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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF1104PBF
IRF1104PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF1104PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF1104PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF1104PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRF1104PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 26091

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF1104PBF
Infineon Technologies - IRF1104PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF1104PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9mOhm @ 60A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 170W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Tc)  
Número do produto base IRF1104  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF1104PBF

Atributo do Produto IRF1104PBF IRF1104S IRF1302S IRF1018ESPBF
Modelo do Produto IRF1104PBF IRF1104S IRF1302S IRF1018ESPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 174A (Tc) 79A (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V 2900 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 2290 pF @ 50 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9mOhm @ 60A, 10V 9mOhm @ 60A, 10V 4mOhm @ 104A, 10V 8.4mOhm @ 47A, 10V
Característica FET - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 100µA
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Pacote Tube Tube Tube Tube
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número do produto base IRF1104 - - -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 93 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipação de energia (Max) 170W (Tc) 2.4W (Ta), 170W (Tc) 200W (Tc) 110W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 40 V 40 V 20 V 60 V

IRF1104PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF1104PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF1104PBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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