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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - Single64-2096PBF
64-2096PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

64-2096PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
64-2096PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-64-2096PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Ficha de dados
64-2096PBF.pdf
Disponível: 5150

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas 64-2096PBF
Infineon Technologies - 64-2096PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - 64-2096PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK (7-Lead)  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.8mOhm @ 110A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 75 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)  
Número do produto base IRF2907  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies 64-2096PBF

Atributo do Produto 64-2096PBF FDMS7558S IRFZ44E FW808-M-TL-E
Modelo do Produto 64-2096PBF FDMS7558S IRFZ44E FW808-M-TL-E
Fabricante Infineon Technologies Fairchild Semiconductor Infineon Technologies onsemi
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK (7-Lead) 8-PQFN (5x6) TO-220AB -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7580 pF @ 25 V 7770 pF @ 13 V 1360 pF @ 25 V -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Through Hole -
Série HEXFET® - HEXFET® *
Caixa / Gabinete TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB 8-PowerTDFN TO-220-3 -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc) 2.5W (Ta), 89W (Tc) 110W (Tc) -
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 3V @ 1mA 4V @ 250µA -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 160A (Tc) 32A (Ta), 49A (Tc) 48A (Tc) -
Característica FET - - - -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 75 V 25 V 60 V -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 4.5V, 10V 10V -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V 119 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V -
Número do produto base IRF2907 - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.8mOhm @ 110A, 10V 1.25mOhm @ 32A, 10V 23mOhm @ 29A, 10V -

64-2096PBF PDF da folha de dados

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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O método de pagamento pode ser escolhido entre os seguintes métodos: Transferência Bancária (T/T, Transferência Bancária), União Oeste, Cartão de Crédito, PayPal.

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