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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - matrizesAUIRF7103QTR
AUIRF7103QTR Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

AUIRF7103QTR - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
AUIRF7103QTR
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-AUIRF7103QTR
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
AUIRF7103QTR.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 46330

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas AUIRF7103QTR
Infineon Technologies - AUIRF7103QTR Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - AUIRF7103QTR

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SOIC  
Série Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 130mOhm @ 3A, 10V  
Power - Max 2.4W  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V  
Característica FET -  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 50V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3A  
Configuração 2 N-Channel (Dual)  
Número do produto base AUIRF7103  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies AUIRF7103QTR

Atributo do Produto AUIRF7103QTR AUIRF7313QTR AUIRF7316QTR AUIRF7309QTR
Modelo do Produto AUIRF7103QTR AUIRF7313QTR AUIRF7316QTR AUIRF7309QTR
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
VGS (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V 33nC @ 10V 34nC @ 10V 25nC @ 4.5V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Power - Max 2.4W 2.4W 2W 1.4W
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuração 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
Série Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
RDS ON (Max) @ Id, VGS 130mOhm @ 3A, 10V 29mOhm @ 6.9A, 10V 58mOhm @ 4.9A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número do produto base AUIRF7103 AUIRF7313 AUIRF7316 AUIRF7309
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 255pF @ 25V 755pF @ 25V 710pF @ 25V 520pF @ 15V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 50V 30V 30V 30V
Característica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3A 6.9A - 4A, 3A

AUIRF7103QTR PDF da folha de dados

Faça o download do AUIRF7103QTR PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para AUIRF7103QTR - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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