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CasaBlogPMV65XP Trench MOSFET: alternativas, pinagem e folha de dados
em 11/11/2024 46

PMV65XP Trench MOSFET: alternativas, pinagem e folha de dados

Este artigo explora o PMV65XP, um MOSFET compacto de trincheira de canal P de 20 V único que é parte integrante dos designs eletrônicos modernos devido à sua eficiência, desempenho e características de economia de espaço.Nós nos aprofundaremos em sua folha de dados, avaliaremos opções alternativas, examinaremos sua pinagem e fornecemos informações adicionais pertinentes ao PMV65XP.As seções subsequentes discutirão suas considerações de design, plano de construção avançado e várias aplicações práticas.

Catálogo

1. O que é o PMV65XP?
2. Configuração do pino PMV65xp
3. PMV65XP Símbolo, pegada e modelo CAD
4. Recursos do PMV65xp
5. Aplicações do PMV65xp
6. Alternativas para PMV65xp
7. Especificações técnicas pmv65xp
8. Pacote para PMV65xp
9. Informações do fabricante do PMV65xp
PMV65XP Trench MOSFET

O que é o PMV65XP?

O PMV65XP Representa um exemplo elegante de um transistor de efeitos de campo (FET) de canal P (FET), aninhado dentro de um elegante revestimento de plástico SOT23.Aproveitando o poder da tecnologia avançada de MOSFET, esse modelo traz uma sensação de confiabilidade e rapidez à comutação eletrônica.Com sua característica de baixa resistência e recursos rápidos de comutação, ele suporta soberbamente aplicações em eletrônicos, onde a precisão e a eficiência são intrinsecamente valorizadas.Na Trench MOSFET Technology reside um projeto estrutural inovador, com um canal vertical gravado no substrato de silício.Essa mudança de paradigma reduz notavelmente a resistência, aumentando assim a condutividade e minimizando a dissipação de energia durante a operação.Os efeitos práticos se manifestam na duração alongada da bateria para gadgets portáteis e maior eficiência energética nos circuitos de gerenciamento de energia.

Admirado por sua compactação e durabilidade, o pacote SOT23 facilita a inovação nos espaços restritos da placa de circuito.Essa miniaturização se alinha perfeitamente com as demandas de dispositivos eletrônicos contemporâneos, geralmente se traduzindo em versatilidade aumentada de design e despesas de fabricação reduzidas.O PMV65XP encontra um ecossistema próspero em circuitos eletrônicos, particularmente em sistemas de gerenciamento de energia para dispositivos portáteis.Seus atributos exclusivos atendem aos requisitos de desempenho adaptativo desses aparelhos.Dentro da paisagem industrial e estruturas automotivas, o PMV65XP é um modelo de confiabilidade e resistência.Mesmo em meio à imprevisibilidade das variações de tensão, ela oferece constantemente o desempenho.Sua tecnologia de trincheira é adequada para ambientes desafiadores que exigem durabilidade, ilustrando seu papel nas pioneiras soluções industriais inovadoras, afirmando seu valor às partes interessadas que se esforçam pela confiabilidade e pela longevidade.

Configuração do pino PMV65XP

PMV65XP Pinout

PMV65XP Símbolo, pegada e modelo CAD

PMV65XP Symbol

PMV65XP Footprint

PMV65XP CAD Model

Recursos do PMV65xp

• Tensão limite reduzida: a tensão limiar reduzida do PMV65XP desempenha um papel na melhoria da eficiência de energia.Ao ativar uma tensão mais baixa, o dispositivo reduz o desperdício de energia e prolonga a duração da bateria em gadgets portáteis.

• Resistência no estado reduzida: minimizando os auxílios à resistência no estado na redução da perda de energia durante a condução.A baixa resistência no estado do PMV65XP garante a dissipação mínima de energia como calor, aumentando assim a eficiência e prolongando a vida útil do dispositivo, impedindo o superaquecimento.As descobertas de várias aplicações destacam uma conexão direta entre resistência no estado reduzida e melhor desempenho e durabilidade do dispositivo.

