em 16/10/2024 278

O MOSFET BS170 N CANNAL: PILOUT e equivalentes

O MOSFET do canal n BS170 é uma prova dos avanços modernos de semicondutores, conhecidos principalmente por sua eficiência, versatilidade e confiabilidade.Embalado em um formulário compacto para 92, este MOSFET oferece velocidades de comutação notáveis ​​e lida com correntes de até 500mA, tornando-o ideal para várias aplicações, como comutação de alta velocidade, amplificação e operações de baixa tensão.Seja alimentando dispositivos operados por bateria ou dirigindo motores pequenos, o BS170 desempenha um papel importante no aumento do desempenho e eficiência dos sistemas eletrônicos.Neste artigo, exploraremos seus principais aplicativos, atributos técnicos e como ele se integra perfeitamente a diversos designs.

Catálogo

Visão geral do BS170

O BS170, um MOSFET de canal n com um pacote de 92, exemplifica o auge da inovação moderna de semicondutores.Utilizando o processo de DMOS de alta densidade do semicondutor de Fairchild, ele manifesta uma resistência impressionantemente baixa e recursos confiáveis ​​de comutação rápida.Essas características o agitam a uma infinidade de aplicações.Por exemplo, ele gerencia correntes de até 500mA e realiza operações de alta velocidade dentro de 7 nanossegundos notáveis.Portanto, torna-se uma escolha ideal para dispositivos portáteis e equipamentos movidos a bateria, provando que a tecnologia avançada pode enriquecer significativamente nossas vidas diárias.

No mundo das aplicações de troca, o BS170 se destaca devido à sua adepção no gerenciamento de altas correntes com perda mínima de energia.Seu tempo de resposta de alerta promove a eficiência excepcional, uma característica ativa para dispositivos exigidos para executar ciclos rápidos on-off.A alavancagem deste MOSFET em tais cenários eleva a eficiência operacional semelhante à maneira como os sistemas de controle industrial precisos amplificam a produtividade. A excepcional velocidade de comutação do BS170, atingindo o pico em 7 nanossegundos, solidifica seu papel nas aplicações de alta velocidade.Por exemplo, em sistemas de comunicação em que a transferência de dados SWIFT é necessária, a capacidade de troca rápida do MOSFET garante latência reduzida e aumenta a confiabilidade do desempenho.Essa capacidade reflete a otimização dos processos de fluxo de trabalho necessários nas paisagens de negócios competitivas.

Servindo como amplificador, o BS170 atende às necessidades de amplificação de áudio, oferecendo qualidade de som clara e precisa.Além disso, ele se destaca na amplificação geral do sinal, reforçando sinais fracos sem ruído ou distorção substancial.Essa função se assemelha ao aumento da clareza nas comunicações da equipe, garantindo que as instruções sejam compreensíveis e as tarefas sejam executadas com precisão.O BS170 se mostra notavelmente eficaz em aplicações de baixa tensão e corrente, como controle de motor de servo pequeno e motivação de MOSFET de potência.Sua confiabilidade nessas funções pode ser comparada a instrumentos finamente calibrados em experimentos científicos que exigem precisão e margens mínimas de erro, garantindo que as tarefas sejam meticulosamente realizadas sem espaço para erros.

Diagrama de pinagem de BS170

Representação de CAD BS170

Símbolo esquemático

Pegada de PCB

Visualização 3D

Atributos BS170

Recurso	Descrição
Pacote	Para 92
Transistor Tipo	N-canal
Ralo Para obter a tensão (VDS)	60V (Máximo)
Portão Para obter a tensão (VGS)	± 20V (Máximo)
Contínuo Corrente de drenagem (ID)	500mA (Máximo)
Pulsado Corrente de drenagem (ID)	500mA (Máximo)
Poder Dissipação (PD)	830mW (Máximo)
Portão Tensão limite (VGS (th))	0,8V (Mínimo)
Armazenar E temperatura operacional	-55 ° C. a +150 ° C.
Sem PB	Sim
Baixo Offset e tensão de erro	Sim
Facilmente Acionado sem buffer	Sim
Alta densidade Design de células	Minimiza Resistência no estado (RDS (ON))
Tensão Chave de sinal pequeno controlado	Sim
Alto Capacidade de corrente de saturação	Sim
Áspero e confiável	Sim
Rápido Tempo de troca (TON)	4ns

