O PMV65XP Representa um exemplo elegante de um transistor de efeitos de campo (FET) de canal P (FET), aninhado dentro de um elegante revestimento de plástico SOT23.Aproveitando o poder da tecnologia avançada de MOSFET, esse modelo traz uma sensação de confiabilidade e rapidez à comutação eletrônica.Com sua característica de baixa resistência e recursos rápidos de comutação, ele suporta soberbamente aplicações em eletrônicos, onde a precisão e a eficiência são intrinsecamente valorizadas.Na Trench MOSFET Technology reside um projeto estrutural inovador, com um canal vertical gravado no substrato de silício.Essa mudança de paradigma reduz notavelmente a resistência, aumentando assim a condutividade e minimizando a dissipação de energia durante a operação.Os efeitos práticos se manifestam na duração alongada da bateria para gadgets portáteis e maior eficiência energética nos circuitos de gerenciamento de energia.
Admirado por sua compactação e durabilidade, o pacote SOT23 facilita a inovação nos espaços restritos da placa de circuito.Essa miniaturização se alinha perfeitamente com as demandas de dispositivos eletrônicos contemporâneos, geralmente se traduzindo em versatilidade aumentada de design e despesas de fabricação reduzidas.O PMV65XP encontra um ecossistema próspero em circuitos eletrônicos, particularmente em sistemas de gerenciamento de energia para dispositivos portáteis.Seus atributos exclusivos atendem aos requisitos de desempenho adaptativo desses aparelhos.Dentro da paisagem industrial e estruturas automotivas, o PMV65XP é um modelo de confiabilidade e resistência.Mesmo em meio à imprevisibilidade das variações de tensão, ela oferece constantemente o desempenho.Sua tecnologia de trincheira é adequada para ambientes desafiadores que exigem durabilidade, ilustrando seu papel nas pioneiras soluções industriais inovadoras, afirmando seu valor às partes interessadas que se esforçam pela confiabilidade e pela longevidade.
• Tensão limite reduzida: a tensão limiar reduzida do PMV65XP desempenha um papel na melhoria da eficiência de energia.Ao ativar uma tensão mais baixa, o dispositivo reduz o desperdício de energia e prolonga a duração da bateria em gadgets portáteis.
• Resistência no estado reduzida: minimizando os auxílios à resistência no estado na redução da perda de energia durante a condução.A baixa resistência no estado do PMV65XP garante a dissipação mínima de energia como calor, aumentando assim a eficiência e prolongando a vida útil do dispositivo, impedindo o superaquecimento.As descobertas de várias aplicações destacam uma conexão direta entre resistência no estado reduzida e melhor desempenho e durabilidade do dispositivo.
• Tecnologia sofisticada de MOSFET de vala: incorporando a tecnologia avançada de MOSFET, o PMV65XP aprimora muito sua confiabilidade e eficiência.Essa tecnologia permite maior densidade de energia e gerenciamento superior do fluxo atual, alinhando-se com as demandas rigorosas dos eletrônicos de última geração.
• Aumento da confiabilidade: a confiabilidade do PMV65XP é um benefício distinto para o objetivo de desenvolver sistemas eletrônicos robustos.No projeto do circuito, a garantia de desempenho estável em condições variadas é frequentemente destacada.Ao oferecer essa confiabilidade, o PMV65XP se torna um componente preferido para aplicações avançadas, como indústrias de telecomunicações e automotivos.
Uma aplicação predominante do PMV65XP é encontrada em conversores DC-DC de baixa potência.Esses conversores desempenham um papel no ajuste dos níveis de tensão para atender às demandas de componentes eletrônicos específicos, otimizando o consumo de energia.O PMV65XP se destaca em minimizar as perdas de energia nessa estrutura, consideração para os fabricantes que se esforçam para melhorar a durabilidade e a confiabilidade de seus produtos.Essa ênfase na eficiência reflete as tendências da indústria para desenvolver inovações mais ecológicas e com consciência de energia.
Na comutação de carga, o PMV65XP facilita a comutação rápida e confiável de cargas, garantindo funcionalidade suave do dispositivo e adesão aos critérios de desempenho.Isso é particularmente necessário em configurações dinâmicas em que os modos de operação do dispositivo mudam com frequência.O gerenciamento de carga proficiente pode prolongar a vida útil do dispositivo e o desgaste do conto.
Nos sistemas de gerenciamento de bateria, o PMV65XP fornece suporte substancial ao orquestrar a distribuição de energia.Garantir o uso eficiente do uso da bateria o uso prolongado de dispositivos, uma demanda crescente em eletrônicos.Ao ajudar no regulamento e monitoramento dos ciclos de carregamento, o PMV65XP desempenha um papel na proteção da saúde da bateria, influenciando diretamente a satisfação e a competitividade de um dispositivo no mercado.
A implantação do PMV65XP é marcadamente benéfica em dispositivos portáteis de bateria, onde a preservação de energia é necessária.À medida que esses dispositivos buscam uma operação mais longa em reservas de energia finita, o proficiente de gerenciamento de energia do PMV65XP garante a vida útil prolongada da bateria.
