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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIPD80R1K4CEATMA1
IPD80R1K4CEATMA1 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IPD80R1K4CEATMA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IPD80R1K4CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IPD80R1K4CEATMA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
Descrição detalhada
Embalagem
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Ficha de dados
IPD80R1K4CEATMA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 53430

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IPD80R1K4CEATMA1
Infineon Technologies - IPD80R1K4CEATMA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IPD80R1K4CEATMA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 240µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3  
Série CoolMOS™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.4Ohm @ 2.3A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 63W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 100 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 800 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.9A (Tc)  
Número do produto base IPD80R1  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IPD80R1K4CEATMA1

Atributo do Produto IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R280P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R2K0P7
Modelo do Produto IPD80R1K4CEATMA1 IPD80R280P7ATMA1 IPD80R1K2P7ATMA1 IPD80R2K0P7
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 100 V 1200 pF @ 500 V 300 pF @ 500 V -
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Número do produto base IPD80R1 IPD80R IPD80R1 -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 23 nC @ 10 V 36 nC @ 10 V 11 nC @ 10 V -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 800 V 800 V 800 V -
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Série CoolMOS™ CoolMOS™ CoolMOS™ P7 -
VGS (th) (Max) @ Id 3.9V @ 240µA 3.5V @ 360µA 3.5V @ 80µA -
Característica FET - - - -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Caixa / Gabinete TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 1.4Ohm @ 2.3A, 10V 280mOhm @ 7.2A, 10V 1.2Ohm @ 1.7A, 10V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO252-3 PG-TO252-3 PG-TO252-3 -
Dissipação de energia (Max) 63W (Tc) 101W (Tc) 37W (Tc) -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 3.9A (Tc) 17A (Tc) 4.5A (Tc) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -

IPD80R1K4CEATMA1 PDF da folha de dados

Faça o download do IPD80R1K4CEATMA1 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IPD80R1K4CEATMA1 - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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