Detalhes técnicos

Tipo	Valor
Fábrica Tempo de espera	11 Semanas
Contato Revestimento	Cobre, Prata, lata
Montar	Através Buraco
Montagem Tipo	Através Buraco
Pacote / Caso	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de pinos	3
Fornecedor Pacote de dispositivo	TO-92-3
Peso	4.535924G
Atual - dreno contínuo (id) @ 25 ℃	500mA Ta
Dirigir Tensão (max rds on, min rds on)	10V
Número de elementos	1
Poder Dissipação (Max)	830mW Ta
Operação Temperatura	-55 ° C ~ 150 ° C. TJ
Embalagem	Volume
Publicado	2005
Papel Status	Ativo
Umidade Nível de sensibilidade (MSL)	1 (Ilimitado)
Resistência	5ohm
Máx Temperatura operacional	150 ° C.
Min Temperatura operacional	-55 ° C.
Tensão - CD com classificação	60V
Atual Avaliação	500mA
Base Número da peça	BS170
Tensão	60V
Elemento Configuração	Solteiro
Atual	5a
Poder Dissipação	830mW
FET Tipo	N-canal
Rds On (max) @ id, vgs	5ohm @ 200Ma, 10V
VGS (TH) (Max) @ id	3V @ 1Ma
Entrada Capacitância (CISS) (Max) @ VDS	40pf @ 10V
Ralo Para obter a tensão (VDSS)	60V
VGS (Max)	± 20V
Contínuo Corrente de drenagem (ID)	500mA
Limite Tensão	2.1V
Portão Para obter a tensão (VGS)	20V
Ralo Para obter a tensão de quebra	60V
Entrada Capacitância	24pf
Ralo para fonte de resistência	5ohm
Rds No máx	5Ω
Nominal VGS	2.1V
Altura	5.33mm
Comprimento	5,2 mm
Largura	4,19mm
ALCANÇAR Svhc	Não Svhc
Radiação Endurecimento	Não
Rohs Status	ROHS3 Compatível
Liderar Livre	Liderar Livre

BS170 substitutos

Número da peça	Descrição	Fabricante
ND2406L-TR1TRANSISTORS	Pequeno Transistor de efeito de campo de sinal, 0,23A I (D), 240V, 1 elemento, N-canal, Silício, semicondutor de óxido de metal FET, TO-226AA, TO-92, 3 pinos	Vishay Siliconix
BSN20BK-Transistores	Pequeno Transistor de efeito de campo de sinal, 0,265a i (d), 60v, 1 elemento, n-canal, Silício, o óxido de metal-óxido FET FET, TO-236AB	Nexperia
VN1310N3P015TRANSISTORS	Pequeno Transistor de efeito de campo de sinal, 0,25a i (d), 100v, 1 elemento, n-canal, Silício, semicondutor de metal-óxido FET, TO-92	Supertex Inc
VN1710LP018TRANSISTORS	Pequeno Transistor de efeito de campo de sinal, 0,22a i (d), 170V, 1 elemento, n-canal, Silício, semicondutor de metal-óxido FET, TO-92	Supertex Inc
MPF6659TRANSISTORS	2000mA, 35V, N-canal, SI, Small Signal, MOSFET, TO-92	Motorola Mobilidade LLC
SST4118T1TRANSISTORS	Pequeno Transistor de efeito de campo de sinal, 1 elemento, canal n, silício, junção FET, Pacote de plástico-3	Calogic Inc
BS208-AMOSTRANSISTORES	TRANSISTOR 200 mA, 200 V, P-canal, SI, Small Signal, MOSFET, TO-92, FET General Pequeno sinal pequeno	Nxp Semicondutores
SD1106DDDTRANSISTORS	Poder Transistor de efeito de campo, canal n, oxidado de metal-óxido FET	Topázio Semicondutor
BSS7728E6327TRANSISTORS	Pequeno Transistor de efeito de campo de sinal, 0,15a i (d), 60v, 1 elemento, n-canal, Silício, semicondutor de óxido de metal FET, SOT-23, 3 pinos	Infineon Technologies AG
2SK1585-T2TRANSISTORS	Pequeno Transistor de efeito de campo de sinal, 1a i (d), 16v, 1 elemento, n-canal, silício, FET semicondutor de óxido de metal, poder, mini molde, SC-62, 3 pinos	Nec Grupo Eletrônico

BS170 equivalentes

2N7000

2N7002

VQ1000J

VQ1000p

IRLML2502

Explorando as aplicações do BS170

O MOSFET BS170 demonstra utilidade notável nas funções de comutação e amplificação, tornando -o um componente básico em diversos designs eletrônicos.

