Especificações técnicas MPQ2907
Central Semiconductor - MPQ2907 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Central Semiconductor - MPQ2907
Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
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Fabricante | Central Semiconductor | |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 40V | |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 30mA, 300mA | |
Tipo transistor | 4 PNP (Quad) | |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-116 | |
Série | - | |
Power - Max | 650mW | |
Embalagem | Tube | |
Caixa / Gabinete | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | |
Outros nomes | MPQ2907 PBFREE MPQ2907A PBFREE |
Atributo do Produto | Valor do Atributo | |
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Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
Frequência - Transição | 200MHz | |
Descrição detalhada | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 600mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 | |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 300mA, 10V | |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Central Semiconductor MPQ2907
Atributo do Produto | ||||
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Modelo do Produto | MPQ2907 | MPQ2484 | MPQ2907A | MPQ3362GJ-AEC1-Z |
Fabricante | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Central Semiconductor | Monolithic Power Systems Inc. |
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max) | 40V | 40V | 60V | - |
Status sem chumbo / status de RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Contains lead / RoHS non-compliant | Lead free / RoHS Compliant | - |
Embalagem | Tube | Tube | Tube | - |
Atual - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) | 20nA (ICBO) | 50nA (ICBO) | - |
Power - Max | 650mW | 3W | 650mW | - |
Frequência - Transição | 200MHz | 50MHz | 200MHz | - |
Série | - | - | - | MPQ |
Outros nomes | MPQ2907 PBFREE MPQ2907A PBFREE |
- | - | - |
Descrição detalhada | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 40V 600mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 NPN (Quad) 40V 50MHz 3W Through Hole TO-116 | Bipolar (BJT) Transistor Array 4 PNP (Quad) 60V 600mA 200MHz 650mW Through Hole TO-116 | - |
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 30mA, 300mA | - | 1.6V @ 30mA, 300mA | - |
Temperatura de operação | -65°C ~ 150°C (TJ) | - | -65°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 300mA, 10V | - | 50 @ 300mA, 10V | - |
Tipo transistor | 4 PNP (Quad) | 4 NPN (Quad) | 4 PNP (Quad) | - |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | 1 (Unlimited) | - |
Caixa / Gabinete | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | 14-DIP (0.300", 7.62mm) | SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8 |
Atual - Collector (Ic) (Max) | 600mA | - | 600mA | - |
Embalagem do dispositivo fornecedor | TO-116 | TO-116 | TO-116 | TSOT-23-8 |
Tipo de montagem | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Surface Mount |
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Referência de tempo logístico de países comuns | ||
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Região | País | Hora logística (dia) |
América | Estados Unidos | 5 |
Brasil | 7 | |
Europa | Alemanha | 5 |
Reino Unido | 4 | |
Itália | 5 | |
Oceânia | Austrália | 6 |
Nova Zelândia | 5 | |
Ásia | Índia | 4 |
Japão | 4 | |
Médio Oriente | Israel | 6 |
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx | |
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Taxas de remessa (kg) | Referência DHL (USD $) |
0,00kg-1,00kg | USD $ 30,00 - USD $ 60,00 |
1,00kg-2.00kg | USD $ 40,00 - USD $ 80,00 |
2,00kg-3,00 kg | US $ 50,00 - USD $ 100,00 |
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