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CasaProdutosProdutos semicondutores discretosTransistores - FETs, MOSFETs - SingleIRFI530NPBF
IRFI530NPBF Image
A imagem é apenas para referência. Por favor, consulte as especificações para detalhes do produto.

IRFI530NPBF - Infineon Technologies

Fabricante Modelo do Produto
IRFI530NPBF
Fabricante
Infineon Technologies
Allelco Modelo do Produto
32D-IRFI530NPBF
Modelo ECAD
Descrição das peças
MOSFET N-CH 100V 12A TO220AB FP
Descrição detalhada
Embalagem
TO-220-3 Full Pack
Ficha de dados
IRFI530NPBF.pdf
Estado de RoHS
Disponível: 49360

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Quantidade

Especificações

Especificações técnicas IRFI530NPBF
Infineon Technologies - IRFI530NPBF Especificações técnicas, atributos, parâmetros e peças com especificações semelhantes ao Infineon Technologies - IRFI530NPBF

Atributo do Produto Valor do Atributo  
Fabricante Infineon Technologies  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB Full-Pak  
Série HEXFET®  
RDS ON (Max) @ Id, VGS 110mOhm @ 6.6A, 10V  
Dissipação de energia (Max) 41W (Tc)  
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack  
Pacote Tube  
Atributo do Produto Valor do Atributo  
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo de montagem Through Hole  
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V  
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Característica FET -  
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V  
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V  
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Número do produto base IRFI530  

Peças com especificações semelhantes

As três partes à direita têm especificações semelhantes ao Infineon Technologies IRFI530NPBF

Atributo do Produto IRFI530NPBF IRFI540G IRFI620G IRFI510GPBF
Modelo do Produto IRFI530NPBF IRFI540G IRFI620G IRFI510GPBF
Fabricante Infineon Technologies Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 17A (Tc) 4.1A (Tc) 4.5A (Tc)
Pacote Tube Tube Tube Tube
Característica FET - - - -
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 640 pF @ 25 V 1700 pF @ 25 V 260 pF @ 25 V 180 pF @ 25 V
RDS ON (Max) @ Id, VGS 110mOhm @ 6.6A, 10V 77mOhm @ 10A, 10V 800mOhm @ 2.5A, 10V 540mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado) 10V 10V 10V 10V
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Embalagem do dispositivo fornecedor TO-220AB Full-Pak TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Escorra a tensão de fonte (Vdss) 100 V 100 V 200 V 100 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Caixa / Gabinete TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Dissipação de energia (Max) 41W (Tc) 48W (Tc) 30W (Tc) 27W (Tc)
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 10 V 72 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 8.3 nC @ 10 V
Número do produto base IRFI530 IRFI540 IRFI620 IRFI510
Série HEXFET® - - -

IRFI530NPBF PDF da folha de dados

Faça o download do IRFI530NPBF PDF Datahets e Infineon Technologies Documentation para IRFI530NPBF - Infineon Technologies.

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Tipo de transporte

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Custo de entrega

  1. Use sua conta expressa para remessa se tiver uma.
  2. Use nossa conta para a remessa.Consulte a tabela abaixo para obter as cobranças aproximadas.
(Diferentes times de tempo / países / pacote têm preço diferente.)

Método de entrega

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Referência de tempo logístico de países comuns
Região País Hora logística (dia)
América Estados Unidos 5
Brasil 7
Europa Alemanha 5
Reino Unido 4
Itália 5
Oceânia Austrália 6
Nova Zelândia 5
Ásia Índia 4
Japão 4
Médio Oriente Israel 6
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Taxas de remessa (kg) Referência DHL (USD $)
0,00kg-1,00kg USD $ 30,00 - USD $ 60,00
1,00kg-2.00kg USD $ 40,00 - USD $ 80,00
2,00kg-3,00 kg US $ 50,00 - USD $ 100,00
Observação:
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