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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF7401TRPBF
IRF7401TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF7401TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF7401TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF7401TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 20V 8.7A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
IRF7401TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4220

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF7401TRPBF
Infineon Technologies - IRF7401TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF7401TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 22mOhm @ 4.1A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.7V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.7A (Ta)  
Número do produto base IRF7401  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF7401TRPBF

Atributo do Produto IRF7401TRPBF IRF7402TRPBF IRF7402TR IRF740
Modelo do Produto IRF7401TRPBF IRF7402TRPBF IRF7402TR IRF740
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies STMicroelectronics
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.7A (Ta) 6.8A (Ta) 6.8A (Ta) 10A (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V 10V
Característica FET - - - -
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Número do produto base IRF7401 - - IRF7
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 48 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 22 nC @ 4.5 V 43 nC @ 10 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 125W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® PowerMESH™ II
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RDS ON (Max) @ Id, VGS 22mOhm @ 4.1A, 4.5V 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 35mOhm @ 4.1A, 4.5V 550mOhm @ 5.3A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min) 4V @ 250µA
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20 V 20 V 20 V 400 V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1600 pF @ 15 V 650 pF @ 15 V 650 pF @ 15 V 1400 pF @ 25 V
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO 8-SO 8-SO TO-220
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3

IRF7401TRPBF PDF da folha de dados

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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