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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF7805ZTRPBF
IRF7805ZTRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF7805ZTRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF7805ZTRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF7805ZTRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 16A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
IRF7805ZTRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 28656

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF7805ZTRPBF
Infineon Technologies - IRF7805ZTRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF7805ZTRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.8mOhm @ 16A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Ta)  
Número do produto base IRF7805  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF7805ZTRPBF

Atributo do Produto IRF7805ZTRPBF IRF7807 IRF7805TRPBF IRF7807D1TRPBF
Modelo do Produto IRF7805ZTRPBF IRF7807 IRF7805TRPBF IRF7807D1TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies
Característica FET - - - Schottky Diode (Isolated)
VGS (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA 1V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 16A (Ta) 8.3A (Ta) 13A (Ta) 8.3A (Ta)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Número do produto base IRF7805 - - -
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Max) ±20V ±12V ±12V ±12V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V 4.5V 4.5V
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 6.8mOhm @ 16A, 10V 25mOhm @ 7A, 4.5V 11mOhm @ 7A, 4.5V 25mOhm @ 7A, 4.5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2080 pF @ 15 V - - -
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® FETKY™
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 27 nC @ 4.5 V 17 nC @ 5 V 31 nC @ 5 V 17 nC @ 5 V

IRF7805ZTRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF7805ZTRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF7805ZTRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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