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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF3707ZSPBF
IRF3707ZSPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF3707ZSPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF3707ZSPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF3707ZSPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 59A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de dados
IRF3707Z (S,L) PbF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4580

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF3707ZSPBF
Infineon Technologies - IRF3707ZSPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF3707ZSPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9.5mOhm @ 21A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 57W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 59A (Tc)  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF3707ZSPBF

Atributo do Produto IRF3707ZSPBF IRF3708PBF IRF3708S IRF3708
Modelo do Produto IRF3707ZSPBF IRF3708PBF IRF3708S IRF3708
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±12V
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 59A (Tc) 62A (Tc) 62A (Tc) 62A (Tc)
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Dissipação de energia (Max) 57W (Tc) 87W (Tc) 87W (Tc) 87W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 25µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA 2V @ 250µA
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9.5mOhm @ 21A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V 12mOhm @ 15A, 10V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 2.8V, 10V 2.8V, 10V 2.8V, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Pacote Tube Bulk Tube Tube
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 15 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V 24 nC @ 4.5 V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1210 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V 2417 pF @ 15 V
Característica FET - - - -
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK TO-220AB D2PAK TO-220AB

IRF3707ZSPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF3707ZSPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF3707ZSPBF - Infineon Technologies.

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Folhas de dados
IRF3707Z (S,L) PbF.pdf

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Custo de entrega

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Método de entrega

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  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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