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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleAUIRFS8407-7P
AUIRFS8407-7P Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

AUIRFS8407-7P - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
AUIRFS8407-7P
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-AUIRFS8407-7P
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Ficha de dados
AUIRFS8407-7P.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 3830

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas AUIRFS8407-7P
Infineon Technologies - AUIRFS8407-7P Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - AUIRFS8407-7P

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO263-7  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.3mOhm @ 100A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 231W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7437 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 240A (Tc)  
Número do produto base AUIRF8407  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies AUIRFS8407-7P

Atributo do Produto AUIRFS8407-7P AUIRFS8408-7P AUIRFS8405 AUIRFS6535TRL
Modelo do Produto AUIRFS8407-7P AUIRFS8408-7P AUIRFS8405 AUIRFS6535TRL
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier Infineon Technologies
Dissipação de energia (Max) 231W (Tc) 294W (Tc) 163W (Tc) 210W (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 225 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 161 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V
Série HEXFET® Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacote Tube Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Número do produto base AUIRF8407 - - AUIRFS6535
Característica FET - - - -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7437 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V 5193 pF @ 25 V 2340 pF @ 25 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.3mOhm @ 100A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 185mOhm @ 11A, 10V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V - 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA 3.9V @ 250µA 3.9V @ 100µA 5V @ 150µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 40 V 40 V 300 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caixa / Gabinete TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO263-7 D2PAK PG-TO263-3 PG-TO263-3
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 240A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc) 19A (Tc)

AUIRFS8407-7P PDF da folha de dados

Faça o download do AUIRFS8407-7P PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para AUIRFS8407-7P - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
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