• Tecnologia sofisticada de MOSFET de vala: incorporando a tecnologia avançada de MOSFET, o PMV65XP aprimora muito sua confiabilidade e eficiência.Essa tecnologia permite maior densidade de energia e gerenciamento superior do fluxo atual, alinhando-se com as demandas rigorosas dos eletrônicos de última geração.

• Aumento da confiabilidade: a confiabilidade do PMV65XP é um benefício distinto para o objetivo de desenvolver sistemas eletrônicos robustos.No projeto do circuito, a garantia de desempenho estável em condições variadas é frequentemente destacada.Ao oferecer essa confiabilidade, o PMV65XP se torna um componente preferido para aplicações avançadas, como indústrias de telecomunicações e automotivos.

Aplicações do PMV65xp

Conversores DC-DC de baixa potência

Uma aplicação predominante do PMV65XP é encontrada em conversores DC-DC de baixa potência.Esses conversores desempenham um papel no ajuste dos níveis de tensão para atender às demandas de componentes eletrônicos específicos, otimizando o consumo de energia.O PMV65XP se destaca em minimizar as perdas de energia nessa estrutura, consideração para os fabricantes que se esforçam para melhorar a durabilidade e a confiabilidade de seus produtos.Essa ênfase na eficiência reflete as tendências da indústria para desenvolver inovações mais ecológicas e com consciência de energia.

Comutação de carga

Na comutação de carga, o PMV65XP facilita a comutação rápida e confiável de cargas, garantindo funcionalidade suave do dispositivo e adesão aos critérios de desempenho.Isso é particularmente necessário em configurações dinâmicas em que os modos de operação do dispositivo mudam com frequência.O gerenciamento de carga proficiente pode prolongar a vida útil do dispositivo e o desgaste do conto.

Gerenciamento da bateria

Nos sistemas de gerenciamento de bateria, o PMV65XP fornece suporte substancial ao orquestrar a distribuição de energia.Garantir o uso eficiente do uso da bateria o uso prolongado de dispositivos, uma demanda crescente em eletrônicos.Ao ajudar no regulamento e monitoramento dos ciclos de carregamento, o PMV65XP desempenha um papel na proteção da saúde da bateria, influenciando diretamente a satisfação e a competitividade de um dispositivo no mercado.

Dispositivos portáteis de bateria

A implantação do PMV65XP é marcadamente benéfica em dispositivos portáteis de bateria, onde a preservação de energia é necessária.À medida que esses dispositivos buscam uma operação mais longa em reservas de energia finita, o proficiente de gerenciamento de energia do PMV65XP garante a vida útil prolongada da bateria.

Alternativas para PMV65xp

Pmv65xpvl

PMV65XP, 215

PMV65XP Especificações técnicas

Especificações técnicas, características e parâmetros do PMV65XP, juntamente com componentes que compartilham especificações semelhantes às da Nexperia USA Inc. PMV65XPVL.

Tipo
Parâmetro
Time de entrega da fábrica
4 semanas
Pacote / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Material do elemento transistor
SILÍCIO
Tensão de condução (Max RDS ON, Min RDS ON)
1.8V 4.5V
Dissipação de energia (MAX)
480MW TA
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Status da peça
Ativo
Posição terminal
DUAL
Contagem de pinos
3
Código JESD-30
R-PDSO-G3
Modo de operação
Modo de aprimoramento
Aplicação do transistor
Comutação
VGS (th) (max) @ id
900mV a 250μA
Tipo de montagem
Montagem na superfície
Montagem na superfície
SIM
Corrente - dreno contínuo (id) a 25 ° C
2.8a ta
Número de elementos
1
Temperatura operacional
-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Publicado
2013
Número de terminações
3
Forma terminal
Asa de gaivota
Padrão de referência
IEC-60134
Configuração
Único com diodo embutido
Tipo de FET
Canal P.
Rds em (max) @ id, vgs
74m Ω @ 2.8a, 4.5V
Capacitância de entrada (CISS) (max) @ vds
744pf @ 20V
Carga do portão (QG) (Max) @ VGS
7.7NC @ 4V
VGS (máximo)
± 12V
Drene a corrente-max (ABS) (ID)
2.8a
DS de decomposição de tensão-min
20V
Escorra para a tensão de origem (VDSS)
20V
Código JEDEC-95
TO-236AB
Soldagem de drenagem na resistência-max
0,0740OHM
Status do ROHS
ROHS3 compatível

