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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF7748L1TRPBF
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF7748L1TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF7748L1TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF7748L1TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 60V 28A DIRECTFET
Descrição detalhada
Embalagem
DirectFET™ Isometric L6
Ficha de dados
IRF7748L1TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 5130

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF7748L1TRPBF
Infineon Technologies - IRF7748L1TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF7748L1TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor DIRECTFET L6  
Série -  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.2mOhm @ 89A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.3W (Ta), 94W (Tc)  
Caixa / Gabinete DirectFET™ Isometric L6  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 50 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 148A (Tc)  
Número do produto base IRF7748  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF7748L1TRPBF

Atributo do Produto IRF7748L1TRPBF IRF7739L1TRPBF IRF7739L2TRPBF IRF7726TR
Modelo do Produto IRF7748L1TRPBF IRF7739L1TRPBF IRF7739L2TRPBF IRF7726TR
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Característica FET - - - -
RDS ON (Max) @ Id, VGS 2.2mOhm @ 89A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 1mOhm @ 160A, 10V 26mOhm @ 7A, 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 330 nC @ 10 V 69 nC @ 10 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Caixa / Gabinete DirectFET™ Isometric L6 DirectFET™ Isometric L8 DirectFET™ Isometric L8 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 60 V 40 V 40 V 30 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Série - - HEXFET® HEXFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 28A (Ta), 148A (Tc) 46A (Ta), 270A (Tc) 46A (Ta), 375A (Tc) 7A (Ta)
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Dissipação de energia (Max) 3.3W (Ta), 94W (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) 3.8W (Ta), 125W (Tc) 1.79W (Ta)
Embalagem do dispositivo fornecedor DIRECTFET L6 DirectFET™ Isometric L8 DIRECTFET L8 Micro8™
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 8075 pF @ 50 V 11880 pF @ 25 V 11880 pF @ 25 V 2204 pF @ 25 V
Número do produto base IRF7748 IRF7739 - -
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V

IRF7748L1TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF7748L1TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF7748L1TRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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