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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleAUIRLR3410TRL
AUIRLR3410TRL Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

AUIRLR3410TRL - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
AUIRLR3410TRL
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-AUIRLR3410TRL
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
AUIRLR3410TRL.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 33436

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas AUIRLR3410TRL
Infineon Technologies - AUIRLR3410TRL Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - AUIRLR3410TRL

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3  
Série Automotive, AEC-Q101, HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 105mOhm @ 10A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 79W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)  
Número do produto base AUIRLR3410  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies AUIRLR3410TRL

Atributo do Produto AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TR AUIRLR3915 AUIRLS3034
Modelo do Produto AUIRLR3410TRL AUIRLR3410TR AUIRLR3915 AUIRLS3034
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies International Rectifier
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número do produto base AUIRLR3410 AUIRLR3410 - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3 D-Pak D-PAK (TO-252AA) D2PAK
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4V, 10V 4V, 10V 5V, 10V 4.5V, 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 1870 pF @ 25 V 10315 pF @ 25 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 5 V 34 nC @ 5 V 92 nC @ 10 V 162 nC @ 4.5 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 100 V 55 V 40 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Dissipação de energia (Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 120W (Tc) 375W (Tc)
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tube Bulk
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 17A (Tc) 17A (Tc) 30A (Tc) 195A (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±16V ±16V ±16V ±20V
Característica FET - - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 105mOhm @ 10A, 10V 105mOhm @ 10A, 10V 14mOhm @ 30A, 10V 1.7mOhm @ 195A, 10V
Série Automotive, AEC-Q101, HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®

AUIRLR3410TRL PDF da folha de dados

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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