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~~em 22/10/2024~~

IRF1010E N-CANAL MOSFET: Especificações, equivalentes e folha de dados

O IRF1010E é um tipo de MOSFET de aprimoramento de canais n que se destaca no mundo dos componentes eletrônicos.Esta visão abrangente tem como objetivo explorar os meandros do IRF1010E, oferecendo informações sobre seu uso e especificações técnicas.Vários componentes, como semicondutores, capacitores, resistores e ICs, são onipresentes, cada um desempenhando papéis únicos e.Entre estes, os MOSFETs de aprimoramento de canais N, como o IRF1010E, contribuem para a eficiência e a confiabilidade de vários circuitos eletrônicos.Suas aplicações extensas abrangem sistemas de gerenciamento de energia, tecnologia automotiva e várias operações de comutação.

Catálogo

1. IRF1010E Visão geral

2. IRF1010E PILOUT

3. Irf1010E Símbolo, pegada e modelo CAD

4. IRF1010EPBF Especificações

5. Como implementar o IRF1010E MOSFET?

6. Operação e uso IRF1010E

7. Recursos do IRF1010E MOSFET

8. Aplicações do IRF1010E

9. IRF1010E embalagem

10. Informações do fabricante IRF1010E

Visão geral do IRF1010E

O IRF1010E é um MOSFET de aprimoramento de canais N que se destaca em aplicações de comutação de alta velocidade.Seu design minimiza a resistência durante a operação, tornando-o um dispositivo controlado por voltagem de alta eficiência, onde a tensão da porta regula seu estado de comutação.Essa operação simplificada desempenha um papel em inúmeras aplicações eletrônicas, garantindo baixa perda de energia e alto desempenho.

IRF1010E Modelos comparáveis

• IRF1010EPBF

• IRF1010EZPBF

• IRF1018EPBF

• IRF1010NPBF

• RFP70N06

• IRF1407

• IRFB4110

• IRFB4110G

• IRFB4115

• IRFB4310Z

• IRFB4310ZG

• IRFB4410

• RFP70N06

IRF1010E PILOUT

IRF1010E N-Channel MOSFET Pinout

Número do pino	Nome do pino	Descrição
1	PORTÃO	Atua como o terminal de controle, modulando o fluxo de corrente entre o dreno e a fonte.Use em aplicativos de comutação que exigir controle preciso sobre o tempo e a precisão.
2	RALO	Serve como ponto de saída para a corrente que flui através do MOSFET, geralmente conectado à carga.O design ao redor do ralo, incluindo Estratégias de resfriamento para eficiência.
3	FONTE	O ponto de entrada para a corrente, normalmente conectado ao caminho do solo ou retorno.O gerenciamento eficaz é necessário para o dispositivo Confiabilidade e desempenho de ruído.

IRF1010E Símbolo, pegada e modelo CAD

IRF1010E Symbol

IRF1010E Footprint

IRF1010E 3D Model

IRF1010EPBF Especificações

O IRF1010E da Infineon Technologies apresenta especificações técnicas e inclui atributos como classificações de tensão, manuseio de corrente e características térmicas.O IRF1010EPBF compartilha especificações semelhantes, adequadas para usos comparáveis em circuitos eletrônicos.

Tipo	Parâmetro
Montar	Através do buraco
Classificação atual	3.4 a
Número de pinos	3
Material do elemento transistor	SILÍCIO
Dissipação de energia (MAX)	20 w
Temperatura operacional (min)	-55 ° C.
Temperatura operacional (máx)	150 ° C.
Status da peça	Ativo
Configuração	SOLTEIRO
Terminais	Axial
Rdson (em resistência)	0,025 ohm
Classificação atual (Max)	4.2 a
Teste de tensão - rds (on)	5V
Aplicação do transistor	Comutação
Polaridade	N-canal
Ganho (hfe/ß) (min) @ ic, vce	50 @ 2.5a, 10V
VCE Saturação (Max) @ ib, IC	1.6V @ 3.2a, 5V
Corrente de drenagem contínua (ID)	3.4a
VGS (TH) (tensão do limite do portão)	2.0-4.0V
Corrente de drenagem (MAX)	4.2a
TOTAL GATE CARGA (QG)	72 NC
Tempo de subida	70ns
Tempo de outono	62ns
Tensão - limiar de portão (VGS)	4V
Portão para a tensão de origem (MAX)	20V
Drenar para a resistência à fonte	0,02 ohm
Tensão nominal	40V
Largura	4,19mm
Altura	4,57 mm
Radiação endurecida	Não
Pacote	TO-220A
Alcance SVHC	Não
ROHS compatível	Sim
Chumbo livre	Sim

Como implementar o IRF1010E MOSFET?

