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Tudo o que você precisa saber sobre o AO4407A MOSFET

O MOSFET AO4407A é um dispositivo de canal P de 30V confiável e eficiente, projetado para aplicações que requerem comutação e controle estáveis.Este artigo abrange seus recursos, especificações, usos comuns e insights sobre seu fabricante, facilitando o entendimento de seu papel em vários sistemas eletrônicos.

Catálogo

Introdução ao AO4407A

O AO4407A é um MOSFET de canal P de 30V, construído para aplicações que requerem eficiência e confiabilidade.Embalado em um formato SOIC-8 padrão, ele utiliza a tecnologia avançada de vala, permitindo que ele atinja menor resistência no estado (RDS ON) e carga reduzida do portão.Esse design ajuda a garantir uma operação mais suave com a perda mínima de energia, tornando-a uma escolha ideal para aplicações de comutação e modulação de largura de pulso (PWM).A classificação de gate de 25V aumenta ainda mais sua versatilidade, permitindo lidar com cargas variadas, mantendo o desempenho consistente.Com seu layout eficiente e construção robusta, o AO4407A se adapta bem às demandas dos sistemas eletrônicos modernos, suportando operação eficiente e de baixa energia em uma variedade de configurações.

AO4407A Configuração do pino

AO4407A Modelo CAD

AO4407A Símbolo

AO4407A PESTÃO

Modelo AO4407A 3D

Especificações AO4407A

Especificações técnicas, características, características e componentes com especificações comparáveis ​​de Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Tipo	Parâmetro
Montar	Montagem na superfície
Tipo de montagem	Montagem na superfície
Pacote / caso	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largura)
Número de pinos	8
Material do elemento transistor	Silício
Atual - dreno contínuo (id) @ 25 ℃	12a ta
Tensão de condução (Max RDS ON, Min RDS ON)	6V 20V
Número de elementos	1
Dissipação de energia (MAX)	3.1W TA
Temperatura operacional	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Publicado	2013
Status da peça	Não é para novos designs
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)	1 (ilimitado)
Número de terminações	8
Código ECCN	Ear99
Posição terminal	Dual
Forma terminal	Asa de gaivota
Contagem de pinos	8
Configuração	Único com diodo embutido
Modo de operação	Modo de aprimoramento
Dissipação de energia	3.1W
Tipo de FET	Canal P.
Aplicação do transistor	Comutação
Rds em (max) @ id, vgs	11mΩ @ 12a, 20V
VGS (th) (max) @ id	3V a 250μA
Capacitância de entrada (CISS) (max) @ vds	2600pf @ 15V
Carga do portão (QG) (Max) @ VGS	39NC @ 10V
Escorra para a tensão de origem (VDSS)	30V
VGS (máximo)	± 25V
Corrente de drenagem contínua (ID)	12a
Portão para a tensão de origem (VGs)	25V
DS de decomposição de tensão-min	30V
Endurecimento da radiação	Não
Status do ROHS	ROHS3 compatível
Chumbo livre	Chumbo livre

AO4407A Principais recursos

Tipo de transistor: MOSFET

O AO4407A é um MOSFET de canal P, um tipo de transistor projetado para controlar a corrente, atuando como um interruptor.Sua estrutura permite um controle eficiente sobre o fluxo elétrico, tornando -o altamente adequado à regulação de energia em várias aplicações.

Canal de controle: canal p

Com sua configuração de canal P, o AO4407A opera, permitindo que a corrente flua quando uma tensão negativa é aplicada ao portão.Esse recurso é útil para alternar aplicativos, particularmente em sistemas que se beneficiam de circuitos simplificados.

Dissipação de energia máxima

O AO4407A pode lidar com até 3,1 watts de dissipação de energia.Essa classificação significa que pode operar com segurança em ambientes onde os níveis de energia flutuam, mantendo o desempenho sem superaquecimento ou desperdício de energia.

Tensão máxima da fonte de drenagem

Capaz de suportar até 30 volts entre seus terminais de drenagem e fonte, este MOSFET é adequado para aplicações que exigem mais tolerâncias de tensão, proporcionando flexibilidade em diferentes projetos de circuitos.

Tensão máxima da fonte de porta

O AO4407A pode lidar com uma tensão máxima de fonte de porta de 25 volts.Esse atributo oferece confiabilidade ao trabalhar em circuitos onde as tensões do portão variam, permitindo operação estável sem comprometer a eficiência.

Tensão de limiar de porta

Com uma tensão máxima de limiar de porta de 3 volts, o AO4407A começa a conduzir apenas quando esse limite for atingido.Essa característica garante que apenas seja ativado nas condições apropriadas, impedindo a comutação acidental.

Corrente máxima de drenagem

O AO4407A pode lidar com uma corrente de drenagem máxima de 12 amperes.Essa capacidade o torna adequado para aplicações que exigem corrente moderada a alta, garantindo um desempenho estável e confiável sob carga.