Especificações técnicas, características e parâmetros do PMV65XP, juntamente com componentes que compartilham especificações semelhantes às da Nexperia USA Inc. PMV65XPVL.
Tipo |
Parâmetro |
Time de entrega da fábrica |
4 semanas |
Pacote / caso |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Material do elemento transistor |
SILÍCIO |
Tensão de condução (Max RDS ON, Min RDS ON) |
1.8V 4.5V |
Dissipação de energia (MAX) |
480MW TA |
Embalagem |
Tape & Reel (TR) |
Status da peça |
Ativo |
Posição terminal |
DUAL |
Contagem de pinos |
3 |
Código JESD-30 |
R-PDSO-G3 |
Modo de operação |
Modo de aprimoramento |
Aplicação do transistor |
Comutação |
VGS (th) (max) @ id |
900mV a 250μA |
Tipo de montagem |
Montagem na superfície |
Montagem na superfície |
SIM |
Corrente - dreno contínuo (id) a 25 ° C |
2.8a ta |
Número de elementos |
1 |
Temperatura operacional |
-55 ° C ~ 150 ° C TJ |
Publicado |
2013 |
Número de terminações |
3 |
Forma terminal |
Asa de gaivota |
Padrão de referência |
IEC-60134 |
Configuração |
Único com diodo embutido |
Tipo de FET |
Canal P. |
Rds em (max) @ id, vgs |
74m Ω @ 2.8a, 4.5V |
Capacitância de entrada (CISS) (max) @ vds |
744pf @ 20V |
Carga do portão (QG) (Max) @ VGS |
7.7NC @ 4V |
VGS (máximo) |
± 12V |
Drene a corrente-max (ABS) (ID) |
2.8a |
DS de decomposição de tensão-min |
20V |
Escorra para a tensão de origem (VDSS) |
20V |
Código JEDEC-95 |
TO-236AB |
Soldagem de drenagem na resistência-max |
0,0740OHM |
Status do ROHS |
ROHS3 compatível |
Desde a sua criação em 2017, a Nexperia se posicionou consistentemente como líder nos setores de semicondutores discretos, lógicos e MOSFET.Suas proezas se traduzem na criação de componentes como o PMV65XP, projetado para atender aos rigorosos critérios automotivos.A adesão a esses critérios garante a confiabilidade e a eficiência que os sistemas automotivos avançados buscam avidamente hoje, ecoando a própria essência do que impulsiona esse domínio tecnológico.A criação de PMV65xp pela Nexperia destaca uma dedicação ao atender aos exigentes requisitos automotivos.Esses requisitos exigem mais do que mera conformidade;Eles precisam de uma requinte ao se ajustar a uma mudança de arenas tecnológicas rapidamente.Através de pesquisas e desenvolvimento inovadores, os componentes do Nexperia garantem que os componentes oferecem gerenciamento superior de energia e mantêm o equilíbrio térmico, mesmo em circunstâncias exigentes.Este método reflete um movimento maior para avaliar a economia de energia e os projetos prontos para o futuro.A evolução e a criação do PMV65xp pela Nexperia representam uma integração perfeita de dedicação em manter altos padrões, compromisso com a energia ideal e a supervisão térmica e uma visão de visão de futuro, de acordo com futuros avanços automotivos.Essa estratégia abrangente os posiciona como uma referência para outros na paisagem semicondutores.
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Dentro de moseados de canal P, os orifícios atuam como as transportadoras primárias que facilitam a corrente dentro do canal, preparando o cenário para a corrente fluir quando ativada.Esse processo desempenha um papel nos cenários em que o controle preciso de energia é desejado, refletindo a intrincada interação de engenhosidade e necessidade técnica.
Para que os MOSFETs de canal P funcionem, é necessária uma tensão de fonte de porta negativa.Essa condição única permite que a corrente navegue no dispositivo em uma direção contrária ao fluxo convencional, uma característica enraizada no design estrutural do canal.Esse comportamento geralmente encontra seu uso em circuitos exigindo altos níveis de eficiência e controle meticuloso, incorporando a busca da otimização e domínio sobre a tecnologia.
A designação "transistor de efeito de campo" é derivada de seu princípio operacional, que envolve empregar um campo elétrico para influenciar as transportadoras de carga em um canal de semicondutor.Esse princípio mostra a flexibilidade dos FETs em vários contextos eletrônicos de amplificação e comutação, destacando seu papel dinâmico em aplicações tecnológicas modernas.
Os transistores de efeito de campo incluem MOSFETs, JFETs e MESFETs.Cada variante oferece características e benefícios distintos adequados para funções específicas.Essa variedade exemplifica a profundidade da criatividade de engenharia na formação da tecnologia de semicondutores para atender a um amplo espectro de demandas eletrônicas, capturando a essência da adaptabilidade e recursos.
em 11/11/2024
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