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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleBTS282ZE3230AKSA2
BTS282ZE3230AKSA2 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

BTS282ZE3230AKSA2 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
BTS282ZE3230AKSA2
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-BTS282ZE3230AKSA2
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-7
Ficha de dados
BTS282ZE3230AKSA2.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 9711

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas BTS282ZE3230AKSA2
Infineon Technologies - BTS282ZE3230AKSA2 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - BTS282ZE3230AKSA2

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO220-7-12  
Série TEMPFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.5mOhm @ 36A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-7  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -40°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET Temperature Sensing Diode  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 49 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Número do produto base BTS282  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies BTS282ZE3230AKSA2

Atributo do Produto BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z E3230 BTS282Z E3180A BTS282ZE3180A
Modelo do Produto BTS282ZE3230AKSA2 BTS282Z E3230 BTS282Z E3180A BTS282ZE3180A
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 232 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V 232 nC @ 10 V
Característica FET Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode Temperature Sensing Diode -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA 2V @ 240µA 2V @ 240µA 2V @ 240µA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Dissipação de energia (Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)
Número do produto base BTS282 - - -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO220-7-12 P-TO220-7-230 PG-TO220-7-180 PG-TO263-7-1
Caixa / Gabinete TO-220-7 TO-220-7 TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.5mOhm @ 36A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V 6.5mOhm @ 36A, 10V
Pacote Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Série TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET® TEMPFET®
Temperatura de operação -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ) -40°C ~ 175°C (TJ)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 49 V 49 V 49 V 49 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

BTS282ZE3230AKSA2 PDF da folha de dados

Faça o download do BTS282ZE3230AKSA2 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para BTS282ZE3230AKSA2 - Infineon Technologies.

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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