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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFHM830TRPBF
Infineon Technologies
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFHM830TRPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFHM830TRPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFHM830TRPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Descrição detalhada
Embalagem
8-PowerVDFN
Ficha de dados
IRFHM830TRPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 85210

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFHM830TRPBF
Infineon Technologies - IRFHM830TRPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFHM830TRPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-PQFN-Dual (3.3x3.3)  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.8mOhm @ 20A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc)  
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN  
Pacote Tape & Reel (TR)  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo de montagem Surface Mount  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2155 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc)  
Número do produto base IRFHM830  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFHM830TRPBF

Atributo do Produto IRFHM830TRPBF IRFHM8330TRPBF IRFHM831TR2PBF IRFHM7194TRPBF
Modelo do Produto IRFHM830TRPBF IRFHM8330TRPBF IRFHM831TR2PBF IRFHM7194TRPBF
Fabricante Infineon Technologies International Rectifier Infineon Technologies Infineon Technologies
Embalagem do dispositivo fornecedor 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) 8-PQFN (3.3x3.3) PQFN (3x3) 8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Característica FET - - - -
Caixa / Gabinete 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN 8-PowerTDFN 8-PowerTDFN
Número do produto base IRFHM830 - - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.35V @ 50µA 2.35V @ 25µA 2.35V @ 25µA 3.6V @ 50µA
Vgs (Max) ±20V ±20V - ±20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 16 nC @ 10 V 19 nC @ 10 V
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 30 V 30 V 30 V 100 V
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacote Tape & Reel (TR) Bulk Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 21A (Ta), 40A (Tc) 16A (Ta), 55A (Tc) 14A (Ta), 40A (Tc) 9.3A (Ta), 34A (Tc)
Série HEXFET® HEXFET® - FASTIRFET™, HEXFET®
Dissipação de energia (Max) 2.7W (Ta), 37W (Tc) 2.7W (Ta), 33W (Tc) - 2.8W (Ta), 37W (Tc)
RDS ON (Max) @ Id, VGS 3.8mOhm @ 20A, 10V 6.6mOhm @ 20A, 10V 7.8mOhm @ 12A, 10V 16.4mOhm @ 20A, 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2155 pF @ 25 V 1450 pF @ 25 V 1050 pF @ 25 V 733 pF @ 50 V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 4.5V, 10V - - 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

IRFHM830TRPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFHM830TRPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFHM830TRPBF - Infineon Technologies.

Embalagem PCN
Package Drawing Update 19/Aug/2015.pdf
Design/especificação PCN
Mult Dev Label Chgs Aug/2020.pdf Mult Dev Lot Chgs 25/May/2021.pdf
Montagem/origem PCN
Assembly Site Retraction 01/Jul/2015.pdf

Tipo de transporte

Prazo de entrega

Os itens em estoque podem ser enviados dentro de 24 horas.Algumas peças serão organizadas para entrega dentro de 1-2 dias a partir da data, todos os itens chegam ao nosso armazém.E os navios Allelco pedem uma vez por dia por volta das 17:00, exceto domingo.Depois que as mercadorias são enviadas, o tempo estimado de entrega depende dos métodos de envio e do destino da entrega.A tabela abaixo mostra que é o tempo logístico para alguns países comuns.

Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

  1. Remessa comum global da DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF Apoiamos.
  2. Outros mais formas de remessa, entre em contato com seu gerente de clientes.

Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
Referência de cobranças de remessa DHL e FedEx
Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
A tabela acima é apenas para referência.Pode ter algum viés de dados para os fatores incontroláveis.
Entre em contato conosco se tiver alguma dúvida.

Apoio de Pagamento

O método de pagamento pode ser escolhido entre os seguintes métodos: Transferência Bancária (T/T, Transferência Bancária), União Oeste, Cartão de Crédito, PayPal.

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