Pacote para PMV65XP

PMV65XP Package

Informações do fabricante do PMV65XP

Desde a sua criação em 2017, a Nexperia se posicionou consistentemente como líder nos setores de semicondutores discretos, lógicos e MOSFET.Suas proezas se traduzem na criação de componentes como o PMV65XP, projetado para atender aos rigorosos critérios automotivos.A adesão a esses critérios garante a confiabilidade e a eficiência que os sistemas automotivos avançados buscam avidamente hoje, ecoando a própria essência do que impulsiona esse domínio tecnológico.A criação de PMV65xp pela Nexperia destaca uma dedicação ao atender aos exigentes requisitos automotivos.Esses requisitos exigem mais do que mera conformidade;Eles precisam de uma requinte ao se ajustar a uma mudança de arenas tecnológicas rapidamente.Através de pesquisas e desenvolvimento inovadores, os componentes do Nexperia garantem que os componentes oferecem gerenciamento superior de energia e mantêm o equilíbrio térmico, mesmo em circunstâncias exigentes.Este método reflete um movimento maior para avaliar a economia de energia e os projetos prontos para o futuro.A evolução e a criação do PMV65xp pela Nexperia representam uma integração perfeita de dedicação em manter altos padrões, compromisso com a energia ideal e a supervisão térmica e uma visão de visão de futuro, de acordo com futuros avanços automotivos.Essa estratégia abrangente os posiciona como uma referência para outros na paisagem semicondutores.

PDF da folha de dados

Pmv65xp, 215 folhas de dados:

Pmv65xp.pdf

Todos os rótulos de dev chgs 2/agosto/2020.pdf

Atualização de embalagem/etiqueta 30/novembro/2016.pdf

Fio de ligação de cobre 18/abril/2014.pdf

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Allelco é um parado único internacionalmente famoso Distribuidor de serviços de compras de componentes eletrônicos híbridos, comprometidos em fornecer serviços abrangentes de compras e cadeia de suprimentos para as indústrias globais de manufatura e distribuição eletrônicas, incluindo as principais fábricas globais de 500 OEM e corretores independentes.
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perguntas frequentes [FAQ]

1. O que define um canal P em um MOSFET?

Dentro de moseados de canal P, os orifícios atuam como as transportadoras primárias que facilitam a corrente dentro do canal, preparando o cenário para a corrente fluir quando ativada.Esse processo desempenha um papel nos cenários em que o controle preciso de energia é desejado, refletindo a intrincada interação de engenhosidade e necessidade técnica.

2. Como um MOSFET de canal P opera?

Para que os MOSFETs de canal P funcionem, é necessária uma tensão de fonte de porta negativa.Essa condição única permite que a corrente navegue no dispositivo em uma direção contrária ao fluxo convencional, uma característica enraizada no design estrutural do canal.Esse comportamento geralmente encontra seu uso em circuitos exigindo altos níveis de eficiência e controle meticuloso, incorporando a busca da otimização e domínio sobre a tecnologia.

3. Por que é chamado de transistor de efeito de campo?

A designação "transistor de efeito de campo" é derivada de seu princípio operacional, que envolve empregar um campo elétrico para influenciar as transportadoras de carga em um canal de semicondutor.Esse princípio mostra a flexibilidade dos FETs em vários contextos eletrônicos de amplificação e comutação, destacando seu papel dinâmico em aplicações tecnológicas modernas.

4. Que variedades de FETs existem?

Os transistores de efeito de campo incluem MOSFETs, JFETs e MESFETs.Cada variante oferece características e benefícios distintos adequados para funções específicas.Essa variedade exemplifica a profundidade da criatividade de engenharia na formação da tecnologia de semicondutores para atender a um amplo espectro de demandas eletrônicas, capturando a essência da adaptabilidade e recursos.

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