O IRF1010E se destaca em comutação de alta velocidade, para cargas de potência média.Sua resistência de ativação notavelmente baixa minimiza as quedas de tensão e reduz a perda de energia, tornando-a uma escolha ideal para aplicações precisas e exigentes.Os cenários que exigem eficiência excepcional se beneficiam muito desse recurso.A eficiência nos sistemas de gerenciamento de energia pode ser observada através da otimização do uso de energia pelo IRF1010E.Como reduz a perda de energia, esse MOSFET facilita as menores necessidades de dissipação térmica e aumenta a estabilidade geral do sistema.Isso é vantajoso em ambientes com espaço limitado e opções de refrigeração.Sua implementação em sistemas avançados de energia demonstra aplicações práticas, como o equilíbrio dinamicamente as cargas de energia e a possibilidade de uma vida útil operacional mais longa para sistemas acionados por bateria.Os controladores motores se beneficiam dos recursos de comutação de alta velocidade do IRF1010E.O controle preciso sobre a dinâmica de comutação garante operações de motor elétrico mais suaves, aprimorando o desempenho e a longevidade.As implementações práticas revelam alcançar maior eficiência de torque e reduzir o desgaste, reduzindo assim os custos de manutenção.

IRF1010E Operação e uso

IRF1010E Application Circuit

No circuito de amostra, um motor atua como a carga e uma unidade de controle administra o sinal do gatilho.Os esforços concertos de resistores, divisores de tensão e o MOSFET garantem o desempenho máximo.Os resistores R1 e R2 formam um divisor de tensão que fornece a tensão da porta necessária.Essa tensão do portão, influenciada pela tensão do gatilho da unidade de controle (V1) e da tensão do limiar do portão do MOSFET (V2), exige precisão para uma resposta precisa do sistema aos sinais de controle.

Os valores de resistor de ajuste fino afetam profundamente a sensibilidade limiar e a eficiência geral do sistema.Em ambientes industriais, onde os motores exigem controle preciso, o ajuste do divisor de tensão impede problemas como acionamento falso ou resposta tardia.Quando a tensão do portão excede o limite, o MOSFET é ativado, permitindo que a corrente flua através do motor, envolvendo -o.Por outro lado, quando o sinal de controle cai, a tensão da porta diminui, desativando o MOSFET e interrompendo o motor.

A velocidade e a eficiência do processo de comutação dependem das variações de tensão da porta.Garantir que transições nítidas aumentem o desempenho e a durabilidade do motor.A implementação de blindagem e filtragem adequadas aumenta a confiabilidade do circuito, principalmente em ambientes flutuantes, como aplicativos automotivos.O papel da unidade de controle é central para a funcionalidade do IRF1010E.Ele fornece a tensão de gatilho que define o nível de tensão da porta para o MOSFET.A manutenção da integridade do sinal de alto controle é necessária, pois flutuações ou ruídos podem levar a um comportamento imprevisível do MOSFET, impactando o desempenho do motor.

Recursos do IRF1010E MOSFET

Tecnologia de processo de ponta

O IRF1010E emprega uma sofisticada tecnologia de processo, que mostra seu desempenho impressionante.Essa tecnologia garante a operação eficiente do transistor em diversas condições, o que é particularmente o uso em aplicações de semicondutores que exigem precisão e confiabilidade.Esse avanço aprimora a durabilidade e a vida útil do MOSFET.

Notavelmente baixa em resistência

Uma característica definidora do IRF1010E é sua resistência excepcionalmente baixa (RDS (ON)).Esse recurso mitiga as perdas de energia durante a operação, aumentando assim a eficiência.Torna-se especialmente uso em domínios sensíveis à energia, como veículos elétricos e sistemas de energia renovável, onde a eficiência de energia é uma prioridade.A diminuição da resistência também resulta em geração de calor reduzida, melhorando o gerenciamento térmico do sistema.

Classificação DV/dt elevada

O IRF1010E se destaca com uma alta classificação de DV/dt, mostrando sua capacidade de lidar com as flutuações de tensão rápidas.Essa característica é ótima em cenários de troca rápida, onde o MOSFET deve responder rapidamente sem a degradação do desempenho.Essa capacidade de DV/DT alta é vantajosa em eletrônicos de energia, garantindo a estabilidade e o desempenho do sistema, mesmo sob condições rápidas de comutação.

Temperatura operacional robusta de 175 ° C

A capacidade de operar em temperaturas de até 175 ° C é outra qualidade de destaque do IRF1010E.Os componentes que mantêm a confiabilidade em temperaturas elevadas são benéficas em ambientes exigentes, como máquinas industriais e motores automotivos.Esse recurso não apenas amplia a gama de aplicativos do MOSFET, mas também aprimora sua vida útil operacional.

Capacidade de comutação rápida

A capacidade rápida do IRF1010E é um atributo central avaliado em inúmeras aplicações modernas.Sua comutação rápida aprimora a eficiência geral do sistema e o desempenho para aplicativos, como fontes de alimentação de computador e sistemas de controle de motor.Aqui, a troca rápida leva a menor consumo de energia e maior capacidade de resposta.

