O STP55NF06 é um MOSFET de canal n altamente capaz, notável por lidar com fluxos de corrente consideráveis e permitir ações rápidas de comutação.Demonstra uma eficiência impressionante devido à sua baixa resistência.O dispositivo inicia a condução com uma tensão de portão de 10V e atinge a máxima eficiência a 20V, posicionando-a como um forte candidato para a operação de cargas de alta potência.Seu limiar de portão de 4V garante que funcione bem com os microcontroladores, mas atinge o seu melhor em 10V, suportando corrente contínua de até 27a.Para integrar-se suavemente aos microcontroladores, é aconselhável o envolvimento de um circuito de driver ou um MOSFET de nível lógico, como o 2N7002.A louvável resposta de frequência do dispositivo o torna adequado para conversores DC-DC.
Em aplicações envolvendo MOSFETs como o STP55NF06, é necessário aterrar o portão corretamente para evitar o acionamento não intencional.Como os MOSFETs ativam e desativam com base na tensão, o domínio do gerenciamento de tensão se torna insistente.Muitas vezes, você pode incorporar medidas de proteção adicionais, como diodos zeres, para estabilizar a tensão da porta e a proteção contra surtos de tensão.
A integração com sucesso com os microcontroladores requer a implantação estratégica dos circuitos de motorista.Esses circuitos abordam as diferenças entre a tensão de saída do microcontrolador e as demandas do portão do MOSFET.Uma abordagem comum emprega um driver de mudança de nível para preencher essa lacuna, garantindo interação perfeita entre componentes.
Recurso |
Especificação |
Tipo MOSFET |
N-canal |
Corrente de drenagem contínua (ID) |
35a |
Corrente de drenagem pulsada (pico de identificação) |
50a |
Dreno para a tensão de quebra de origem (VDS) |
60V |
Resistência à fonte de drenagem (RDS) |
0,018 Ω |
Tensão do limite de portão (VGS-TH) |
20V (Max) |
Tempo de subida |
50 ns |
Tempo de outono |
15 ns |
Capacitância de entrada (CISS) |
1300 pf |
Capacitância de saída (COSS) |
300 pf |
Tipo de pacote |
To-220 |
Os sistemas de direção hidráulica em veículos modernos aumentam a precisão e o conforto na direção.O MOSFET STP55NF06 desempenha um papel notável na otimização do uso de uso de energia e tempo de resposta, contribuindo assim para esses aprimoramentos.Os motoristas geralmente relatam uma redução tangível no consumo de combustível, à medida que os sistemas de EPS desenham energia seletivamente, impactando significativamente a eficiência do veículo.
No ABS, o STP55NF06 fornece comutação rápida e eficiente, usada para o controle ideal de frenagem.Sua resiliência de alta temperatura e recursos rápidos de comutação são especialmente benéficos em emergências.Os testes demonstram consistentemente a segurança melhorada, impedindo a trava da roda, confirmando sua eficácia.
Nos sistemas de controle do limpador, o STP55NF06 é básico para operações precisas e confiáveis em várias condições climáticas.Sua capacidade de lidar com cargas variáveis com perda mínima de energia garante uma limpeza eficiente de pára -brisa.Testes extensos em climas diversos prova sua eficácia no aumento da visibilidade e segurança do motorista.
O STP55NF06 aciona motores e compressores em sistemas de controle climático com eficiência excepcional, permitindo um gerenciamento preciso da temperatura dentro dos veículos.Os recursos de economia de energia deste MOSFET reduzem o consumo geral de energia do veículo.As aplicações práticas mostram seu papel na manutenção do conforto e prolongam a duração da bateria.
Os sistemas de portas de energia aproveitam o desempenho consistente do STP55NF06 para operações suaves e confiáveis.A durabilidade do MOSFET em ciclos repetidos garante a longevidade e minimiza a manutenção.O feedback do campo destaca menos falhas, levando a uma maior satisfação e confiança do consumidor em portas automatizadas.
O MOSFET STP55NF06 funciona com eficiência com demandas de tensão modestas, iniciando operação em torno de 4V.Esse recurso se alinha bem com aplicativos que exigem tensões mais baixas.Quando vinculado ao VCC, o portão solicita condução;aterrar ele interrompe a corrente.Se a tensão do portão cair abaixo de 4V, a condução para.Um resistor puxado, normalmente próximo a 10k, garante que o portão permaneça aterrado quando inativo, reforçando a confiabilidade.
Em aplicações práticas, o gerenciamento de tensão estável de porta surge como influente para o desempenho.Em cenários exigindo precisão, a integração dos mecanismos de feedback pode refinar operações, permitindo que os sistemas sustentem a funcionalidade desejada em meio a condições flutuantes.
