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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF9332TRPBF
IRF9332TRPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF9332TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF9332TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF9332TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 30V 9.8A 8SO
Descrição detalhada
Embalagem
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ficha de dados
IRF9332TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 73740

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF9332TRPBF
Infineon Technologies - IRF9332TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF9332TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 17.5mOhm @ 9.8A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta)  
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.8A (Ta)  
Número do produto base IRF9332  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF9332TRPBF

Atributo do Produto IRF9332TRPBF IRF9328PBF IRF9335TRPBF IRF9321TRPBF
Modelo do Produto IRF9332TRPBF IRF9328PBF IRF9335TRPBF IRF9321TRPBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1270 pF @ 25 V 1680 pF @ 25 V 386 pF @ 25 V 2590 pF @ 25 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V 30 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Caixa / Gabinete 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Dissipação de energia (Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 17.5mOhm @ 9.8A, 10V 11.9mOhm @ 12A, 10V 59mOhm @ 5.4A, 10V 7.2mOhm @ 15A, 10V
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 9.8A (Ta) 12A (Tc) 5.4A (Ta) 15A (Ta)
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-SO 8-SO 8-SO 8-SO
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 52 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® HEXFET®
VGS (th) (Max) @ Id 2.4V @ 25µA 2.4V @ 25µA 2.4V @ 10µA 2.4V @ 50µA
Número do produto base IRF9332 - IRF9335 IRF9321
Característica FET - - - -
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V

IRF9332TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF9332TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF9332TRPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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