva.