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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleAUIRFU540Z
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

AUIRFU540Z - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
AUIRFU540Z
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-AUIRFU540Z
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 35A IPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Ficha de dados
AUIRFU540Z.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4320

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas AUIRFU540Z
Infineon Technologies - AUIRFU540Z Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - AUIRFU540Z

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor I-PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 28.5mOhm @ 21A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 91W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 35A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies AUIRFU540Z

Atributo do Produto AUIRFU540Z AUIRFSL8408 AUIRFSL8405 AUIRFZ24NSTRL
Modelo do Produto AUIRFU540Z AUIRFSL8408 AUIRFSL8405 AUIRFZ24NSTRL
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier International Rectifier International Rectifier
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 50µA 3.9V @ 250µA 3.9V @ 100µA 4V @ 250µA
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 59 nC @ 10 V 324 nC @ 10 V 161 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 35A (Tc) 195A (Tc) 120A (Tc) 17A (Tc)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Caixa / Gabinete TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Dissipação de energia (Max) 91W (Tc) 294W (Tc) 163W (Tc) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V - 10V 10V
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Característica FET - - - -
Embalagem do dispositivo fornecedor I-PAK TO-262 TO-262 D-PAK (TO-252AA)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 40 V 40 V 55 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 28.5mOhm @ 21A, 10V 1.6mOhm @ 100A, 10V 2.3mOhm @ 100A, 10V 70mOhm @ 10A, 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1690 pF @ 25 V 10820 pF @ 25 V 5193 pF @ 25 V 370 pF @ 25 V
Pacote Tube Bulk Bulk Bulk

AUIRFU540Z PDF da folha de dados

Faça o download do AUIRFU540Z PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para AUIRFU540Z - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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