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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF5801TRPBF
IRF5801TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF5801TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF5801TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF5801TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Descrição detalhada
Embalagem
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ficha de dados
IRF5801TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 129420

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF5801TRPBF
Infineon Technologies - IRF5801TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF5801TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor Micro6™(TSOP-6)  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.2Ohm @ 360mA, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2W (Ta)  
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta)  
Número do produto base IRF5801  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF5801TRPBF

Atributo do Produto IRF5801TRPBF IRF5800TR IRF5803D2 IRF5800TRPBF
Modelo do Produto IRF5801TRPBF IRF5800TR IRF5803D2 IRF5800TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Dissipação de energia (Max) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta) 2W (Ta)
Embalagem do dispositivo fornecedor Micro6™(TSOP-6) Micro6™(TSOP-6) 8-SO Micro6™(TSOP-6)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 600mA (Ta) 4A (Ta) 3.4A (Ta) 4A (Ta)
Caixa / Gabinete SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 200 V 30 V 40 V 30 V
Tipo FET N-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Número do produto base IRF5801 - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.2Ohm @ 360mA, 10V 85mOhm @ 4A, 10V 112mOhm @ 3.4A, 10V 85mOhm @ 4A, 10V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Série HEXFET® HEXFET® FETKY™ HEXFET®
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 88 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V 1110 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±30V ±20V ±20V ±20V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Característica FET - - Schottky Diode (Isolated) -
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 3.9 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 17 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRF5801TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF5801TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF5801TRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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