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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IPI086N10N3GXKSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IPI086N10N3GXKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IPI086N10N3GXKSA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
Descrição detalhada
Embalagem
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Ficha de dados
IPI086N10N3GXKSA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 69630

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IPI086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies - IPI086N10N3GXKSA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IPI086N10N3GXKSA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 75µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO262-3  
Série OptiMOS™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.6mOhm @ 73A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 50 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Número do produto base IPI086  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IPI086N10N3GXKSA1

Atributo do Produto IPI086N10N3GXKSA1 IPI09N03LA IPI072N10N3G IPI075N15N3G
Modelo do Produto IPI086N10N3GXKSA1 IPI09N03LA IPI072N10N3G IPI075N15N3G
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Série OptiMOS™ OptiMOS™ OptiMOS® 3 OptiMOS™ 3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 25 V 100 V 150 V
Pacote Tube Tube Bulk Bulk
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO262-3 PG-TO262-3 PG-TO262-3-1 PG-TO262-3-1
Caixa / Gabinete TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 50A (Tc) 80A (Tc) 120A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 3.5V @ 75µA 2V @ 20µA 3.5V @ 90µA 4V @ 270µA
RDS ON (Max) @ Id, VGS 8.6mOhm @ 73A, 10V 9.2mOhm @ 30A, 10V 7.2mOhm @ 80A, 10V 7.5mOhm @ 100A, 10V
Dissipação de energia (Max) 125W (Tc) 63W (Tc) 150W (Tc) 300W (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V 68 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Número do produto base IPI086 IPI09N - -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3980 pF @ 50 V 1642 pF @ 15 V 4910 pF @ 50 V 5470 pF @ 75 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 6V, 10V 4.5V, 10V 6V, 10V 8V, 10V
Característica FET - - - -
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IPI086N10N3GXKSA1 PDF da folha de dados

Faça o download do IPI086N10N3GXKSA1 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IPI086N10N3GXKSA1 - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
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Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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