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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF5210STRRPBF
IRF5210STRRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF5210STRRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF5210STRRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF5210STRRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de dados
IRF5210STRRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 3920

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF5210STRRPBF
Infineon Technologies - IRF5210STRRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF5210STRRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 60mOhm @ 38A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.1W (Ta), 170W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 38A (Tc)  
Número do produto base IRF5210  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF5210STRRPBF

Atributo do Produto IRF5210STRRPBF IRF530 IRF530 IRF530
Modelo do Produto IRF5210STRRPBF IRF530 IRF530 IRF530
Fabricante Infineon Technologies Harris Corporation STMicroelectronics Vishay Siliconix
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipação de energia (Max) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 75W (Tc) 60W (Tc) 88W (Tc)
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V - 10V 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 38A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc) 14A (Tc)
Número do produto base IRF5210 - IRF5 IRF530
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2780 pF @ 25 V 800 pF @ 25 V 458 pF @ 25 V 670 pF @ 25 V
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Característica FET - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 100 V 100 V 100 V
Série HEXFET® - STripFET™ II -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V - 21 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK TO-220AB TO-220 TO-220AB
RDS ON (Max) @ Id, VGS 60mOhm @ 38A, 10V 180mOhm @ 8A, 10V 160mOhm @ 7A, 10V 160mOhm @ 8.4A, 10V

IRF5210STRRPBF PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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