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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleBSS214NWH6327XTSA1
BSS214NWH6327XTSA1 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

BSS214NWH6327XTSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
BSS214NWH6327XTSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-BSS214NWH6327XTSA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Descrição detalhada
Embalagem
SC-70, SOT-323
Ficha de dados
BSS214NWH6327XTSA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 440890

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas BSS214NWH6327XTSA1
Infineon Technologies - BSS214NWH6327XTSA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - BSS214NWH6327XTSA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-SOT323  
Série OptiMOS™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 140mOhm @ 1.5A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 500mW (Ta)  
Caixa / Gabinete SC-70, SOT-323  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta)  
Número do produto base BSS214  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies BSS214NWH6327XTSA1

Atributo do Produto BSS214NWH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 BSS214NWH6327 BSS215P H6327
Modelo do Produto BSS214NWH6327XTSA1 BSS215PH6327XTSA1 BSS214NWH6327 BSS215P H6327
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 0.8 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.5 V 0.8 nC @ 5 V 3.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±12V
Característica FET - - - -
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta) 1.5A (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 1.2V @ 3.7µA 1.2V @ 11µA 1.2V @ 3.7µA 600mV @ 11µA
Número do produto base BSS214 BSS215 - -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V 2.5V, 4.5V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caixa / Gabinete SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDS ON (Max) @ Id, VGS 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V 140mOhm @ 1.5A, 4.5V 150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-SOT323 PG-SOT23 PG-SOT323-3-2 PG-SOT23-3-5
Dissipação de energia (Max) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta) 500mW (Ta)
Série OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ 2 OptiMOS™P2
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 143 pF @ 10 V 346 pF @ 15 V 143 pF @ 10 V 346 pF @ 15 V

BSS214NWH6327XTSA1 PDF da folha de dados

Faça o download do BSS214NWH6327XTSA1 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para BSS214NWH6327XTSA1 - Infineon Technologies.

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Região País Hora logística (dia)
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Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
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Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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