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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF1310NPBF
IRF1310NPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF1310NPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF1310NPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF1310NPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRF1310NPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 36650

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF1310NPBF
Infineon Technologies - IRF1310NPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF1310NPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 36mOhm @ 22A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 160W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 42A (Tc)  
Número do produto base IRF1310  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF1310NPBF

Atributo do Produto IRF1310NPBF IRF1302S IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSPBF
Modelo do Produto IRF1310NPBF IRF1302S IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB D2PAK D2PAK D2PAK
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V 110 nC @ 10 V
Pacote Tube Tube Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Característica FET - - - -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Tipo de montagem Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
RDS ON (Max) @ Id, VGS 36mOhm @ 22A, 10V 4mOhm @ 104A, 10V 36mOhm @ 22A, 10V 36mOhm @ 22A, 10V
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1900 pF @ 25 V 3600 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V 1900 pF @ 25 V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto base IRF1310 - IRF1310 -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 42A (Tc) 174A (Tc) 42A (Tc) 42A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Dissipação de energia (Max) 160W (Tc) 200W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 20 V 100 V 100 V

IRF1310NPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF1310NPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF1310NPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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