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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIPP80N03S4L03AKSA1
IPP80N03S4L03AKSA1 Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IPP80N03S4L03AKSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IPP80N03S4L03AKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IPP80N03S4L03AKSA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IPP80N03S4L03AKSA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 24567

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IPP80N03S4L03AKSA1
Infineon Technologies - IPP80N03S4L03AKSA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IPP80N03S4L03AKSA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 90µA  
Vgs (Max) ±16V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO220-3-1  
Série OptiMOS™  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.7mOhm @ 80A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 136W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9750 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Número do produto base IPP80N03  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IPP80N03S4L03AKSA1

Atributo do Produto IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N04S2-H4 IPP80N04S3-04 IPP80N04S3-03
Modelo do Produto IPP80N03S4L03AKSA1 IPP80N04S2-H4 IPP80N04S3-04 IPP80N04S3-03
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.7mOhm @ 80A, 10V 4mOhm @ 80A, 10V 4.1mOhm @ 80A, 10V 3.5mOhm @ 80A, 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1 PG-TO220-3-1
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9750 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V 7300 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc) 80A (Tc)
Característica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 40 V 40 V 40 V
Número do produto base IPP80N03 - IPP80N -
Vgs (Max) ±16V ±20V ±20V ±20V
Pacote Tube Bulk Tube Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 90µA 4V @ 250µA 4V @ 90µA 4V @ 120µA
Dissipação de energia (Max) 136W (Tc) 300W (Tc) 136W (Tc) 188W (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 140 nC @ 10 V 148 nC @ 10 V 80 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Série OptiMOS™ CoolMOS™ OptiMOS™ *

IPP80N03S4L03AKSA1 PDF da folha de dados

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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