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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRF9Z34NSTRLPBF
IRF9Z34NSTRLPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRF9Z34NSTRLPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRF9Z34NSTRLPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRF9Z34NSTRLPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
Descrição detalhada
Embalagem
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Ficha de dados
IRF9Z34NSTRLPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 31228

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRF9Z34NSTRLPBF
Infineon Technologies - IRF9Z34NSTRLPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRF9Z34NSTRLPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 100mOhm @ 10A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)  
Número do produto base IRF9Z34  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRF9Z34NSTRLPBF

Atributo do Produto IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z30 IRF9Z34NPBF IRF9Z34S
Modelo do Produto IRF9Z34NSTRLPBF IRF9Z30 IRF9Z34NPBF IRF9Z34S
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Infineon Technologies Vishay Siliconix
Característica FET - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Série HEXFET® - HEXFET® -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipação de energia (Max) 3.8W (Ta), 68W (Tc) 74W (Tc) 68W (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 100mOhm @ 10A, 10V 140mOhm @ 9.3A, 10V 100mOhm @ 10A, 10V 140mOhm @ 11A, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel P-Channel
Pacote Tape & Reel (TR) Tube Tube Tube
Embalagem do dispositivo fornecedor D2PAK TO-220AB TO-220AB D²PAK (TO-263)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V 39 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 34 nC @ 10 V
Número do produto base IRF9Z34 IRF9 IRF9Z34 IRF9
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Caixa / Gabinete TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 19A (Tc) 18A (Tc) 19A (Tc) 18A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 620 pF @ 25 V 900 pF @ 25 V 620 pF @ 25 V 1100 pF @ 25 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 55 V 50 V 55 V 60 V
Tipo de montagem Surface Mount Through Hole Through Hole Surface Mount

IRF9Z34NSTRLPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRF9Z34NSTRLPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRF9Z34NSTRLPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
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