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Guia para o transistor IRLML6402: Configuração, recursos e folha de dados do PIN

O IRLML6402, desenvolvido pela Infineon Technologies, é um robusto MOSFET HEXFET de canal P, especialmente criado para aplicações que requerem gerenciamento de energia compacto e eficiente.Com um limiar de -20V e alojado no pacote Micro3 (SOT-23) que economiza espaço, este MOSFET combina um forte desempenho elétrico com impacto térmico mínimo, tornando-o ideal para circuitos de pequena escala e alta eficiência.Este artigo explorará seu distinto baixa resistência, controle de limiar preciso, configuração de pinos e amplo potencial de aplicação em eletrônicos de energia.Ao destacar esses recursos, descobriremos como o IRLML6402 aprimora a eficiência, a confiabilidade e a flexibilidade do design do sistema em uma variedade de paisagens tecnológicas.

Catálogo

Visão geral do IRLML6402

O IRLML6402 é um MOSFET HEXFET de canal P projetado para funcionar em -20V.Está envolto em um pacote MICRO3 (SOT-23) elegante e mínimo.Este MOSFET possui orgulhosamente uma resistência impressionantemente baixa em relação às suas dimensões compactas, juntamente com a resiliência e os recursos rápidos de comutação.Esses elementos tornam o MOSFET uma opção versátil para melhorar a eficiência e a confiabilidade em uma ampla gama de contextos, como gerenciamento de bateria, dispositivos portáteis, cartões PCMCIA e placas de circuito impressas compactas.

As técnicas de fabricação de ponta do retificador internacional alcançam uma redução excepcional na resistência.Esse recurso, combinado com o design rápido e o design resistente típico dos MOSFETs HexFET®, oferece um meio valioso para gerenciamento de energia e carga em vários dispositivos.O pacote Micro3, com sua estrutura de chumbo otimizada termicamente, garante que ocupe a menor pegada do setor, aplicações perfeitamente adequadas para o espaço.Seu perfil baixo, medindo abaixo de 1,1 mm, acomoda os designs eletrônicos mais elegantes, proporcionando desempenho térmico superior e gerenciamento de energia.

Nos cenários reais, o IRLML6402 prova seu valor nos sistemas de gerenciamento de bateria, aumentando a longevidade da bateria através da perda de energia minimizada.Igualmente em dispositivos portáteis, seu tamanho mínimo e desempenho eficaz desempenham um papel na prolongamento da vida útil e da confiabilidade do dispositivo.Para os envolvidos no design do sistema eletrônico, a integração desses componentes pode aliviar significativamente o fluxo de trabalho, garantindo que os dispositivos funcionem dentro dos parâmetros térmicos ideais.

Configuração do pino

Modelos CAD

Símbolo

Pegada

Visualização 3D

Características do IRLML6402

Recurso	Descrição
Tipo	MOSFET de canal P.
Pacote	Pegada SOT-23
Perfil	Baixo perfil (<1.1mm)
Embalagem	Disponível em fita e carretel
Comutação	Comutação rápida
Conformidade	Sem chumbo, sem halogênio
Tensão de drenagem na fonte (VDS)	-20V
Tensão portão a fonte (VGs)	± 12V
Na resistência (RDS (ON))	80mΩ em VGS -2,5V
Dissipação de energia (PD)	1,3W a 25 ° C.
Corrente de drenagem contínua (ID)	-3.7a em VGS -4,5V e 25 ° C
Faixa de temperatura de junção operacional	-55 ° C a 150 ° C.
Fator de derratação térmica	0,01W/° C.

Especificações técnicas

Tecnologias Infineon IRLML6402TR Tabela de especificações e atributos.

