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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF7862TRPBF
IRF7862TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF7862TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF7862TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF7862TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 21A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
IRF7862PbF.pdf
IRF7862PbF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 93070

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF7862TRPBF
Infineon Technologies - IRF7862TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF7862TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.7mOhm @ 20A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4090 pF @ 15 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 21A (Ta)  
Número do produto base IRF7862  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF7862TRPBF

Atributo do Produto IRF7862TRPBF IRF7855PBF IRF7855TRPBF IRF7901D1TRPBF
Modelo do Produto IRF7862TRPBF IRF7855PBF IRF7855TRPBF IRF7901D1TRPBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Número do produto base IRF7862 - IRF7855 IRF7901
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 21A (Ta) 12A (Ta) 12A (Ta) 6.2A
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® FETKY™
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) -
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 60 V 60 V 30V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.7mOhm @ 20A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V 9.4mOhm @ 12A, 10V 38mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 4.5 V 39 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 10.5nC @ 5V
Característica FET - - - Logic Level Gate
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 100µA 4.9V @ 100µA 4.9V @ 100µA 1V @ 250µA
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4090 pF @ 15 V 1560 pF @ 25 V 1560 pF @ 25 V 780pF @ 16V
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V - 10V -

IRF7862TRPBF PDF da folha de dados

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Folha de dados HTML
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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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