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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleBSZ036NE2LSATMA1
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

BSZ036NE2LSATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
BSZ036NE2LSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-BSZ036NE2LSATMA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 25V 16A/40A TSDSON
Descrição detalhada
Embalagem
8-PowerTDFN
Ficha de dados
BSZ036NE2LSATMA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 86400

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas BSZ036NE2LSATMA1
Infineon Technologies - BSZ036NE2LSATMA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - BSZ036NE2LSATMA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TSDSON-8-FL  
Série OptiMOS™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.6mOhm @ 20A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.1W (Ta), 37W (Tc)  
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 12 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 40A (Tc)  
Número do produto base BSZ036  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies BSZ036NE2LSATMA1

Atributo do Produto BSZ036NE2LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N04LSGATMA1
Modelo do Produto BSZ036NE2LSATMA1 BSZ034N04LSATMA1 BSZ040N06LS5ATMA1 BSZ040N04LSGATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Número do produto base BSZ036 BSZ034 BSZ040 BSZ040
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.3V @ 36µA 2V @ 36µA
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 25 V 40 V 60 V 40 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.6mOhm @ 20A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V 4mOhm @ 20A, 10V
Característica FET - - Standard -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Série OptiMOS™ Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 12 V 1800 pF @ 20 V 3100 pF @ 30 V 5100 pF @ 20 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16 nC @ 10 V 25 nC @ 10 V 6.6 nC @ 4.5 V 64 nC @ 10 V
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 40A (Tc) 19A (Ta), 40A (Tc) 40A (Tc) 18A (Ta), 40A (Tc)
Dissipação de energia (Max) 2.1W (Ta), 37W (Tc) 2.1W (Ta), 52W (Tc) 69W (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

BSZ036NE2LSATMA1 PDF da folha de dados

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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