Tipo	Parâmetro
Tipo de montagem	Montagem na superfície
Pacote / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Montagem na superfície	SIM
Material do elemento transistor	SILÍCIO
Atual - dreno contínuo (id) @ 25 ℃	3.7a ta
Número de elementos	1
Temperatura operacional (máx.)	150 ° C.
Embalagem	Fita de corte (CT)
Série	HEXFET®
Publicado	2003
Código JESD-609	E3
Status da peça	Obsoleto
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminações	3
Código ECCN	Ear99
Acabamento terminal	Tin Matte (SN)
Recurso adicional	Alta confiabilidade
Posição terminal	DUAL
Forma terminal	Asa de gaivota
Temperatura de reflexão de pico (CEL)	260
Time @ pico reflow temp-max (s)	30
Código JESD-30	R-PDSO-G3
Status de qualificação	Não qualificado
Configuração	Único com diodo embutido
Modo de operação	Modo de aprimoramento
Tipo de FET	Canal P.
Aplicação do transistor	Comutação
Rds em (max) @ id, vgs	65mΩ @ 3.7a, 4.5V
VGS (th) (max) @ id	1.2V a 250μA
Capacitância de entrada (CISS) (max) @ vds	633pf @ 10V
Carga do portão (QG) (Max) @ VGS	12NC @ 5V
Escorra para a tensão de origem (VDSS)	20V
Código JEDEC-95	TO-236AB
Drene a corrente-max (ABS) (ID)	3.7a
Soldagem de drenagem na resistência-max	0,065Ω
Drenagem pulsada de corrente-max (IDM)	22a
DS de decomposição de tensão-min	20V
Classificação de Energia Avalanche (EAS)	11 MJ
Dissipação de energia-max (ABS)	1.3W
Status do ROHS	Compatível não-RHS

Diagrama de blocos

Informações sobre fita e carretel

Aplicações

3C DISPOSITIVOS DIGITAL

Na esfera do 3C (computador, comunicação, consumidor) dispositivos digitais, o IRLML6402 aumenta intensamente a eficiência energética e a capacidade de resposta do dispositivo.Smartphones, laptops e câmeras digitais, por exemplo, dependem de transistores de baixa tensão para aumentar a duração da bateria e otimizar o desempenho.Isso leva a experiências aprimoradas, evidentes nos recursos de multitarefa perfeitos dos dispositivos atuais.A experiência mostrou que, através da seleção estratégica de componentes, os fabricantes alcançam uma harmonia entre o uso de energia e a durabilidade do dispositivo.

Eletrônica médica

Em eletrônicos médicos, o IRLML6402 se destaca por sua confiabilidade e precisão.Instrumentos como máquinas portáteis de ultrassom e sistemas de monitoramento de pacientes requerem leituras precisas sob cargas variáveis, onde uma fonte de alimentação estável é crucial.As informações de aplicações práticas indicam que o uso de componentes resistentes não apenas melhora os recursos do dispositivo, mas também promove a confiança nos avanços médicos.

Internet das Coisas (IoT)

A Internet das Coisas está reformulando paisagens de tecnologia, com o IRLML6402 desempenhando um papel importante.À medida que os dispositivos de IoT se multiplicam em casas e indústrias inteligentes, o gerenciamento eficiente de energia se torna uma obrigação.Esse componente ajuda a reduzir o uso de energia e aumentar a conectividade e a capacidade de resposta.As observações sugerem que uma estratégia coesa para o consumo de energia, juntamente com o design inovador, promove dispositivos que não são apenas eficazes, mas também promovem a sustentabilidade.

Novas soluções de energia

Em novas soluções de energia, como inversores solares e controladores de turbinas eólicas, o IRLML6402 ajuda na conversão e gerenciamento eficazes de energia.À medida que o mundo se inclina para a energia renovável, o uso de dispositivos que minimizam as perdas de energia podem acelerar a transição.Os aprendizados práticos indicam que o aumento da eficiência do sistema contribui significativamente para a conservação de energia e a confiabilidade do sistema, enfatizando o papel de tais componentes nos esforços de sustentabilidade.

