A Samsung lança 12NM de nível 32 GB DDR5 DRAM, suportando módulos de memória de até 128 GB
De acordo com a WCCFTECH, a Samsung anunciou o lançamento da primeira solução de DRAM DDR5 de 32 GB do mundo, com base na tecnologia de processos de 12nm, que pode suportar até 128 GB de módulos de memória.
Até agora, fabricantes de memória como SK Hynix e Micron forneceram DRAM de 24 GB DDR5, que podem obter uma solução de memória de 96 GB, mas a Samsung aumentou a capacidade em 33,3% com uma solução de nível de 12nm.Ao mesmo tempo, a Micron também confirmou o lançamento do DRAM DDR5 de 32 GB, mas até agora apenas um roteiro foi lançado.
A Samsung anunciou o início da produção em massa do DRAM de 12NM de nível 16GB DDR5 em maio deste ano.O novo DRAM DDR5 de 12 nm de nível 32 GB está planejado para iniciar a produção em massa no final deste ano.
A Samsung afirmou que com um DRAM de 12 nm de nível 32 GB, uma solução que pode atingir até 1 TB de módulos de DRAM pode atender à crescente demanda por DRAM de alta capacidade na era da inteligência artificial.
A Samsung desenvolveu seu primeiro dram de 64kb em 1983 e aumentou com sucesso sua capacidade de DRAM em 500000 vezes nos últimos quarenta anos.
Os mais recentes produtos de memória da Samsung são desenvolvidos usando processos e tecnologias de ponta para melhorar a densidade de integração e otimização do projeto.Eles têm a maior capacidade de chip de DRAM única do setor e fornecem o dobro da capacidade de DRAM DDR5 de 16 GB no mesmo tamanho de embalagem.
Anteriormente, os módulos de DRAM DDR5 128GB fabricados usando DRAM de 16 GB exigiam o uso da tecnologia de silício através do orifício (TSV).Agora, usando o Samsung 32GB DRAM, os módulos de 128 GB podem ser produzidos sem o uso da tecnologia TSV, reduzindo o consumo de energia em cerca de 10% em comparação com os módulos de 128 GB usando DRAM de 16 GB.Esse avanço tecnológico faz deste produto uma das melhores soluções para empresas conscientes da eficiência energética, como data centers.
Com base no DRAM DDR5 de 12 nm de nível 32 GB, a Samsung planeja continuar expandindo sua linha de produtos DRAM de alta capacidade para atender às necessidades atuais e futuras das indústrias de computação e TI.A Samsung reafirmará sua posição de liderança no mercado de DRAM da próxima geração, fornecendo DRAM de 12 nm de nível 32 GB aos clientes em data centers, inteligência artificial e aplicativos de computação de próxima geração.
A Samsung anunciou o início da produção em massa do DRAM de 12NM de nível 16GB DDR5 em maio deste ano.O novo DRAM DDR5 de 12 nm de nível 32 GB está planejado para iniciar a produção em massa no final deste ano.
A Samsung afirmou que com um DRAM de 12 nm de nível 32 GB, uma solução que pode atingir até 1 TB de módulos de DRAM pode atender à crescente demanda por DRAM de alta capacidade na era da inteligência artificial.
A Samsung desenvolveu seu primeiro dram de 64kb em 1983 e aumentou com sucesso sua capacidade de DRAM em 500000 vezes nos últimos quarenta anos.
Os mais recentes produtos de memória da Samsung são desenvolvidos usando processos e tecnologias de ponta para melhorar a densidade de integração e otimização do projeto.Eles têm a maior capacidade de chip de DRAM única do setor e fornecem o dobro da capacidade de DRAM DDR5 de 16 GB no mesmo tamanho de embalagem.
Anteriormente, os módulos de DRAM DDR5 128GB fabricados usando DRAM de 16 GB exigiam o uso da tecnologia de silício através do orifício (TSV).Agora, usando o Samsung 32GB DRAM, os módulos de 128 GB podem ser produzidos sem o uso da tecnologia TSV, reduzindo o consumo de energia em cerca de 10% em comparação com os módulos de 128 GB usando DRAM de 16 GB.Esse avanço tecnológico faz deste produto uma das melhores soluções para empresas conscientes da eficiência energética, como data centers.
Com base no DRAM DDR5 de 12 nm de nível 32 GB, a Samsung planeja continuar expandindo sua linha de produtos DRAM de alta capacidade para atender às necessidades atuais e futuras das indústrias de computação e TI.A Samsung reafirmará sua posição de liderança no mercado de DRAM da próxima geração, fornecendo DRAM de 12 nm de nível 32 GB aos clientes em data centers, inteligência artificial e aplicativos de computação de próxima geração.