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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleBSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

BSC011N03LSATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
BSC011N03LSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-BSC011N03LSATMA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 37A/100A TDSON
Descrição detalhada
Embalagem
8-PowerTDFN
Ficha de dados
BSC011N03LSATMA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 56480

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas BSC011N03LSATMA1
Infineon Technologies - BSC011N03LSATMA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - BSC011N03LSATMA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TDSON-8-1  
Série OptiMOS™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.1mOhm @ 30A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc)  
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 37A (Ta), 100A (Tc)  
Número do produto base BSC011  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies BSC011N03LSATMA1

Atributo do Produto BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 BSC012N06NSATMA1
Modelo do Produto BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSTATMA1 BSC010NE2LSIATMA1 BSC012N06NSATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 25 V 60 V
Série OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 3.3V @ 147µA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V
Número do produto base BSC011 BSC011 BSC010 BSC012
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.1mOhm @ 30A, 10V 1.1mOhm @ 30A, 10V 1.05mOhm @ 30A, 10V 1.2mOhm @ 50A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 72 nC @ 10 V 48 nC @ 4.5 V 59 nC @ 10 V 143 nC @ 10 V
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 37A (Ta), 100A (Tc) 39A (Ta), 100A (Tc) 38A (Ta), 100A (Tc) 36A (Ta), 306A (Tc)
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) 214W (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TDSON-8-1 PG-TDSON-8 FL PG-TDSON-8-7 PG-TSON-8-3
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Característica FET - - - -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4700 pF @ 15 V 6300 pF @ 15 V 4200 pF @ 12 V 11000 pF @ 30 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

BSC011N03LSATMA1 PDF da folha de dados

Faça o download do BSC011N03LSATMA1 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para BSC011N03LSATMA1 - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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