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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF7410TRPBF
IRF7410TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF7410TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF7410TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF7410TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
IRF7410TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 78320

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF7410TRPBF
Infineon Technologies - IRF7410TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF7410TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 7mOhm @ 16A, 4.5V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8676 pF @ 10 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.8V, 4.5V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 12 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  
Número do produto base IRF7410  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF7410TRPBF

Atributo do Produto IRF7410TRPBF IRF7413A IRF7410GTRPBF IRF740STRRPBF
Modelo do Produto IRF7410TRPBF IRF7413A IRF7410GTRPBF IRF740STRRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Vishay Siliconix
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8676 pF @ 10 V 1800 pF @ 25 V 8676 pF @ 10 V 1400 pF @ 25 V
Número do produto base IRF7410 - - IRF740
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 7mOhm @ 16A, 4.5V 13.5mOhm @ 6.6A, 10V 7mOhm @ 16A, 4.5V 550mOhm @ 6A, 10V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 91 nC @ 4.5 V 79 nC @ 10 V 91 nC @ 4.5 V 63 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 1V @ 250µA 900mV @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 12 V 30 V 12 V 400 V
Vgs (Max) ±8V ±20V ±8V ±20V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) 12A (Ta) 16A (Ta) 10A (Tc)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO 8-SO 8-SO D²PAK (TO-263)
Tipo FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Característica FET - - - -
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)

IRF7410TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF7410TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF7410TRPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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