Switching Applications

Lançando cargas de até 500mA, o BS170 é adequado para dispositivos de condução, como relés, LEDs e pequenos motores.Essa capacidade de manipulação de carga é vantajosa em projetos baseados em microcontroladores, principalmente aqueles que usam plataformas como Arduino e Raspberry Pi.A simplicidade de controlar o BS170 com sinais de baixa tensão está em harmonia com as características de saída desses microcontroladores.Essa congruência permite uma integração suave sem necessidade de circuitos de amplificação extras.Em aplicações práticas, muitas vezes você pode recorrer ao BS170 para interface com relés, conceituando métodos para alternar cargas de corrente mais altas com tensão mínima no microcontrolador.Da mesma forma, no gerenciamento de matrizes de LED, o BS170 se destaca na distribuição de energia, garantindo um desempenho consistente e constante.

Aplicações de amplificação

O BS170 também é inestimável em cenários de amplificação, incluindo circuitos de áudio e amplificação de sinal de baixo nível.Sua operação com tensão mínima da porta aumenta a eficiência, ativa para controle preciso sobre os sinais de saída.Essa eficiência é principalmente estimada em dispositivos de áudio, onde a clareza e a fidelidade não podem ser comprometidas.Além disso, a capacidade do BS170 de amplificar sinais de baixo nível encontra aplicação notável em tarefas sensíveis de sensores.Por exemplo, em sistemas de monitoramento ambiental, a necessidade de amplificar sinais fracos a partir de sensores de temperatura ou umidade sem ruído considerável é arriscado.Essa amplificação garante representação precisa dos dados, ajudando a tomada de decisão mais informada.

Análise comparativa com transistores de junção bipolar (BJTS)

Os MOSFETs e os BJTs controlam o fluxo de corrente em circuitos, mas o BS170 destaca diferenças distintas nos mecanismos de controle.Ao contrário dos BJTs, que requerem uma corrente contínua na base para modular a corrente do coletor-emissor, o BS170 precisa de apenas uma pequena tensão de porta.Esse atributo diminui o consumo de energia e simplifica os circuitos lógicos de controle.

Saídas do microcontrolador

Os microcontroladores freqüentemente exigem um intermediário para acionar várias cargas, dadas as suas saídas lógicas limitadas.O BS170 atende a essa necessidade, aceitando entradas de baixa tensão e fornecendo saídas de corrente mais altas.Essa extensão da capacidade é um pouco como usar um adaptador para vincular dispositivos incompatíveis, ampliando assim o escopo operacional dos microcontroladores.

Saídas do IC

Quando a interface dos circuitos integrados com os periféricos, o BS170 atua como um buffer para minimizar a carga em saídas sensíveis ao IC.Essa prática é comumente vista na eletrônica para promover a confiabilidade dos sistemas baseados em IC, garantindo que eles corram sem problemas sem estresse indevido nos componentes.

Fortalecimento do sinal

A versatilidade do BS170 brilha em inúmeras aplicações de amplificação de sinal de baixa potência.Isso se mostra útil em telemetria, pequenos circuitos de transmissores e ampliação do sinal analógico.Pense nisso como melhorando um sinal Wi-Fi fraco, onde cada aumento conta para uma melhor conectividade.

Automação industrial (por exemplo, controles de máquina, barreiras leves)

Na automação industrial, a robustez do BS170 é ideal para sistemas de controle de máquina e barreiras de luz.Ele alterna com eficiência cargas altas, garantindo uma operação suave ativa na redução do tempo de inatividade e no aumento da produtividade.Você pode confiar nesses componentes para manter os sistemas funcionando de maneira ideal.

Dispositivos movidos a bateria

Para dispositivos movidos a bateria, são necessários o baixo consumo de energia do BS170 e a alta eficiência.Estende a duração da bateria, minimizando o desperdício de energia.

Relés de estado sólido

Incorporada a muitos relés de estado sólido, o BS170 lida com cargas substanciais com desgaste mecânico mínimo, oferecendo operação silenciosa e maior confiabilidade.Essa função silenciosa e confiável é um ativo notável em ambientes como dispositivos médicos, onde o ruído de comutação mecânica é indesejável.

