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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIPD50R280CEBTMA1
IPD50R280CEBTMA1 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IPD50R280CEBTMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IPD50R280CEBTMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IPD50R280CEBTMA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 500V 13A TO252-3
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IPD50R280CEBTMA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4460

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IPD50R280CEBTMA1
Infineon Technologies - IPD50R280CEBTMA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IPD50R280CEBTMA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3-11  
Série CoolMOS™ CE  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 280mOhm @ 4.2A, 13V  
Dissipação de energia (Max) 92W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 13V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc)  
Número do produto base IPD50R  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IPD50R280CEBTMA1

Atributo do Produto IPD50R280CEBTMA1 IPD50R399CP IPD50R2K0CE IPD50P04P4L11ATMA1
Modelo do Produto IPD50R280CEBTMA1 IPD50R399CP IPD50R2K0CE IPD50P04P4L11ATMA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Série CoolMOS™ CE CoolMOS™ CP * Automotive, OptiMOS™-P2
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 350µA 3.5V @ 330µA - 2.2V @ 85µA
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 500 V 500 V - 40 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 13V 10V - 4.5V, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 32.6 nC @ 10 V 23 nC @ 10 V - 59 nC @ 10 V
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Característica FET - - - -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount - Surface Mount
RDS ON (Max) @ Id, VGS 280mOhm @ 4.2A, 13V 399mOhm @ 4.9A, 10V - 10.6mOhm @ 50A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto base IPD50R IPD50R IPD50R IPD50
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 13A (Tc) 9A (Tc) - 50A (Tc)
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Tipo FET N-Channel N-Channel - P-Channel
Dissipação de energia (Max) 92W (Tc) 83W (Tc) - 58W (Tc)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3-11 PG-TO252-3-11 - PG-TO252-3-313
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 773 pF @ 100 V 890 pF @ 100 V - 3900 pF @ 25 V

IPD50R280CEBTMA1 PDF da folha de dados

Faça o download do IPD50R280CEBTMA1 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IPD50R280CEBTMA1 - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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