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Dominando o BFW10 30V N-CANNAL JFET

No mundo dos componentes eletrônicos, o transistor JFET BFW10 N-canal se destaca como um dispositivo versátil para amplificação e comutação de sinal.Construído com a tecnologia robusta de semicondutores, este transistor oferece controle eficiente do fluxo de corrente através de seus terminais de portão, fonte e drenagem, tornando -o ideal para aplicações onde a precisão e o baixo ruído são essenciais.Seu design exclusivo, semelhante a uma "torneira" para o fluxo de elétrons, garante manuseio de sinal preciso, aprimorando a clareza de áudio, modulação de sinal e oscilação de frequência.Com aplicativos que variam de amplificação de áudio a receptores de FM e TV, a adaptabilidade do BFW10 em vários circuitos o torna uma escolha valiosa para você buscar um desempenho confiável em sistemas eletrônicos.

Catálogo

Visão geral do JFET do BFW10 n-canal

Construído a partir do material semicondutor, o BFW10 é um transistor JFET versátil de canal n, projetado para a amplificação e comutação de sinais e energia.Ele se conecta a circuitos externos por meio de pelo menos três terminais e gerencia o fluxo de corrente ajustando a tensão ou a corrente entre eles, amplificando a entrada para uma saída maior.A operação dos eixos JFET do canal n no controle do fluxo de corrente com um campo elétrico.Aqui, o terminal do portão desempenha um papel importante, semelhante a uma torneira que regula o fluxo de elétrons entre a fonte e o dreno, permitindo a amplificação eficiente do sinal do transistor.

Pinout

Classificações máximas do BFW10

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão de fonte de drenagem	Vds	30	VDC
Tensão de portão de drenagem	VDG	30	VDC
Tensão de fonte de portão reversa	VGSR	-30	VDC
Corrente do portão para a frente	IGF	10	MADC

Especificações técnicas

Tipo	Parâmetro
Montagem na superfície	NÃO
Temperatura operacional (máx.)	175 ° C.
Código de conformidade de alcance	não_compliant
Polaridade/tipo de canal	N-canal
Tecnologia FET	JUNÇÃO
Dissipação de energia-max (ABS)	0,25W
Status do ROHS	Compatível não-RHS

Características

Recurso	Especificação
Designador de tipo	BFW10
Tipo de transistor	JFET
Tipo de canal de controle	N-canal
Dissipação de energia máxima (PD)	0,3 w
Tensão máxima da fonte de drenagem (VDS)	30 v
Tensão máxima da fonte de porta (VGs)	30 v
Corrente máxima de drenagem (ID)	0,01 a
Temperatura de junção máxima (TJ)	150 ° C.
Resistência máxima na fonte de drenagem (RDS)	500 ohm
Pacote	TO-72

Aplicações

O BFW10 opera como um resistor de variável de tensão altamente adaptável.É utilizado em amplificadores operacionais para ajustar a resposta de ganho e frequência, garantindo a saída desejada.Nos controladores de tom, ele ajusta com precisão a saída de áudio modificando os níveis de frequência, aumentando a clareza e o equilíbrio de som.Quando incorporado aos circuitos lógicos, o BFW10 é fundamental para gerenciar as vias de sinal e os níveis de tensão, influenciando a dinâmica de tomada de decisão do circuito.

Nos sistemas de receptor FM e TV, o BFW10 desempenha um papel ativo nos misturadores.Ele combina sinais em várias frequências, facilitando a desmodulação suave e aumentando a clareza do sinal.Esse componente é fundamental para reduzir a interferência, um obstáculo frequente no processamento de sinal.Muitas vezes, você pode depender de sua precisão para preservar a transmissão clara, demonstrando uma ampla compreensão das interações eletrônicas de componentes.

Diagramas de circuito

Equivalentes

• PTF10149

• RJK0234DNS

• SPP100N06S2-05

• SPB100N06S2-05

• SSM5N03FE

• STK0260D

• SWD5N65K

• VN10KLS

• BS170

• BFW11

• CS3N20ATH

• FHP3205

• FS10KM-12

• FS10KM-2

• FTP50N20R

• JCS12N65T

• JCS12N65CT

Usos de transistores JFET

JFETS, ou "transistores de efeito de campo de junção", desempenham um papel importante nos circuitos eletrônicos, valorizados por suas propriedades distintas.Ao contrário dos MOSFETs, os JFETs não incorporam óxido de porta, levando a uma corrente mais alta da porta.Esse recurso fornece benefícios exatos em determinadas situações, especificamente quando são necessárias distinções sutis de desempenho.O design do JFETS é adaptado para tarefas que enfatizam a amplificação de baixo ruído.Sua estrutura, desprovida do óxido da porta, facilita vantagens específicas, elevando -as em áreas que exigem operação silenciosa.

Amplificação de baixo ruído

Em ambientes onde a sensibilidade é o centro de desempenho, os JFETs brilham, reduzindo o ruído de 1/f, um desafio frequentemente presente em baixas frequências.Sua adequação para instrumentos de precisão e processamento de sinal analógico é bem reconhecido.Você pode escolher frequentemente JFETs para manuseio de ruído excepcional em equipamentos de áudio e ferramentas precisas de medição.

Agindo como grandes resistências

Operando no modo de depleção, os JFETs servem como resistores substanciais, análogos às suas contrapartes do MOSFET.Seu papel em aplicativos como interruptores analógicos, que exigem resistência estável, é reconhecido.Essa capacidade encontra expressão prática em resistores controlados por tensão, aprimorando os projetos em atenuadores e misturadores.

Dimensões

Fabricante

A Texas Instruments, com sede em Dallas, Texas, desempenha um papel fundamental na indústria de semicondutores e circuitos integrados.Firmemente enraizado na inovação tecnológica, eles consistentemente lideram os avanços, transformando nossas interações com dispositivos eletrônicos.Sua extensa presença global oferece uma variedade diversificada de componentes que encontram utilidade em uma infinidade de aplicações.

Uma oferta notável da Texas Instruments é o BFW10, exemplificando sua dedicação a oferecer qualidade e confiabilidade.Sua linha de produtos variada mostra uma aptidão para atender às demandas complexas em vários setores, como eletrônicos de consumo e sistemas automotivos.Esta evolução do produto destaca não apenas o desenvolvimento tecnológico, mas também os benefícios tangíveis do desempenho e da eficiência aprimorados.