Alfinete |
Descrição |
1 |
Base |
2 |
Emissor |
3 |
Coletor |
O BFS20 é um transistor NPN robusto criado com precisão para aplicações de média frequência.Entrada em um pacote de plástico SOT23, ele se integra perfeitamente a projetos inovadores de circuitos, complementando suas aspirações por soluções com eficiência espacial.Essa embalagem não apenas isola o transistor de maneira eficaz, mas melhora o gerenciamento térmico, um fator que ressoa com aqueles que se esforçam para otimizar o desempenho e a longevidade nos sistemas eletrônicos.
O transistor é marcado por um ganho de corrente moderado emparelhado com uma resposta de frequência finamente sintonizada, adequada para diversas aplicações nos circuitos analógicos e de comutação.Ele facilita a amplificação eficiente do sinal e a comutação perfeita, alinhando -se com a busca do desempenho eletrônico de pico em contextos variados.O talento do BFS20 para essas operações geralmente nasce de opções de design cuidadosas, promovendo a estabilidade e a confiabilidade inabalável.
Na prática, esse transistor da NPN freqüentemente se encontra no coração dos sistemas de gerenciamento de energia, amplificadores de RF e equipamentos de áudio.Oferece uma mistura gratificante de desempenho e acessibilidade, semelhante ao processo artístico de tomada de decisão para atender aos benchmarks detalhados de desempenho, permanecendo conscientes das realidades orçamentárias.Tais práticas enfatizam o equilíbrio intrincado exigido na seleção de componentes na engenharia.
Recurso |
Especificação |
IC (Max) |
25 MA |
VCEO (Max) |
20 v |
Capacitância de feedback |
(Typ.350 ss) (muito baixo) |
O transistor BFS20 é básico para a frequência intermediária (IF) e aplicativos de alta frequência (VHF).Seu desempenho constante suporta seu papel em uma variedade de tecnologias de circuito, dos tipos grossos a finos.Considere comunicações de rádio;O BFS20 garante a integridade do sinal e amplifica sem distorção substancial, aumentando a clareza.Também é utilizado em transmissão de TV e comunicações por satélite para gerenciamento preciso de frequência.
A integração do BFS20 nas tecnologias de circuito de filmes finos e finos aprimora o desempenho em configurações variadas.As tecnologias de filme grosso se beneficiam da durabilidade e eficiência do transistor em contextos de alta potência.Por outro lado, as aplicações de filme fino capitalizam sua precisão, tornando-o ideal para dispositivos eletrônicos compactos.Essa integração geralmente estimula projetos inovadores e estende a vida útil do dispositivo.
• BFS20.235
A Nexperia, lançada em 2017, criou um nicho notável na arena de semicondutores com sua experiência em discreto, lógica e MOSFETs.A empresa mostra suas proezas através de uma capacidade de produção surpreendente de 85 bilhões de unidades anualmente, onde a precisão na qualidade e na eficiência simplificada são dominantes.Um compromisso com os padrões automotivos está sutilmente entrelaçado em seus engenhosos projetos de pequenos pacotes, garantindo energia otimizada e eficiência térmica.
As operações globais da Nexperia cobrem as principais regiões, incluindo Ásia, Europa e EUA, empregando uma força de trabalho talentosa de 11.000 indivíduos.Esse alcance generalizado permite que eles atendam a uma ampla base de clientes, atendendo adequadamente às necessidades localizadas.Uma equipe internacional diversificada fornece uma rica tapeçaria de perspectivas e conhecimento especializado, alimentando a inovação e aprimorando a adaptabilidade da organização.
A ênfase da empresa na tecnologia de embalagem de ponta enfatiza sua busca para redefinir o gerenciamento e a miniaturização de energia.O alinhamento de seus produtos com critérios automotivos rigorosos garante confiabilidade e desempenho, características que ressoam profundamente no exigente setor eletrônico.
Aqui está uma tabela resumindo as especificações do transistor Nexperia USA Inc. BFS20.235.