Sistemas de bateria

A compatibilidade do IRLML6402 com diversos sistemas de bateria, como íons de lítio e hidreto de níquel-metal, é digno de nota.É útil para sistemas de gerenciamento de bateria que precisam de controle preciso sobre os processos de carregamento e descarga.Os cenários reais destacam o significado da escolha dos transistores apropriados para prolongar a duração da bateria, garantindo a segurança.Essa compreensão exata das tecnologias de bateria impulsiona as seleções de design que levam a um desempenho aprimorado e satisfação de suas expectativas.

Gerenciamento de carga

Para gerenciamento de carga, o IRLML6402 oferece benefícios notáveis ​​no controle da distribuição de energia entre os circuitos.Ele facilita a alocação de energia eficiente, evitando sobrecargas do sistema, impedindo falhas.As idéias dos sistemas de distribuição de energia revelam que o gerenciamento estratégico de carga aprimora a resiliência geral do sistema, mostrando a capacidade do componente de apoiar a distribuição de energia equilibrada.

Eletrônica portátil

Em eletrônicos portáteis, o design leve e compacto do IRLML6402 permite configurações inovadoras de produtos sem sacrificar o desempenho.Os wearables e os carregadores portáteis se beneficiam de recursos rápidos de comutação, culminando no menor consumo de energia.As experiências de design demonstram que atender às suas preferências pode orientar a escolha e o arranjo ideais de componentes dentro dos produtos.

Cartões PCMCIA

Nos aplicativos da placa PCMCIA, o IRLML6402 aumenta as opções de conectividade, mantendo a utilização mínima de energia.Essa flexibilidade é ativa para dispositivos que exigem alta largura de banda e adaptabilidade.O avanço contínuo da tecnologia de comunicação exige componentes que possam acompanhar o progresso rápido, ilustrando a vantagem da seleção de componentes sábios.

Placas de circuito conscientes do espaço

Para projetos de placas de circuito preocupados com o espaço, o IRLML6402 é adequado, dado o prêmio no setor imobiliário.Sua eficiência permite densidades de desempenho mais altas, uma necessidade em eletrônicos compactos.A adaptação dos layouts da placa de circuito mostra que o planejamento meticuloso e a escolha dos componentes podem produzir dispositivos menores e mais poderosos sem comprometer a função.

Aplicativos de comutação CC

Em aplicativos de comutação CC, o IRLML6402 se destaca, oferecendo soluções de comutação rápidas e confiáveis.Suas características operacionais podem levar a projetos de circuitos superiores que aumentam a velocidade e a eficiência.As observações de campo sugerem que o entendimento da troca de demandas permite a criação de circuitos que atendem às suas expectativas e maximizando a eficácia operacional.

Comutação de carga

O papel do IRLML6402 na comutação de carga destaca sua flexibilidade.Garante controle eficaz sobre a distribuição de energia em vários sistemas, ativa para a integridade do sistema.As anedotas da indústria indicam que a otimização da comutação de carga pode resultar em uma economia de energia considerável e vida útil prolongada, reforçando seu significado na eletrônica contemporânea.

Pacote

Fabricante

Em 1º de abril de 1999, os semicondutores da Siemens experimentaram uma rebranding transformadora, adotando o nome Infineon Technologies.Essa mudança representou um compromisso significativo com a competitividade no cenário de microeletronics em constante evolução.A Infineon emergiu como designer e fabricante de destaque, apresentando um portfólio diversificado de produtos criados para várias aplicações, incluindo dispositivos lógicos, circuitos integrados de sinal misto e analógicos e ofertas discretas de semicondutores.

O setor de microeletrônicos é definido por um ciclo constante de inovação, impulsionado pela crescente demanda por soluções eletrônicas avançadas.A Infineon demonstra uma consciência aguda da dinâmica atual do mercado, concentrando -se em segmentos de crescimento graves, como eletrônicos automotivos, automação industrial e Internet das Coisas (IoT).As empresas que efetivamente aproveitam tecnologias emergentes, incluindo IA e aprendizado de máquina, geralmente se encontram em uma posição vantajosa para evoluir e florescer.Os investimentos direcionados da Infineon em pesquisa e desenvolvimento são uma prova de sua ambição de liderar a acusação na criação de inovações de semicondutores de próxima geração.