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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFB3607PBF
IRFB3607PBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFB3607PBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFB3607PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFB3607PBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 75V 80A TO220AB
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3
Ficha de dados
IRFB3607PBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 96140

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFB3607PBF
Infineon Technologies - IRFB3607PBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFB3607PBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9mOhm @ 46A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 140W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 75 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc)  
Número do produto base IRFB3607  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFB3607PBF

Atributo do Produto IRFB3607PBF IRFB3507 IRFB3607GPBF IRFB4019PBF
Modelo do Produto IRFB3607PBF IRFB3507 IRFB3607GPBF IRFB4019PBF
Fabricante Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies Infineon Technologies
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 75 V 75 V 75 V 150 V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacote Tube Tube Tube Tube
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Série HEXFET® HEXFET® HEXFET® -
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4V @ 100µA 4.9V @ 50µA
Característica FET - - - -
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 80A (Tc) 97A (Tc) 80A (Tc) 17A (Tc)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 3070 pF @ 50 V 3540 pF @ 50 V 3070 pF @ 50 V 800 pF @ 50 V
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB TO-220AB TO-220AB TO-220AB
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Número do produto base IRFB3607 - - IRFB4019
RDS ON (Max) @ Id, VGS 9mOhm @ 46A, 10V 8.8mOhm @ 58A, 10V 9mOhm @ 46A, 10V 95mOhm @ 10A, 10V
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipação de energia (Max) 140W (Tc) 190W (Tc) 140W (Tc) 80W (Tc)
Caixa / Gabinete TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 84 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V

IRFB3607PBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFB3607PBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFB3607PBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

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  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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Entre em contato conosco se tiver alguma dúvida.

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