Tipo |
Parâmetro |
Time de entrega da fábrica |
4 semanas |
Placar de contato |
Estanho |
Montar |
Montagem na superfície |
Tipo de montagem |
Montagem na superfície |
Pacote / caso |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Número de pinos |
3 |
Material do elemento transistor |
Silício |
Tensão de quebra de coletor-emitidor (VCEO) |
20V |
Número de elementos |
1 |
Temperatura operacional |
150 ° C TJ |
Embalagem |
Tape & Reel (TR) |
Série |
Automotivo, AEC-Q101 |
Publicado |
2009 |
Código JESD-609 |
E3 |
Status da peça |
Ativo |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (ilimitado) |
Número de terminações |
3 |
Código ECCN |
Ear99 |
Dissipação máxima de energia |
250mw |
Posição terminal |
Dual |
Forma terminal |
Asa de gaivota |
Temperatura de refluxo de pico |
260 ° C. |
Freqüência |
450MHz |
Time@Peak Refllow Temperature-Max (s) |
40 |
Número da peça base |
BFS20 |
Contagem de pinos |
3 |
Configuração do elemento |
Solteiro |
Dissipação de energia |
250mw |
Ganhe produto de largura de banda |
450MHz |
Polaridade/tipo de canal |
Npn |
Tipo de transistor |
Npn |
Corrente do coletor máximo |
25Ma |
Ganho atual de CC (HFE) (min) @ IC, VCE |
40 @ 7MA, 10V |
Corrente - Corte de colecionador (MAX) |
100na icbo |
Frequência de transição |
450MHz |
Tensão máxima de quebra |
20V |
Tensão da base do coletor (VCBO) |
30V |
Tensão da base do emissor (vebo) |
4V |
Corrente de colecionador contínuo |
25Ma |
Endurecimento da radiação |
Não |
Status do ROHS |
ROHS3 compatível |
Número da peça |
BFS20.235 |
BFR94A, 215 |
MSC2295-BT1G |
MSC2295-CT1G |
MSC2295-CT1 |
Fabricante |
Nexperia EUA Inc. |
NXP USA Inc. |
Em semicondutor |
Em semicondutor |
Em semicondutor |
Montar |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
Pacote / caso |
TO-236-3, SC-59, ... |
TO-236-3, SC-59, ... |
TO-236-3, SC-59, ... |
TO-236-3, SC-59, ... |
TO-236-3, SC-59, ... |
Tensão de quebra de emissor de colecionador |
20 v |
20 v |
20 v |
20 v |
- |
Corrente do coletor máximo |
25 MA |
30 mA |
30 mA |
30 mA |
- |
Frequência de transição |
450 MHz |
150 MHz |
150 MHz |
150 MHz |
- |
Dissipação máxima de energia |
250 MW |
200 MW |
200 MW |
200 MW |
- |
Dissipação de energia |
250 MW |
- |
- |
- |
- |
Tipo de montagem |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
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O BFS20 é um transistor de frequência média NPN alojado em um elegante pacote de plástico SOT23.Essa embalagem compacta simplifica a integração em uma ampla gama de sistemas eletrônicos, garantindo robustez e gerenciamento térmico eficaz.A flexibilidade oferecida pelo pacote SOT23 significa que o BFS20 pode se adaptar perfeitamente a vários projetos de circuitos.Seja usado em eletrônicos de consumo ou sistemas automotivos, sua capacidade de atender às diversas demandas de aplicativos enfatiza sua versatilidade substancial.
Os transistores de junção bipolar (BJTs) desempenham papéis importantes em circuitos eletrônicos, funcionando amplamente como interruptores e amplificadores.Os BJTs se destacam na amplificação do sinal, básico para aumentar a força do sinal.Eles são eficazes na filtragem de ruído, garantindo caminhos de sinal mais limpo.Nas tarefas de retificação de energia, os BJTs gerenciam a conversão e controle das correntes elétricas.Ao controlar o fluxo de corrente através da base, os BJTs modulam correntes maiores entre o emissor e o coletor.Esse controle preciso é valorizado principalmente nos setores de telecomunicações e equipamentos de áudio, onde a manutenção da clareza e força do sinal é de extrema importância.
A base operacional dos transistores de junção bipolar (BJTS) está em suas duas junções P-N, que são planejadas para a amplificação ideal de sinal.Os BJTs consistem em três regiões: a base, colecionador e emissor.A interação dessas regiões facilita o controle eficiente do movimento de elétrons e orifícios.Esse recurso permite a amplificação eficaz do sinal, grave em aplicações como transmissões de rádio e amplificação de áudio.O design da BJTS como dispositivos controlados por corrente mostra um nível avançado de engenharia, alcançando os resultados elétricos desejados com precisão.A maneira como os BJTs gerenciam o fluxo elétrico incorpora uma mistura especializada de refinamento técnico e aplicação prática, garantindo sua funcionalidade em uma infinidade de dispositivos eletrônicos.
em 04/11/2024
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