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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - matrizesIRF8915TRPBF
IRF8915TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF8915TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF8915TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF8915TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET 2N-CH 20V 8.9A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
IRF8915TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 4920

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF8915TRPBF
Infineon Technologies - IRF8915TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF8915TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 18.3mOhm @ 8.9A, 10V  
Power - Max 2W  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V  
Característica FET Logic Level Gate  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.9A  
Configuração 2 N-Channel (Dual)  
Número do produto base IRF89  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF8915TRPBF

Atributo do Produto IRF8915TRPBF IRF8915 IRF8910TRPBF IRF8910PBF
Modelo do Produto IRF8915TRPBF IRF8915 IRF8910TRPBF IRF8910PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Power - Max 2W 2W 2W 2W
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V 7.4nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V 11nC @ 4.5V
Característica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 540pF @ 10V 540pF @ 10V 960pF @ 10V 960pF @ 10V
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tube
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Configuração 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.55V @ 250µA 2.55V @ 250µA
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 18.3mOhm @ 8.9A, 10V 18.3mOhm @ 8.9A, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V 13.4mOhm @ 10A, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 8.9A 8.9A 10A 10A
Número do produto base IRF89 IRF89 IRF89 IRF89

IRF8915TRPBF PDF da folha de dados

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Custo de entrega

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(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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