Para manter o MOSFET envolvido, o portão se conecta à tensão de alimentação.Se a tensão deslizar abaixo de 4V, o dispositivo entrará na região ôhmica, interrompendo a condução.Um resistor puxado, como um resistor de 10k, estabiliza o circuito, mantendo o portão aterrado quando não está ativo, reduzindo os riscos de ativação não intencional de alterações repentinas de tensão.
Tipo |
Parâmetro |
Status do ciclo de vida |
Ativo (último atualizado: 8 meses atrás) |
Time de entrega da fábrica |
12 semanas |
Montar |
Através do buraco |
Tipo de montagem |
Através do buraco |
Pacote / caso |
To-220-3 |
Número de pinos |
3 |
Peso |
4.535924G |
Material do elemento transistor |
SILÍCIO |
Atual - dreno contínuo (id) @ 25 ℃ |
50a tc |
Tensão de condução (Max RDS ON, Min RDS ON) |
10V |
Número de elementos |
1 |
Dissipação de energia (MAX) |
110W TC |
Desligue o tempo de atraso |
36 ns |
Temperatura operacional |
-55 ° C ~ 175 ° C TJ |
Embalagem |
Tubo |
Série |
Stripfet ™ II |
Código JESD-609 |
E3 |
Status da peça |
Ativo |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) |
1 (ilimitado) |
Número de terminações |
3 |
Código ECCN |
Ear99 |
Resistência |
18mohm |
Acabamento terminal |
Tin Matte (SN) |
Tensão - DC nominal |
60V |
Classificação atual |
50a |
Número da peça base |
STP55N |
Contagem de pinos |
3 |
Configuração do elemento |
Solteiro |
Modo de operação |
Modo de aprimoramento |
Dissipação de energia |
30w |
Ligue o tempo de atraso |
20 ns |
Tipo de FET |
N-canal |
Aplicação do transistor |
Comutação |
Rds em (max) @ id, vgs |
18m Ω @ 27.5a, 10V |
VGS (th) (max) @ id |
4V @ 250μA |
Capacitância de entrada (CISS) (max) @ vds |
1300pf @ 25V |
Carga do portão (QG) (Max) @ VGS |
60NC @ 10V |
Tempo de subida |
50ns |
VGS (máximo) |
± 20V |
Tempo de outono (Typ) |
15 ns |
Corrente de drenagem contínua (ID) |
50a |
Tensão limite |
3V |
Código JEDEC-95 |
TO-220AB |
Portão para a tensão de origem (VGs) |
20V |
Drene a corrente-max (ABS) (ID) |
55a |
Drenar para a tensão de decomposição da fonte |
60V |
Drenagem pulsada de corrente-max (IDM) |
200a |
Tensão de fornecimento duplo |
60V |
VGs nominais |
3 v |
Altura |
9.15mm |
Comprimento |
10,4 mm |
Largura |
4,6 mm |
Alcance SVHC |
Sem svhc |
Endurecimento da radiação |
Não |
Status do ROHS |
ROHS3 compatível |
Chumbo livre |
Chumbo livre |
Número da peça |
Fabricante |
Montar |
Pacote / caso |
Corrente de drenagem contínua
(EU IA) |
Atual - dreno contínuo
(ID) a 25 ° C. |
Tensão limite |
Portão para a tensão de origem (VGs) |
Dissipação de energia |
Dissipação de energia-max |
STP55NF06 |
Stmicroelectronics |
Através do buraco |
To-220-3 |
50 a |
50a (TC) |
3 v |
20 v |
30 w |
110W (TC) |
STP65NF06 |
Stmicroelectronics |
Através do buraco |
To-220-3 |
60 a |
60a (TC) |
1 v |
15 v |
110 w |
110W (TC)
|
STP60NF06L |
Stmicroelectronics |
Através do buraco |
To-220-3 |
55 a |
55a (TC) |
2 v |
25 v |
114 w |
114W (TC) |
STP60NF06 |
Stmicroelectronics |
Através do buraco |
To-220-3 |
60 a |
60a (TC) |
4 v |
20 v |
110 w |
110W (TC) |
FDP55N06 |
Em semicondutor |
- |
To-220-3 |
- |
60a (TC) |
- |
- |
- |
110W (TC) |
A stmicroelectronics lidera soluções de semicondutores, apresentando profundo conhecimento em silício e sistemas.Essa experiência os leva a avançar no avanço da tecnologia Sistema sobre Chip (SOC), alinhando-se aos avanços tecnológicos modernos.Sua proficiência em silício cria soluções de alto desempenho e eficiência energética necessárias para várias aplicações.De eletrônicos de consumo a dispositivos industriais, essas soluções impulsionam a rápida evolução das tecnologias conectadas, atendendo à sede de inovações mais inteligentes e sustentáveis.
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