Drivers de dispositivo (por exemplo, relés, solenóides, lâmpadas)

O BS170 é básico para os drivers de dispositivo para relés, solenóides e lâmpadas.Seus recursos confiáveis ​​de comutação são úteis para manter a integridade operacional, principalmente em aplicações automotivas, onde a robustez e a durabilidade são altamente valorizadas.

Interfaces de nível lógico (TTL/CMOS)

Facilitando a interação entre as famílias lógicas TTL e CMOS, o BS170 garante comunicação perfeita em diferentes circuitos lógicos.Essa integração é ativa em projetos de tecnologia mista, onde a compatibilidade diversificada de componentes e o desempenho do sistema são dominantes.

Utilizando o BS170 para controle de LED

O MOSFET BS170 é a chave para alternar um LED nesta configuração final.Para estabelecer essa configuração, conecte o portão e drene os terminais a uma fonte de energia de 5V DC e conecte o LED ao terminal de origem.Quando um pulso de tensão é aplicado ao portão, o MOSFET é ativado, permitindo que a corrente flua do dreno para a fonte, ligando o LED.A remoção do pulso cessa o fluxo de corrente, extinguindo o LED.

O BS170, um MOSFET de canal n, opera com base no diferencial de tensão entre os terminais de portão e fonte.Os principais fatos operacionais incluem que, quando a tensão de porta a fonte (V_GS) exceder em torno de 2V, o MOSFET entra em seu estado condutor.Essa propriedade garante uma mudança eficiente com perda mínima de energia.Devido a essa eficiência, ele se adapta a aplicativos de baixa tensão, como alternar um LED.

Este circuito final pode evoluir para várias aplicações práticas.Por exemplo, integrando um microcontrolador para regular o pulso da porta.Isso permite que o LED pisque em frequências específicas ou exiba padrões complexos.Tais integrações são universais em projetos eletrônicos, desde indicadores básicos a sistemas de sinalização sofisticados.Projetar circuitos com MOSFETs como o BS170 geralmente exige testes iterativos para aperfeiçoar a tensão do portão para um desempenho confiável.Garantir conexões seguras e uma fonte de alimentação estável aumenta significativamente a confiabilidade do circuito.

Embalagem para BS170

Informações do fabricante

No semicondutor, é uma entidade globalmente influente nos diversos domínios de poder, gerenciamento de sinais, lógica e dispositivos personalizados.Eles atendem a setores que abrangem automotivos, eletrônicos de consumo e assistência médica.Com uma presença estratégica que inclui instalações e escritórios na América do Norte, Europa e Ásia, e sede localizados em Phoenix, Arizona, no semicondutor está pronto para atender às demandas em evolução da indústria.

O compromisso do semicondutor com os avanços tecnológicos é evidente em seu extenso portfólio.Seus produtos formam a espinha dorsal dos projetos automotivos contemporâneos, aprimorando a segurança, a conectividade e a eficiência energética do veículo.Isso se traduz em benefícios tangíveis, como menos acidentes e uma experiência de condução mais suave.

Suas soluções de gerenciamento de sinais desempenham um papel principal na melhoria da eletrônica de consumo, garantindo experiências mais confiáveis ​​e avançadas.Imagine a operação perfeita de seus dispositivos domésticos inteligentes, tudo graças a essas inovações.No setor médico, os dispositivos personalizados do semicondutor facilitam as tecnologias avançadas de saúde, contribuindo para melhores resultados dos pacientes e operações médicas simplificadas - tornando os tratamentos mais eficazes e menos invasivos.

Componentes comparáveis

Número da peça

Fabricante

Montar

Pacote / caso

Escorra para a tensão de origem (VDSS)

Corrente de drenagem contínua (ID)

Corrente - dreno contínuo (id) a 25 ° C

Tensão limite

Rds no máx

Portão para a tensão de origem (VGs)

Dissipação de energia

Dissipação de energia-max

Ver compare

BS170

SOBRE Semicondutor

Através Buraco

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

60V

500 MA

500mA (TA)

2.1 V

5 Ω

20 v

830 MW

830mW (TA)

BS170

BS270

SOBRE Semicondutor

Através Buraco

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

-

400 MA

400mA (TA)

2.1 V

-

20 v

630 MW

625MW (TA)

BS170 Vs BS270

2N7000

SOBRE Semicondutor

Através Buraco

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

60V

200 MA

200Ma (TA)

2.1 V

5 Ω

20 v

400 MW

400mW (TA)

BS170 Vs 2n7000