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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleBSS84PH6327XTSA2
BSS84PH6327XTSA2 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

BSS84PH6327XTSA2 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
BSS84PH6327XTSA2
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-BSS84PH6327XTSA2
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3
Descrição detalhada
Embalagem
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Ficha de dados
BSS84PH6327XTSA2.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 494900

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas BSS84PH6327XTSA2
Infineon Technologies - BSS84PH6327XTSA2 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - BSS84PH6327XTSA2

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-SOT23  
Série SIPMOS®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8Ohm @ 170mA, 10V  
Dissipação de energia (Max) 360mW (Ta)  
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 19 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 170mA (Ta)  
Número do produto base BSS84  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies BSS84PH6327XTSA2

Atributo do Produto BSS84PH6327XTSA2 BSS84PW L6327 BSS84PW BSS84PH6433XTMA1
Modelo do Produto BSS84PH6327XTSA2 BSS84PW L6327 BSS84PW BSS84PH6433XTMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Característica FET - - - -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 19 pF @ 25 V 19.1 pF @ 25 V 19.1 pF @ 25 V 19 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA 2V @ 20µA 2V @ 20µA 2V @ 20µA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 170mA (Ta) 150mA (Ta) 150mA (Ta) 170mA (Ta)
Série SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS® SIPMOS®
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8Ohm @ 170mA, 10V 8Ohm @ 150mA, 10V 8Ohm @ 150mA, 10V 8Ohm @ 170mA, 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V 1.5 nC @ 10 V
Número do produto base BSS84 - - BSS84
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-SOT23 PG-SOT323 PG-SOT323 PG-SOT23
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V 60 V 60 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipação de energia (Max) 360mW (Ta) 300mW (Ta) 300mW (Ta) 360mW (Ta)
Caixa / Gabinete TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 SC-70, SOT-323 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

BSS84PH6327XTSA2 PDF da folha de dados

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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