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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF1010NSPBF
IRF1010NSPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF1010NSPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF1010NSPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF1010NSPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 55V 85A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de dados
IRF1010NSPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4420

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF1010NSPBF
Infineon Technologies - IRF1010NSPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF1010NSPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 11mOhm @ 43A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 180W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3210 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 85A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF1010NSPBF

Atributo do Produto IRF1010NSPBF IRF1010Z IRF1010NSTRRPBF IRF1010ZLPBF
Modelo do Produto IRF1010NSPBF IRF1010Z IRF1010NSTRRPBF IRF1010ZLPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
RDS ON (Max) @ Id, VGS 11mOhm @ 43A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V 11mOhm @ 43A, 10V 7.5mOhm @ 75A, 10V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 120 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V
Pacote Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3210 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V 3210 pF @ 25 V 2840 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 85A (Tc) 75A (Tc) 85A (Tc) 75A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK TO-220AB D2PAK TO-262
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V 55 V 55 V 55 V
Característica FET - - - -
Dissipação de energia (Max) 180W (Tc) 140W (Tc) 180W (Tc) 140W (Tc)
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

IRF1010NSPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF1010NSPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF1010NSPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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