Temperatura máxima da junção

Projetado para operar dentro de uma ampla faixa de temperatura, o AO4407A pode suportar temperaturas de junção de até 150 ° C.Essa resiliência permite funcionar efetivamente em condições ambientais variadas sem degradar seu desempenho.

Tempo de subida

O AO4407A tem um tempo de subida de 9,4 nanossegundos, o que se refere à rapidez com que liga.Esse tempo de resposta rápido o torna uma escolha ideal para aplicações em que o tempo e a eficiência são priorizados, como nos circuitos PWM.

Capacitância de fonte de drenagem

Com uma capacitância de fonte de drenagem de 370 picofarads, este MOSFET gerencia o armazenamento de energia entre esses dois terminais com eficiência.Esse recurso é útil para manter o fluxo de corrente suave e reduzir o ruído em circuitos sensíveis.

Resistência no estado

O AO4407A possui uma resistência no estado de 0,013 ohms, o que ajuda a minimizar a perda de energia durante a operação.Essa baixa resistência aumenta a eficiência, tornando-a adequada para aplicações conscientes da energia, onde a redução da perda de energia é uma prioridade.

Pacote

Embalado em um formato SO-8, o AO4407A é compacto e fácil de integrar em várias placas de circuito.Seu design permite o uso eficiente do espaço, fornecendo flexibilidade para aplicações compactas ou com restrição de espaço.

Equivalentes de AO4407a

• AO4314

• AO4354

• AO4402

• AO4403

• AO4404B

• AO4405

• AO4406A

• AO4407

• IRF530

• AO4409

• AO4410

• AO4411

• AO4413

• AO4415

• AO4419

• AO4420

• AO4421

Aplicações e uso de AO4407A

O AO4407A é adequado para uso como uma chave de carga ou em aplicativos de modulação de largura de pulso (PWM).Abaixo estão alguns detalhes importantes do MOSFET AO4407A P-CANAL:

• Classificação VDS de -30V

• ID de -12a (com VGs em -20V)

• RDS (ON) menos de 11mΩ (com VGs a -20V)

• RDS (ON) menos de 13mΩ (com VGs em -10V)

• RDS (ON) menos de 17mΩ (com VGs em -6v)

• Totalmente testado para troca indutiva não reduzida (UIS)

• Totalmente testado para resistência à porta (RG)

Peças com especificações semelhantes ao AO4407A

As peças à direita têm especificações semelhantes às Alpha & Omega Semiconductor Inc. AO4407A.

Parâmetro	AO4407A	FDS6670A	SI4425DDY-T1-GE3	FDS6679AZ	IRF7821TRPBF
Fabricante	Alpha & Omega Semiconductor	Em semicondutor	Vishay Siliconix	Em semicondutor	Tecnologias Infineon
Montar	Montagem na superfície	Montagem na superfície	Montagem na superfície	Montagem na superfície	Montagem na superfície
Pacote / caso	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largura)	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largura)	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largura)	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largura)	8-SOIC (0,154, 3,90 mm de largura)
Escorra para a tensão de origem (VDSS)	30V	30V	30V	-	-
Corrente de drenagem contínua (ID)	12a	-13a	-13a	13.6a	13a
Corrente - dreno contínuo (id) a 25 ° C	12a (ta)	19.7a (TC)	13A (TA)	13.6a (TA)	13A (TA)
Portão para a tensão de origem (VGs)	25V	20V	25V	20V	-
Dissipação de energia	3.1W	5.7W	2.5W	2.5W	2.5W
Dissipação de energia - Max	3.1W (TA)	2.5W (TA), 5,7W (TC)	2.5W (TA), 5,7W (TC)	2.5W (TA)	2.5W (TA)

AO4407A Dimensões físicas

Sobre o fabricante: Alpha e Omega Semiconductor, Inc.

A Alpha e a Omega Semiconductor, Inc. (AOS) é um desenvolvedor global e fornecedor de semicondutores de energia, conhecido por combinar design inovador de design de dispositivos, tecnologia de processos e experiência em embalagens.A AOS oferece uma ampla gama de MOSFETs de potência e ICs de potência criados para atender à crescente necessidade de eficiência de energia em aplicações de alta demanda.Seus produtos são amplamente utilizados em eletrônicos portáteis, displays de painel plano, baterias, dispositivos de mídia e fontes de alimentação.Com foco na otimização de desempenho e eficiência de custos, a AOS continua apoiando os requisitos em evolução dos mercados de alto volume, fornecendo componentes que aumentam a eficiência e a confiabilidade energéticas em vários dispositivos e tecnologias.

PDF da folha de dados

AO4407A folha de dados:

Ao4407a.pdf

FDS6670A folha de dados:

Fds6670a.pdf

Folha de dados SI4425DDY-T1-GE3:

Si4425ddy-t1-ge3.pdf

FDS6679AZ DATHOTET:

FDS6679AZ.PDF