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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IPZ65R065C7XKSA1 - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IPZ65R065C7XKSA1
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IPZ65R065C7XKSA1
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Descrição detalhada
Embalagem
TO-247-4
Ficha de dados
IPZ65R065C7XKSA1.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 7350

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IPZ65R065C7XKSA1
Infineon Technologies - IPZ65R065C7XKSA1 Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IPZ65R065C7XKSA1

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO247-4  
Série CoolMOS™ C7  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 65mOhm @ 17.1A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 171W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-247-4  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 400 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 650 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 33A (Tc)  
Número do produto base IPZ65R065  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IPZ65R065C7XKSA1

Atributo do Produto IPZ65R065C7XKSA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ65R045C7XKSA1 IPZ60R060C7XKSA1
Modelo do Produto IPZ65R065C7XKSA1 IPZ40N04S5L7R4ATMA1 IPZ65R045C7XKSA1 IPZ60R060C7XKSA1
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 64 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 68 nC @ 10 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número do produto base IPZ65R065 IPZ40N04 IPZ65R045 IPZ60R060
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 33A (Tc) 40A (Tc) 46A (Tc) 35A (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3020 pF @ 400 V 920 pF @ 25 V 4340 pF @ 400 V 2850 pF @ 400 V
Série CoolMOS™ C7 Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 CoolMOS™ C7 CoolMOS™ C7
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 650 V 40 V 650 V 600 V
Característica FET - - - -
Pacote Tube Tape & Reel (TR) Tube Tube
RDS ON (Max) @ Id, VGS 65mOhm @ 17.1A, 10V 7.4mOhm @ 20A, 10V 45mOhm @ 24.9A, 10V 60mOhm @ 15.9A, 10V
Caixa / Gabinete TO-247-4 8-PowerVDFN TO-247-4 TO-247-4
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount Through Hole Through Hole
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipação de energia (Max) 171W (Tc) 34W (Tc) 227W (Tc) 162W (Tc)
Embalagem do dispositivo fornecedor PG-TO247-4 PG-TSDSON-8 PG-TO247 PG-TO247-4
Vgs (Max) ±20V ±16V ±20V ±20V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 850µA 2V @ 10µA 4V @ 1.25mA 4V @ 800µA

IPZ65R065C7XKSA1 PDF da folha de dados

Faça o download do IPZ65R065C7XKSA1 PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IPZ65R065C7XKSA1 - Infineon Technologies.

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Referência de tempo logístico de países comuns
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Europa Alemanha 5
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Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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