Classificação de avalanche

Com uma classificação completa de avalanche, o IRF1010E pode suportar pulsos de alta energia sem causar danos, sustentando sua robustez.Esse atributo é usado em aplicativos propensos a surtos de tensão inesperados, garantindo a confiabilidade e a durabilidade do MOSFET.Isso o torna uma escolha ideal para um amplo espectro de aplicações eletrônicas de energia.

Design sem chumbo ambientalmente amigável

A construção sem chumbo do IRF1010 se alinha aos padrões e regulamentos ambientais contemporâneos.A ausência de chumbo é benéfica das perspectivas ecológicas e de saúde, garantindo a conformidade com as rigorosas diretrizes ambientais globais e facilitando seu uso em várias regiões.

Aplicações do IRF1010E

Switching Applications

O IRF1010E brilha em várias aplicações de comutação.Sua baixa capacidade de resistência e alta capacidade promove um desempenho eficiente e confiável.Esse componente é necessário em sistemas que exigem comutação rápida para aumentar a eficiência geral.Sua aptidão para lidar com energia substancial o torna uma opção atraente para configurações de alta demanda, como data centers e máquinas industriais, onde a rápida resposta e confiabilidade são ótimas.

Unidades de controle de velocidade

Nas unidades de controle de velocidade, o IRF1010E é avaliado quanto ao manuseio contínuo de altas tensões e correntes.Ele se mostra ideal para controlar motores em diversas aplicações de equipamentos industriais automotivos a precisão.Outros relataram melhorias notáveis na resposta e eficiência motoras, resultando em modulação de velocidade mais suave e precisa.

Sistemas de iluminação

O IRF1010E também se destaca em sistemas de iluminação.É benéfico nos drivers de LED onde o controle atual é ótimo.A incorporação desse MOSFET aprimora a eficiência energética e estende a vida útil das soluções de iluminação, tornando -a uma escolha popular em ambientes comerciais e residenciais.Este MOSFET está intimamente associado à moderna tecnologia de iluminação que economiza energia.

Aplicativos PWM

Os aplicativos de modulação de largura de pulso (PWM) se beneficiam muito dos recursos e eficiência de comutação rápida do IRF1010E.A implementação desses MOSFETs em sistemas como inversores de energia e amplificadores de áudio garante controle de sinal de saída preciso, aumentando o desempenho.Isso aumenta a estabilidade do sistema com operação consistente e confiável.

Retransmíssimo drivers

Em aplicações de condução de relé, o IRF1010E fornece controle e isolamento atuais para operações eficazes de relé.Sua durabilidade e confiabilidade o tornam adequado para aplicações sérias de segurança, como sistemas de controle automotivo e industrial.O uso prático mostra que esses MOSFETs aumentam a durabilidade do sistema e reduzem as taxas de falha em ambientes exigentes.

Fontes de alimentação no modo de comutação

As fontes de alimentação em modo de comutador (SMPS) se beneficiam muito com o uso do IRF1010E.Esses MOSFETs contribuem para maior eficiência e dissipação de calor reduzida, aumentando o desempenho geral das fontes de alimentação.Os atributos do IRF1010E o tornam um componente principal para fornecer energia estável e confiável a uma variedade de dispositivos eletrônicos.

IRF1010E embalagem

IRF1010E Package

Informações do fabricante do IRF1010E

A Infineon Technologies, nascida dos semicondutores da Siemens, consolidou seu lugar como inovador de destaque na indústria de semicondutores.A expansiva linha de produtos da Infineon inclui circuitos integrados digital, de sinal misto e analógicos (ICS), juntamente com uma variedade diversificada de componentes semicondutores discretos.Essa vasta gama de produtos torna o Infineon influente em vários domínios tecnológicos, como aplicações automotivas, de controle de energia industrial e segurança.A Infineon Technologies, continua a liderar sua inovadora espírito e extensa gama de produtos.Seus esforços são importantes no avanço das tecnologias com eficiência energética, mostrando uma profunda compreensão da dinâmica do mercado e direções futuras.

PDF da folha de dados

Perguntas frequentes [FAQ]

1. Qual é a configuração do PIN do IRF1010E?

A configuração do pino IRF1010E MOSFET inclui:

Pino 3: Fonte (comumente conectado ao solo)

Pino 2: dreno (ligado ao componente de carga)

Pino 1: Portão (serve como gatilho para ativar o MOSFET)

2. Que condição operar o IRF1010E?

Considere essas especificações ao operar o IRF1010E:

Tensão máxima da fonte de drenagem: 60V

Corrente de drenagem contínua máxima: 84a

Corrente de drenagem pulsada máxima: 330A

Tensão máxima da fonte de porta: 20V

Faixa de temperatura operacional: até 175 ° C

Dissipação de energia máxima: 200W

Por favor, use a versão em inglês como a versão oficial

IRF1010E N-CANAL MOSFET: Especificações, equivalentes e folha de dados

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