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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleBSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

BSZ110N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
BSZ110N08NS5ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-BSZ110N08NS5ATMA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Descrição detalhada
Embalagem
8-PowerTDFN
Ficha de dados
BSZ110N08NS5ATMA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 63620

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas BSZ110N08NS5ATMA1
Infineon Technologies - BSZ110N08NS5ATMA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - BSZ110N08NS5ATMA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 22µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TSDSON-8-FL  
Série OptiMOS™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 11mOhm @ 20A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 50W (Tc)  
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 40 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 80 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Número do produto base BSZ110  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies BSZ110N08NS5ATMA1

Atributo do Produto BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ105N04NSG BSZ100N06NSATMA1 BSZ110N06NS3GATMA1
Modelo do Produto BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ105N04NSG BSZ100N06NSATMA1 BSZ110N06NS3GATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V 10V 6V, 10V 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 80 V 40 V 60 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 18.5 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V 33 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id 3.8V @ 22µA 4V @ 14µA 3.3V @ 14µA 4V @ 23µA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1300 pF @ 40 V 1300 pF @ 20 V 1075 pF @ 30 V 2700 pF @ 30 V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 11A (Ta), 40A (Tc) 40A (Tc) 20A (Tc)
Série OptiMOS™ OptiMOS™3 OptiMOS™ OptiMOS™
Caixa / Gabinete 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN 8-PowerVDFN
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8 PG-TSDSON-8-FL PG-TSDSON-8
RDS ON (Max) @ Id, VGS 11mOhm @ 20A, 10V 10.5mOhm @ 20A, 10V 10mOhm @ 20A, 10V 11mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max) 50W (Tc) 2.1W (Ta), 35W (Tc) 2.1W (Ta), 36W (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Característica FET - - - -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Número do produto base BSZ110 - BSZ100 BSZ110

BSZ110N08NS5ATMA1 PDF da folha de dados

Faça o download do BSZ110N08NS5ATMA1 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para BSZ110N08NS5ATMA1 - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
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O método de pagamento pode ser escolhido entre os seguintes métodos: Transferência Bancária (T/T, Transferência Bancária), União Oeste, Cartão de Crédito, PayPal.

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