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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleBSP297 E6327
BSP297 E6327 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

BSP297 E6327 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
BSP297 E6327
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-BSP297 E6327
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Descrição detalhada
Embalagem
TO-261-4, TO-261AA
Ficha de dados
BSP297 E6327.pdf
Disponível: 4510

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas BSP297 E6327
Infineon Technologies - BSP297 E6327 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - BSP297 E6327

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-SOT223-4  
Série SIPMOS®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.8Ohm @ 660mA, 10V  
Dissipação de energia (Max) 1.8W (Ta)  
Caixa / Gabinete TO-261-4, TO-261AA  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 357 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16.1 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 660mA (Ta)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies BSP297 E6327

Atributo do Produto BSP297 E6327 BSP297L6327 BSP296E6327 BSP296NH6327XTSA1
Modelo do Produto BSP297 E6327 BSP297L6327 BSP296E6327 BSP296NH6327XTSA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipação de energia (Max) 1.8W (Ta) 1.8W (Ta) 1.79W (Ta) 1.8W (Ta)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-SOT223-4 PG-SOT223-4-21 PG-SOT223-4 PG-SOT223-4
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Caixa / Gabinete TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA TO-261-4, TO-261AA
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.8Ohm @ 660mA, 10V 1.8Ohm @ 660mA, 10V 700mOhm @ 1.1A, 10V 600mOhm @ 1.2A, 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 660mA (Ta) 660mA (Ta) 1.1A (Ta) 1.2A (Ta)
Característica FET - - - -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16.1 nC @ 10 V 16.1 nC @ 10 V 17.2 nC @ 10 V 6.7 nC @ 10 V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 357 pF @ 25 V 357 pF @ 25 V 364 pF @ 25 V 152.7 pF @ 25 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 200 V 100 V 100 V
Série SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® OptiMOS™
VGS (th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA 1.8V @ 400µA 1.8V @ 400µA 1.8V @ 100µA
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

BSP297 E6327 PDF da folha de dados

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Custo de entrega

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  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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