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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF7853TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF7853TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF7853TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
IRF7853TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 59650

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF7853TRPBF
Infineon Technologies - IRF7853TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF7853TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 18mOhm @ 8.3A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta)  
Número do produto base IRF7853  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF7853TRPBF

Atributo do Produto IRF7853TRPBF IRF7842TR IRF7853PBF IRF7855TRPBF
Modelo do Produto IRF7853TRPBF IRF7842TR IRF7853PBF IRF7855TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 4.9V @ 100µA 2.25V @ 250µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.3A (Ta) 18A (Ta) 8.3A (Ta) 12A (Ta)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
Número do produto base IRF7853 - - IRF7855
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 39 nC @ 10 V 50 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V
Característica FET - - - -
Pacote Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 18mOhm @ 8.3A, 10V 5mOhm @ 17A, 10V 18mOhm @ 8.3A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 25 V 4500 pF @ 20 V 1640 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 4.5V, 10V 10V 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 40 V 100 V 60 V

IRF7853TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF7853TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF7853TRPBF - Infineon Technologies.

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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