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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIPD25N06S4L30ATMA2
IPD25N06S4L30ATMA2 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IPD25N06S4L30ATMA2 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IPD25N06S4L30ATMA2
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IPD25N06S4L30ATMA2
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 60V 25A TO252-31
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IPD25N06S4L30ATMA2.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 111620

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IPD25N06S4L30ATMA2
Infineon Technologies - IPD25N06S4L30ATMA2 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IPD25N06S4L30ATMA2

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 8µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3-11  
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 30mOhm @ 25A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 29W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)  
Número do produto base IPD25N06  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IPD25N06S4L30ATMA2

Atributo do Produto IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10NGATMA1 IPD26N06S2L35ATMA2 IPD30N03S2L-08
Modelo do Produto IPD25N06S4L30ATMA2 IPD25CN10NGATMA1 IPD26N06S2L35ATMA2 IPD30N03S2L-08
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Número do produto base IPD25N06 IPD25CN10 IPD26N06 -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Característica FET - - - -
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3-11 PG-TO252-3 PG-TO252-3-11 -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 16.3 nC @ 10 V 31 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1220 pF @ 25 V 2070 pF @ 50 V 621 pF @ 25 V -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 25A (Tc) 35A (Tc) 30A (Tc) -
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Série Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS™ -
Dissipação de energia (Max) 29W (Tc) 71W (Tc) 68W (Tc) -
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 8µA 4V @ 39µA 2V @ 26µA -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V 100 V 55 V -
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 30mOhm @ 25A, 10V 25mOhm @ 35A, 10V 35mOhm @ 13A, 10V -

IPD25N06S4L30ATMA2 PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
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